Типаева

Способ изготовления свч-биполярных транзисторов

Номер патента: 1032936

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Жилин, Косогов, Русаков, Телепина, Типаева

МПК: H01L 21/225

Метки: свч-биполярных, транзисторов

Способ изготовления СВЧ-биполярных транзисторов, включающий создание на полупроводниковой подложке коллекторного и эмиттерного переходов и сильнолегированных областей пассивной базы путем селективной диффузии базовой примеси в подложку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения емкости коллекторного p n-перехода и КПД коллекторной цепи путем уменьшения горизонтальных размеров областей пассивной базы, диффузию примеси проводят в интервале температур 900 950oС в течение 7 20 мин.

Способ переработки фосфорного шлама

Загрузка...

Номер патента: 635040

Опубликовано: 30.11.1978

Авторы: Марахтанова, Типаева

МПК: C01B 25/26

Метки: переработки, фосфорного, шлама

...90 - 9970 12. 25Однако указан ый способ;имеет неполное окисле: ,:с фо:фора, а также зы:скую тех пер атуру обработки.Целью изобретения яв,яется:товышетце сто:сии окисге;я фосфора, а также ЗС опрощение способа засчет стцжения тех- пер апрел ь: 1 тоцессаЭто дост ггается х:сьвзаемыв способом г евера =-тч с п 1" 1 оо ш зама г тем обработки его скц;лцтелем з водном раствоГ 3 е с ол.слез:см фосфора до фосфат-идна, пд котсрсмс:а сбоаботю подаОт Рппохлорцт кальция з колчестзеобеспечивающем е о сооп:-:опе е с )осфсро 61 (2 - ч): 1 ц Обсзбопл зед,т ппц температуре 15 - 30 С,Способоззс,.яет повысить сте:течь окисления босфора до 100,.П р:е з . 100 пь; шлама, содержа"его 0.5 8 з. , элеме:тавного фосфора и 50 лчастзсра гцпохлорцта кальция, содсржа"с ....

Устройство для мойки микроминиатюрных деталей

Загрузка...

Номер патента: 576623

Опубликовано: 15.10.1977

Авторы: Денисова, Седых, Сидоров, Тикунова, Типаева

МПК: H01L 21/00

Метки: микроминиатюрных, мойки

...стенках сосуда, в котором размещены отмываемые детали 5, выполнены капиллярные от верстия 6. Размеры отверстий недостаточныдля свободного прохождения через них моющего раствора. Стенка 7 сосуда примыкает к плоскости стенки 8 ванны 3, перпендикулярной направлению действия вибрации.0 До включения вибратора моющий растворне натекает через стенку 7, поскольку отверстия в ней малы и она выполнена из материала, не смачиваемого моющим раствором, например фторопласта.5 При включении вибратора стенка 7 сосуда2 и стенка 8 ванны 3, расположенныс в исходном состоянии в непосредственной близости друг от друга, расходятся, образуя зазор б, и затем сходятся, как бы захлопывая этот за зор. При этом моющий раствор в зазоре оказывается под большим...