Патенты с меткой «резисторами»

Номер патента: 423133

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Евдокимов, Институт, Кизим, Огир, Пивен, Пухов

МПК: G06G 7/14

Метки: вычислительной, известно, коэффициент1изобретение, относится, постоянного, постоянный, резисторами, содержащее, сумлиирования, суммирования, технике, умножения, усилители, цепь

...с суммирующими точками усилителей постоянного тока 1 - 5.Устройство работает следующим образом. Машинные переменные (1 ь Оэ, представлен;ные соответственно разрядами Е/, У 1 э, С/1 э и Уэь Уээ, (12 э, поступают на входы устройства: переменная (1, - поразрядно на входные шины 33, 34, 35 матрицы резисторов, Уэ поразрядно - на входные шины 36, 37 и 38 матрицы резисторов.Операция суммирования с одновременным умножением на постоянные коэффициенты,на примере сложения двух трехразрядных переменных с умножением кахкдой на трехразрядный коэффициент без учета переноса выглядит следующим ооразом:где д - проводимость резисторов б - 10 цепиобратной связи; д в ,о, - проводимости резисторов 15 - 32 матрицы.Лналотично для п.го числа...

Номер патента: 550592

Опубликовано: 15.03.1977

Авторы: Мартяшин, Морозов, Путилов, Рябов, Шляндин

МПК: G01R 27/26

Метки: емкостей, измеритель, конденсаторов, резисторами, шунтированных

...а также блок 6 управления, образцовый резистор 7 с сопротивлением Рю, образцовый конденсатор 8 с емкостью Сю объект измерения 9 с емкостью С, и сопротивлением Р,Работа устройства происходит следующим образом.Блок управления синхронизирует работу генератора 1 ключей 4, 5 и вольтметра 3 постоянного тока, при этом с выхода генератора 1 на объект измерения 9 поступает треугольное напряжение с амплитудой Ею и периодом 2 Т,. Причем, когда с выхода снимается линейно-возрастающее напряжениеЕ 2 Ео 1О у, фоключ 4 замкнут, а ключ 5 разомкнут. В установившемся режиме работы с выхода усилителя 2 снимается напряжение, которое с достаточной степенью приближения может быть оценено как у р ЕоСЛо (1 ТоВосо + - .ю.юСю2 ЕюСкйо (1 ВосоЕойо (1 Рос, + 2 ЕойЕ 2...

Номер патента: 1094104

Опубликовано: 23.05.1984

Авторы: Гробовой, Джангиров, Дремина, Зырянов, Надыбин, Талдонов, Халевин

МПК: H02J 3/24

Метки: генератора, резисторами, тормозными

...постоянного тока, выполненный в виде резонансного контура с усилителем, если на валу синхронного генератора установлен тахогенератор переменного тока (в случае применения тахогенератора постоянного то-. ка блок выполняется в виде фильтра высших гармоник с усилителем), инерционно-дифференцирующее звено 24 с передаточной функциейТи = - 1+Тгде Тр - постоянная времени,р - операт р дифференцирования.Блок 25 вычисления отклонения угла, выполненный на интеграторе,блок 26 вычисления функции управления,представляющий собой аналого-вычислительное устройство, блок 27 оценкиинтенсивности возмущения, выполненныйв виде аналого-вычислительного устройства, логическую схему И 28, датчик 29 скорости, в качестве которогоиспользуется тахогенератор...

Номер патента: 897052

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Лизин, Пухов

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, приборов, резисторами

...полезной площади диэлетрика,что уменьшает степень интеграции пассивных элементов, расположенных в Целью изобретения является повышение процента выхода годных приборов.Поставленная цель достигается тем,что по способу изготовления полупроводниковых приборов с резисторами,включающему операции формирования диэлектрического слоя на полупроводниковой подложке с электрическими компонентами, маскирования, получениярезистора путем ионного легирования,вскрытия контактных окон в диэлектрике и формирования межсоединений,операцию получения резистора проводят после вскрытия контактныхокон одновременно с формированиеммежсоединений,На фиг. 1-4 показаны этапы изготовления полупроводниковых приборовс резисторами.После формирования...

Номер патента: 1609399

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 21/8232

Метки: моп-интегральных, поликремниевыми, резисторами, схем

...и разводку. Область поликремниевых резисторов при этом закрытаслоем фоторезиста,Далее известными методами формируют области истоков, стоков и- и р-канальных40 .транзисторов, межслойную изоляци о, омические контакть и алюминиевую разводку,П р и м е р 2. Процесс проводят попримеру 1 до операции вскрытия резистивных участков поликремния резисторов45 включительно.Далее удаляют фотомаску в смеси Ка-ро и формируют фоторезистивную маску.для . формирования электродов затворов имежсоединений. Проводят плазмохимиче 50 ское травление слоев нитрида кремния ипервого слоя поликристаллического кремния, Область поликремниевых резисторовпри этом закрыта слоем фоторезиста. Послеудаления фотомаски создают новую для55 проведения ионной имплантации...

Номер патента: 1575849

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/8232

Метки: моп-интегральных, поликремниевыми, резисторами, схем

...маски из нитрида кремния с окнами на резистивных участках резисторов, Удаляют маску иэ фотореэиста в смеси Каро (смесь серной кислоты и перекиси водорода, Вновь формируют маску из фоторезиста ФПТ.Для экспонирования используют темнопольный шаблон со светлым окном, содержащим темные фигуры поликремниевых резисторов, торцы которых выходят за пределы окон в нитриде кремния, вскрытых на предыдущей операции фотолитографии, Проводят плазмохимическое травление нитрида кремния и поликремния в плазме СГ 4, формируя области резисторов, оставляя нитрид кремния на контактных участках резисторов (фиг,2), Удаляют маску из фоторезиста и формируют фоторезистивную маску для проведения имплантации ионов фосфора в резистивные области...

Номер патента: 1635830

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/336

Метки: моп, поликремниевыми, резисторами

...ТРЯНЗИСЧ ОРД ПРИ 1111111 К 1 аЛа (юацРИЦа затвора) пг) топологии 2 ики рдгцг) 7 ВУ а при Ркислеиии в режиме 860 С, 150 миц вла)аый кислород 2 В.Таким образом, сильное окисление 1 О Необходимо для улучпеция параметров поликремииевых резисторов, однако оцо ухудюает 1 ардистры И 011-транзисторов,Изобретецюе рдзреюГает данное противорепе езозгОжносгью получеюил сильноокислеццых резисторов и сгабокюслеццых илц цсокислецюпгх затворов 11011- транзисторов. Это позопяет гримецять трдцзисторы с дгццоц пиала 3 мки без ухудгпецця падежости схемы и резисто рд с улучеицыгщ зцдгеГилл ТКС, ТКО с термРвреиециой стдбеьцостью и точностью соглдсовдцил соиротивлеций . в делителях.П р ц 1 е р 1. 11 зготовление ште ГРДЭЦЦХ СХЕИ, СОММЕР)гаИХ ПОЛЮКРЕМНИЕ-...

Номер патента: 1630564

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Асессоров, Велигура

МПК: H01L 21/18

Метки: балластными, многоэмиттерных, мощных, резисторами, свч-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ С БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ, включающий создание в многокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эмиттеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эмиттера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик транзисторов, одновременно с созданием резистивных элементов изготавливают тестовый резистор, измеряют его сопротивление, по значению...

Номер патента: 940605

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская

МПК: H01L 21/283

Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...