Патенты с меткой «виртуальной»

Номер патента: 955076

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Заблоцкий, Цесин

МПК: G06F 13/06

Метки: виртуальной, памятью

...6 местного управления, блоки 7 памяти страниц, 955076генератор 8 расстановки, блок 9 управлениязамещением, блок 10 коррекции, вход 11адреса оперативной памяти, вход 12 заданиярежима, синхровход 13, вход 14 заданиякода операции устройства, входы 15 - 23блока 6 местного управления, выходы 24 - 29блока 6 местного управления, вход 30 устройства, выход 31 блока входных регистров,выход 32 сигнала прерывания и информационный выход 33.Блок 1 входных регистров (фиг. 2) содер ожит регистр. логического адреса 34, вычитатель 35, группу 36 элементов И, выходы37 - 39 регистра 34 логического адреса, выходы 40 - 42 управляющего регистра 3.Блок 7 памяти страниц (фиг. 3) содержитгруппы 4352 элементов памяти, регист 15ры 53 и 54, дешифратор 55, элементы И...

Номер патента: 1023336

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Заблоцкий, Лопато, Пыхтин, Цесин

МПК: G06F 13/06

Метки: виртуальной, памятью

...открывает элемент И 147 блока 8, по сигналу с выхода 40 о которого производится запись логическогонуля в группы элементон памяти 60,61, бб и 67 блоков 9, а по сигналус выхода 434 элемента ИЛИ 179 блока 8 производится запись логическогонуля в группу элементов памяти 109блока 14. Сигнал с выхода 400 блока8 через элементы ИЛИ 194, 200 и 201узла управления занесением 78 каждого из блоков 9 поступает на управляющие входы групп элементов памяти 4060,61,66 и 67.Такие же действйявыполняютсядля каждой из и +1 ) строк группэлементов памяти блоков 9 и 14.К группам элементов памяти 66 и 67блоков 9 и к группе элементов памяти 109 блока 14, имеющим и -1 ) строк,обращение производится четыре разапо одному и тому же адресу,Во время выполнения...

Номер патента: 1094758

Опубликовано: 30.05.1984

Автор: Вернидуб

МПК: B43L 11/00

Метки: виртуальной, воспроизведения, крамера, механизм, параболы

...1 изображен предлагаемыймеханизм, вид сверху; на фиг, 2 и 3 - 50кинематические схемы механизма длявоспроизведения семейства виртуальных парабол, в том числе и виртуальной параболы Крамера; на фиг. 4 и 5 кинематические схеА механизма длявоспроизведения кривых 4-го порядкатипакулачок".Кулиса 1, кривошипы 2 и 3 установлены на основавии посредством пере винтами 12. Переставные шарниры 0,10 и О в прорезиоснования жесткозакреплены гайками в барашка 13.Механизм работает следующим образом,При вращении кулисы 1 вокруг шарнира 0 кривошипы 2 и 3 вращаютсясоответственно вокруг шарниров 0 и0 (фиг. 1). При этом геометрическиеноси шарниров Ал и А опишут окружнос.ти с 11 и . Траверса б и шатун 8 перемещаютсн плоскопараллельно, а пишущий штифт,...

Номер патента: 1327113

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Борисов, Горелов, Токарев, Чикало

МПК: G06F 12/08

Метки: виртуальной, памятью

...группу 166 элементов И и коммутатор 167.Компаратор 139 (фиг.6) содержитэлемент ИЛИ-НЕ 168 и в каждом разряде элемент ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 169,Узел 149 приоритета (фиг. 12) бло"ка 9 управления замещением содержитэлементы И 170 и элементы ИЛИ 171.Формирователи 161 и 162 (фиг. 4)содержат элементы ИЛИ 172 (предполагается, что устройство содержит дваблока памяти страниц),Блок 6 местного управления (фиг.7)содержит второй - седьмой 173 - 178,тринадцатый - пятнадцатый 179 - 181,восьмой - двенадцатый 182 - 186 ипервый 187 элементы И и шестой 88,пятый 189, первый - четвертый 190 -193 элементы ИПИ и триггеры 94 и 195.Устройство для управления вир.туальной памятью работает следующимобразом.Режимы работы устройства определяются путем возбуждения...

Номер патента: 1827698

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Вето, Костюков, Кузнецов, Пугачев, Шилин

МПК: H01L 27/148

Метки: виртуальной, зарядовой, прибор, связью, фазой

...импульса Оф он+ поступает на и -Обласи 7 и через узкий пол 1827698ностью обедненный р-слой электрическое поле проникает в зоны канала 2, 3 и потенциал там повышается. Максимальный потенциал в глубине области 2 становится выше потенциала пл-области предыдущего элемента ПЗС, потенциальный барьер устрэняется и зарядовый пакет предыдущего элемента ПЗС передается в пг-область 3 данного элемента, имеющую наибольший потенциал, Зарядовый пакет данного элемента в это же время из пл-области 5 перетекает в пг-область следующего элемента, После окончания импульса уровень понижается до 0 и заряд из пг-области 3 перетекает в п 4-область 5.П редлагае алый ПЗ С изготавливается следующим образом.Подложка - кремний КВс концентрацией в ИА 1 = 3,510...

Номер патента: 1757400

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Карасев, Скрылев, Фрост

МПК: H01L 21/82

Метки: виртуальной, зарядовой, прибора, связью, фазой

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРИБОРА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ С ВИРТУАЛЬНОЙ ФАЗОЙ, включающий создание ионным легированием стоп-каналов, формирующих каналы переноса, скрытого канала и областей виртуальной фазы, нанесение подзатворного диэлектрика, проводящего слоя, формирование в проводящем слое тактовых электродов, формирование виртуального затвора, вскрытие контактных окон и создание металлизированной разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и упрощения технологического процесса за счет сокращения числа операций фотолитографии и ионного легирования, при создании стоп-каналов, формирующих каналы переноса, одновременно создают стоп-каналы, формирующие скрытый канал со встроенным потенциалом, а при формировании тактовых...

Номер патента: 1782139

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Крымко, Манагаров, Марков

МПК: H01L 21/265

Метки: виртуальной, заряда, областью, переносом, прибора, фазы

Способ изготовления прибора с переносом заряда с областью виртуальной фазы, включающий операции окисления и ионного легирования для создания ступенчатого профиля легирования подложки, нанесения проводящих слоев, фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения воспроизводимости процессов легирования, после нанесения первого проводящего слоя ионное легирование примесью противоположного подложке типа проводимости осуществляют в три стадии, последовательно вскрывая в проводящем слое окна, равные размеру каждой ступеньки профиля легирования в виртуальной области, начиная с максимального легирования, после чего наносят второй проводящий слой, контактирующий с первым, вскрывают его над областью виртуальной...

Номер патента: 1840165

Опубликовано: 10.07.2006

Авторы: Крымко, Манагаров, Марков

МПК: H01L 29/78

Метки: виртуальной, заряда, переносом, прибор, фазой

Прибор с переносом заряда с виртуальной фазой по авт. св. СССР № 1840250, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности путем обеспечения реверсивного режима работы и одновременного смещения центра накопления в каждой ячейке, одна из областей тактового электрода разделена пополам и ее части размещены по разные стороны от другой области, а область виртуальной фазы имеет выступы, причем профиль ее легирования соответствует профилю легирования примыкающей части тактового электрода, все части которого имеют соответствующие проводящие шины.

Номер патента: 1840250

Опубликовано: 10.07.2006

Авторы: Крымко, Кузнецов, Манагаров, Марков

МПК: H01L 29/78

Метки: виртуальной, заряда, переносом, прибор, фазой

Прибор с переносом заряда с виртуальной фазой, включающий тактовый электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения отношения сигнал/шум и улучшения передаточной характеристики за счет повышения устойчивости к перекрестным оптическим помехам, тактовый электрод выполнен из двух материалов - нелегированного полупроводника и непрозрачного проводника, причем материалы тактового электрода имеют электрический контакт по всей его ширине, а величина их перекрытия меньше длины нелегированного полупроводника.

Номер патента: 1840194

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Крымко, Манагаров, Марков

МПК: H01L 29/78

Метки: виртуальной, зарядовой, приборов, связью, фазой

Способ изготовления приборов с зарядовой связью с виртуальной фазой, включающий операции окисления, фотолитрографии, ионного легирования и термического отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности производства при одновременном упрощении процесса изготовления, увеличения степени интеграции и процента выхода годных, после окисления наносят высокоомный поликремний, в котором последовательно вскрываются окна над легируемыми областями, начиная с области с максимальным уровнем легирования, после каждого вскрытия окон проводят ионное легирование, затем проводят одновременный термический отжиг легированных областей, после чего формируют проводящий слой, вскрывают окна над областью виртуальной фазы и легируют примесью...