Копицын

Номер патента: 940605

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская

МПК: H01L 21/283

Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...

Номер патента: 126707

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Копицын

МПК: B23B 25/06, B23Q 11/00

Метки: вибраций, жесткости, карусельного, повышения, станка, суппортов, уменьшения

...Такое подпирание с сохранением для дополнительной опоры той же подачи, которую имеет ползун с резцом, легко достигается при наружной проточке открь 1 тых поверхностей за счет использования бокового суппорта. Например, в резцедержателе ползуна бокового суппорта зажимается упор 1; в резцедержателе ползуна вертикального суппорта, перпендикулярного боковому суппорту, зажимается упорный кронштейн 2. Таким образом осуществляется упругая связь между обоими ползунами, Скос на упорном кронштейне 2 выполнен под таким углом а (например, в 12), что при отжатии вертикального ползуна усилием резания упор 1 прижимается к упорному кронштейну 2 с тем большей силой, чем больше деформация; при отклонении в обратную сторону этот контакт не нарушается,...