H01L 31/08 — в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы

Номер патента: 32067

Опубликовано: 30.09.1933

Автор: Лосев

МПК: H01L 31/08

Метки: фотосопротивлений

...мелкий порошок полупроводников, обладающих фотоактивными слоями, может приобрестисвойства фотосопротивления, т,-е, может изменять свое сопротивление под действием света, если его нанести тонким слоем в смеси со связующим веществом (напр., с целлюлоидным или цапоновым лаком) на поверхность какой-либо изолирующей подложки. Такой подложкой может служить, например, фарфоровая трубка, у концов которой помещены металлические электроды, Необходимость применения именно смеси со связующим веществом доказывается тем, что порошок, нанесенный на поверхость той же самой изолирующей подложки без связующего вещества (например, натиранием поверхности порошком), совершенно не дает эффекта фотосопротивления, хотя сопротивление и в этом случае легко...

Номер патента: 39883

Опубликовано: 30.11.1934

Автор: Лосев

МПК: H01L 31/08

Метки: изгоговления, фотосопротивлений

...с глицерином, пиридином или анилином. Далее выяснилось, что приготовленные таким способом фотосопротивления не дают какого-либо заметного изменения сопротивления при освещении, но дают изменение емкости между своими электродами,Далее исследование показало, что применение жидких электролитов для получения эффекта изменения емкости необязательно; этот эффект получался также и прн применении твердых слабо проводящих электролитических веществ. В качестве такого вещества можно было применять, например, жидкое стекло, Смесь. порошка полупроводника с жидким стеклом наносится тонким слоем между электродами фотосопро. тивления на поверхность какого-либо диэлектрика. После определенного, довольно длительного времени сушки смеси порошка...

Номер патента: 61499

Опубликовано: 01.01.1942

Автор: Остроумов

МПК: H01L 31/08

Метки: фотосопротивление

...через посредство окружающего их объемного заряда, мозаика превращается в двухмерное вакуумное фотосопротивление. Это искусственное фотосопротивление, очевидно, будет действовать тем лучше, чем больше будет коэффициент заполнения площади, т. е, чем расстояние между отдельными зернами мозаики будут меньше. Способ очувствления мозаики может быть выбран произвольно и, в частности, можно пользоваться кислородно-цезиевыми фотослоями на серебряных зернах или сурьмяноцезиевы на крупинках угля, сурьмы и других материалах. Внешний вид такого фотосопротивления, фотопроводимость которого обусловливается наличием объемного заряда вследствие внешнего фотоэффекта, показан на фигуре; где А - подложка, Б - подводящие ток электроды; В - световой...

Номер патента: 73715

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Коломиец

МПК: H01L 31/08

Метки: фотосопротивление

...его и атмосфере кислорода при темперауре 150300 ЦПосле Тсмгсратуриой обработки, ця свсточувствитсльцу)о поверхиость иаиослтсл испарением и )акуумс нли катодным распылсиием метал;нческис электр оды расс гояцис)1 зежду ними, соответстве ю исобходи)П 5 м парачетрам фотосопротивлецил. Повсрхиость ф 1) Осо 1 р.)тивлец) я ЗЯШИ 1 ЦЯСТС 51 СТ с 1)ОССРИЫХ ВОЗДСЙСТВИЙ И )Схсп 1 псЕСКИХ ПОВРС)КДС- иий слоем прозра ного лака, бгЯгодаря чему фотосопротивлсиис, длл свосго сохранения, не трсбуег ва- с 11 Я.ФотосоироПвгсцис заключаетсл в эоонитовую или металлическую оправку с окном соответствующего диаметра илн формы,11 с ПрОТИ 1 И)П 051 ОЖцс)й ОК 1)у СГ 1)1)О- ис справки )ы)сдеиы электроды и виде 110 жск, с расстоянием между ними, рассчитацным ца...

Номер патента: 136894

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Нежельская, Цейтлин

МПК: G01B 11/02, H01L 31/08

Метки: датчик, малогабаритный, фотоэлектрический

...возможплость настройки на поле допуска датчика,На чертсже изооражс 112 принципиальная схем 2 датчика.Измерительный стержень 1, установленньш на мембранах 2, черсз рычаг 3 ша 1 рн 11 рно соединен с уголковой подвсской 4, которая со 1 леиена с витой бронзовой лснтои-пружиной 5, несущей зеркало 6, мсняюпце С 1 рслку прибора.Из осветителя, состоящего из малог 202 ритной лампы 7, конденсатора 8, щслевои д 112 фрагмы 9 и Ооъсктпва 10 пучок сета падает на зеркало 6 и отражается световым зайчиком на отсчстную шкалу 11 и ДВ 2 кольцеВ 1 х зсркала 12 и 13, центр кривизны которых совп 11 дает с Ос 10 поВоротного зепкала 6. 32 счет пООора углоВой подВсск 11 и ленты-пружины можно измснять в широких пределах передаточнос отношение...

Номер патента: 168370

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Галаванов, Златкин

МПК: H01L 21/06, H01L 31/0296, H01L 31/08 ...

Метки: вентильный, фотоэлемент

...подло;кку 1 нанесена основа фотоэлемента 2 - соединение Ад.Те с избытком серебра. Зто соединение легировано сурьмой, входящей в виде твердого раствора как в серебро, так и в гессит, Полупроводниковый слой 3 и-типа состоит из АдЯ с избытком серы и с примесями теллура и сурьмы, т. е,:Ад,Я + 8 + Те+ ЯЬ.Полупроводниковый слой 4 р-типа состоит из пленки сурьмы толщиной 200 - 250 А, Поверх этого слоя нанесено контактное кольцо б. Чистого теллура в сплаве нет. Он входит в сплав в виде соединения АрТе в его низкотемпературнои модификации (гессит, илпД-АдТе). Оставшееся свооодное серебро остается в сплаве в виде второй фазы,Сурьма входит в виде твердого раствора как5 в серебро, так и в гессит, Благодаря этому атомы сурьмы при...

Номер патента: 175094

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Коган

МПК: H01L 31/08

Метки: бесконтактный, включения, фотосопротивления

...слабых излучений и слабменных световых потоков.О сопротив зменение ровать и стовыми, ийит,д. и примеики для ых перередмет из етени Бесконтактный способ противления в электриче 5 иийся тем, что фотосопр в центре катушки высок в качестве сердечника.включения фотосокую цепь, отличаютивление помещают очастотного контура Подписная группаИзвестные способы включения фотосопротивлений требуют выполнения электрических контактов, что вызывает определенные технические трудности; увеличиваются шумы, возникают нежелательные вторичные явления; кроме того, требуется изготовление конденсаторов специальной конструкции.Предлагаемый способ включения фотосопротивлепия использует вихревые токи. По этому способу фотосопротивление помещают в центре...

Номер патента: 293278

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Голубицкий, Зайденберг

МПК: G08G 5/02, H01L 31/08

Метки: 293278

...содержит рабочий фотоириемиик 1 Например, фотодиод, фототриод или фотосоцротивлеиие), резистор 2, дроссель д, источиик дели гель) 4 опорного цИряжеш 1 л и вситильиый элемент 5. Г 1 араллельио резистору может быть цодключец термокомпсцсирующий фотоирцемиик 6.Фотодатчик работает следующим образом.Резистор имеет вели 1 ицу, обеспечивающую начальное зцачсицс выходиого Напряжения мциималь 110 м тосе фотоп 1 зисмццк (миИИ М ЯЛЬЦОМ СВС Гдпд М ПОТОКЕ И МИН ц М 1 Л Ь 1 011 тсмпсратуре). Зто же Начальное зцачешс сццмастся с делителя опорцоо цацрлжения, поэтому при минимальном фототоке через вецтиль и дроссель ток не протекает, Чедлсииые цзмсиеция фототокя комиеиспруются иолвлеиием тока через всигиль и дросссль; ток через...

Номер патента: 331428

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Иванцов, Краснодарский, Мартыненко, Якубов

МПК: G01R 17/20, H01L 31/08

Метки: amp, i)gt, jsiu4, бесконтактный, реохордi, •gt, ••ij

...5 резистивиого элемента и токопроводящую ши)ГУ.1-1 а чертеже схематически изобракенапредлагаемая конструкш 151 Оесконтактпого реохорда.ГГ) Г 1 а пластине 1 из изоляционного пластикатем или иным способом нанесены зигзагообразный контур резистивного элемента 2 и две токопроводящие шины Л, расположенные вдоль длинных боковых сторон резистивного )5 элемента таким Обрязол, 1 то 31 сжду кряйни".ГП тоГкя 11 резистивного элемента и кяждОЙ токопроводящей шиной имеется некоторый зазор. 11 а концы резистивного элемента со стороны токопроводящих шин и на сами шины нанесены дВе дороткки 4 (по ОднОЙ с кяждОЙ боковой стороны резистивного элемента) из полупроводникового материала, чувствительного Гс свету, При это 1 аждая из полупроВодпикОВых...

Номер патента: 337855

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Клепикова, Российский

МПК: H01L 31/08

Метки: качества, керамики

...приемником прошедшего через изделие светового потока.Для обеспечения возможности сортировки керамики на грунины по степени обжига по предлагаемому способу изделие подвергают просвечиванию двумя, последовательными монохром атическими световыми импульсами различной длины волны и регистрируют интенсивность преломленных световых потоков.Сущность предлагаемого способа заключается в следующем,При прохождении луча света через керамику он претерпевает ослабление за счет поглощения и рассеивания, зависящее в основном от коцентрации рассеивающих частиц и от отношения диаметра этих частиц (в первую очередь, пор) к длине волны;падающего света. Причем световые лучи с меньшей длиной волны претерпевают большее ослабление в образцах с...

Номер патента: 384145

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вайткус, Жиндули, Коненков

МПК: H01L 31/08

Метки: прецизионный, фотопотенциометр

...темновых сопротивлений фотослоя.Целью изобретения является уменьшение влияния изменения темнового сопротивления фотослоя на выходное напряжение.Указанная цель достигается тем, что на ди= электрическую подложку нанесена дополни- тЕЛЬНаЯ РЕЗИСтИВНаЯ ПЛЕНКа, КОНтаКтИРУошанл одновременно с резистором и коллектором по всей их длине,Сущность изобретения поясняется чертежом, где1 - диэлектрическая подложка; 2 - резистор; 8 - фотослор; 4 - коллектор; 5 - дополнительная резиспьпая высокоомная пленка.Расчеты локазывают, что пр изменениитем новых сопротивлений фотослоя Рф (при отсутствпи высокоомного шунта) на, 20% выходное напряжение поте циометра изменяется0,1 % .При наличии шунта уже изменение эквива.тентното еопротпатенпн Яа= - натнШтнф...

Номер патента: 395930

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Сметании

МПК: H01L 31/08

Метки: ilwllrl, l-(+, tlvinifriific, всесоюзная, ла

...напряжение на фотодиоде поддерживается постоянным и равным сумме высокостабпльного напряжения источника 5 опорного напряжения плюс напряжение исток - затвор полевого транзистора 8.Регулируемое стабилизированное напряжение источника 6 компенсации обеспечивает нулевой начальный уровснь выходного сигна ла при отсутствии засветки фотодиода. Напряжение компенсации слагается из напряжения на фотодиоде 1 и падения напряжения на резисторе 2 за счет темнового тока фотодиода.Резистор 9 служит для выбора рабочей точки 15 регулирующего транзистора 8.При увеличении (уменьшении) фототокаувеличивается (уменьшается) падение напряжения на резисторе 2 и плюсовое смещение напряжения на затворе транзистора 8 относи тельно его истока. Вследствие...

Номер патента: 365736

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Свечников, Синицын

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор

...спектральной чувствительности и снижение светового сопротивления фоторезистора. Это достигается тем, что в предлагаемом фоторезисторс между подложкой и слоем фотопроводника расположен проводящий с,пой, выполненный в виде двух взаимоизолированных и электрически соединенных с растровыми электродами слоев.Растровые электроды могут быть выполнены из прозрачного материала,На чертеже показан описываемый фоторсзистор, разрез и вид сверху.Фоторезистор состоит из подложки 1, фото- слоя 2, контактирующего с одной стороны с растровыми электродами 3, с с другой - с плоскими электродами 4, разделенными небольтцосится к области элскгрошим зазором. Электроды 5 и 4,цые на противоположных сторон соединены попарно (верхний с ц Таким образом,...

Номер патента: 416768

Опубликовано: 25.02.1974

МПК: H01L 31/08

Метки: 416768

...изображен функциональный фо-" 25 тор ези стор, общий вид.Функциональный фоторезистор состоит из слоя фотопроводящего материала 1, например Сс 15 или СаЯе, расположенного на диэлектрической подложке 2. На слое фотопроводящего 30 материала 1 расположены низкоомные электроды 3, 4 и 5, причем электрод 5 параллелен электроду 4, Расстояние между электродами 3 4 переменно и определяется в соответствии с заданным законом изменения выходного напряжения. Расстояние между электродами 4 и 5 определяется требуемой величиной тока нагрузки.Управление функциональным фоторезистором осуществляется с помощью светового зонда б, который при движении вдоль прибора перекрывает все три электрода (направление движения светового зонда указано стрелкоц),Ток от...

Номер патента: 421014

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Андреев, Васев

МПК: G06G 9/00, H01L 31/08

Метки: фотопотенциометр, функциональный

...коллектор, расположенный в соответствии с заданным функциональным законом непосредственно на фотослое между основными токосъемными коллекторами.Это позволяет расширить область применения фотоцотенциометра.На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.Устройство содержит щелевую диафргму 1, источник света 2 фотослой 3, основные 4, 5 и дополнительные 6 токосъемные коллекторы.Устройство работает следующим образом.Засвеченные световым зондом, образованным источником света 2 при помощи щелевой диафрагмы 1, участки фотослоя 3 между токо- съемными коллекторами 4, 6, и 6, 5 образуют проводящие участки - резистивные элементы. Сопротивление их при постоянных ширине и яркости светового зонда зависит от длины проводящего участка. т....

Номер патента: 434488

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Бойко, Малютенко, Тесленко

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор

...сила Лоренца Р=е 1 Е Х О (где О - напряженность магнитного поля, и - подвижность носителей, Е - напряженность электри. ческого поля), вызывающая в зависимости ог знака поля Е при фиксированной напряженности магнитного поля либо отклонение эгпх но. сителей к задней грани с большой скоростью поверхностной рекомбинации, либо повышен. цую концентрацию их у освещеной грани: малой скоростью поверхностной рекомбьн. ции.Если под действием силы,1 оре;ща цосцтел:; дрейфуют к грани с большой скоростью по.434488 чувствительных чистых полупроводников без намеренного легировация с одновременным сохрацецием большой скорости рассасывация неравновесных носителей заряда, свойственцой примесцым полупроводникам; расширяются функциональные возможности...

Номер патента: 516321

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Борщевский, Лебедев, Мальцева, Овезов, Руд, Ундалов

МПК: H01L 31/08

Метки: фотоприемник

...Благодаря особенностям зонной структуры оптически анизотропного кристалла, имеющего одну оптическую ось (или две) и, следовательно, так называемое кри. сталлическое расщепление валентной зоны,и в соответствии с правилами отбора оптических переходов, величина возникающей на контактах фото. Э,д.с. соответствует углу р между электрическим вектором Е электромагнитной волны (излучения) и на516321 О Составитель Ю. МухортовТехред Н. Андрейчук Корректор Т. Чаброва Редактор Н. Коляда Заказ 5577/299 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4 правлением оптической оси С кристалла,...

Номер патента: 489449

Опубликовано: 25.12.1976

Авторы: Коломиец, Любин, Шило

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезисты

...СССР по це:,аги изоорстсиии01 кпгвтий 113 О 35, Москва, Ж 35, Раугнскан нао., и. 4/5Фи 1 гиа:г 1 ПП "П тсггг". г Ужгооо., и . Пооектнав,4 ным) имеют различную скорость растворения облу. ченных и необлученных участков в специальных растворителях, изготовленных на основе аминов и других органических веществ, в) обладают весьма высокой разрешающей способностью записанных оптических изображений (до г. - 8 тьгслинггмм), могут быть удалены с подложки путем промывки в концентрированном щелочном растворе, д) обладают хорошими диэлектрическими свойствами (удельное сопротивление 1 -- О - 10 Ом см), е) имеют малую толщину (0,1 - ",0 мкм) .Пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников могут быть и:готовлены многиьпг способами путем...

Номер патента: 448821

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Именков, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/08

Метки: полупроводниковый, фотоэлемент

...зоны. И этом случае свет эффективно поглощаетгя вблизи перехода (свет с энергией фотонов Ь 4, близкой к ширине запретнойзоны в области р - и - перехода) и практически не поглощается вблизи поверхности, И результате почти все неосновные носители способны достичь Р -и. -перехода и создать фототок.Таким образом достигаетсч высокая фото- чувствительностьпреобразователя для света с энергией фотонов О= Мо =Е. Свет имеющий энергию фотонов, отличную от Орпогдощается вдали от р - п -перехода и практически не участвует в создании фото- тока. Таким образом достигается высокая спектральная избирательность преобразователя.На фиг, 1 схематически изображен предлагаемый фотоэлемент; на фиг. 2 графики, поясняющие работу фотоэлемента (а - зависимость...

Номер патента: 574788

Опубликовано: 30.09.1977

Авторы: Алиев, Мехтиев, Рустамов, Сафаров

МПК: H01L 31/08

Метки: материал, фоточувствительный

...сплавления исходных элементов, взятых в следующих соотношениях: 99,9 - 97,0 мол. о/о Саде, 0,1 - 3,0 мол. /о УЬ 2 ее (ба 0,4676 - 0,4182 г, тЬ 0,0023 - 0,0642 г се 0,5300 - 0,5176 г) при оптимальном варианте 99,1 мол, /, Стасе+0,9 мол. /о УЬ 25 ео (Са - 0,4527 г, тЬ - 0,0204 г, 5 е - 0,5268 г для получения одного грамма материала) в эвакуированных кварцевых ампулах (до 10 -мм рт. ст. при 980 в 10 С в течение 3 час, с последующей гомогенизацией при 750 С в течение 2 час. Монокристаллы сплавов указанных составов выращивают методом Бриджмена. Температурный градиент Т(980 С) Т,(840 С) со скоростью движения ампулы 3,5 - 4,0 мм/в час.Изготавливают несколько образцов фоточувствительного материала составаСаде- х+тЬ 25 ез лпр и Х = О, 001 -...

Номер патента: 642799

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Мехтиев, Рустамов, Садыхова, Сафаров

МПК: H01L 31/08

Метки: материал, фоторезисторов

...П р и м е р. Предлагаемый материал получают сплавленном исходных компонентов (лигатуры СЙЬе и кристаллического йода), взятых в стехиометричйских соотношениях в вакуумированных до 10 мм рт.ст. кварцевых ампулах при 1250 оС в течение 2 ч с последующей ,выдержкой при 300"С в течение 5 ч.Тонкие слои для оптических измерений приготавливают путем холодного прессования под давлением 100 т/смд. Об6,4 для Сд Ь ф 1 0 мкА нет даНаи ства и 98,658 рмула изобрете альной ма- ненты раэцы в виде таблеток отжигают при,200 С в течение 1 нед, после чегошлиФуют уо толщины 1 мм и полируют.1 Приготовленные таким образом образцы (пп. 3, 4, 5, 6 таблицы) подвергают оптическим измерениям, результаты которых в сопоставлении с Сдбе и прототипом приводятся в таблице...

Номер патента: 652629

Опубликовано: 15.03.1979

Авторы: Герд, Ханц, Эдуард

МПК: H01L 31/08

Метки: полупроводниковый, прибор, фотоэлектрический

...ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4бомбардировки. Для изготовления инжектирующего контакта проводят поверхностную диффузию неглубокого донорного материала например, фосфора, с высокой концентрацией -102 смз или используют ионное внедрение.Расстояние между электродами выбирают таким, что при заданном рабочем напряжении (амплитуде импульса) время дрейфа носителей между контактами было бы меньше или сравнимо со временем диэлектрической релаксации и временем захвата в этих центрах.Запирающийся контакт может быть, например, емкостным на тонком изоляционном слое. Путем приложения отрицательного импульса напряжения в объем такого элемента инжектируются электроны, причем через время порядка 1 мкс инжектированные заряды почти полностью...

Номер патента: 657478

Опубликовано: 15.04.1979

Авторы: Алиджанов, Ализаде, Гуршумов, Кулиев, Рустамов

МПК: H01L 31/08

Метки: материал, олова, основе, селенида, фоточувствительный

...материалам на основе селенида олова, которые используются приизготовлении видиконов в электровакуумной прожшленности,Известен Фоточувствительный материал, работающий в инфракрасной области спектра, представляющий собойселенид олова (11 .Недостатком известного Фоточувствительного материала является егонизкая фоточувствительность.При 20 С отношение В /В : 1,02,Целью изобретения является повышение фоточувствительности материала,Поставленная цель достигается тем,что в состав указанного фоточувствительного материала дополнительно введен селенид таллия и полученный состав соответствует формуле дый раствор на основе ЯпЯе системы ЯпБе-Т 1 Бе получают сплавлением исходных компонентов в соответствующих количествах в эвакуированных...

Номер патента: 674588

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Годик, Дементиенко, Синис

МПК: H01L 31/08

Метки: фотоприемник

...контакты 4, Цилиндр 1состоит из нескольких секторон, электрически изолированных друг от другас помошью диэлектрических прокладок5. На чертеже показан оптимальныйвариант конструкции фотоприемника,в котором поперечные сечения цилиндра 1 и выступон 3 имеют форму круга. Наояду с этим, предложенныйфотоприемник может быть выполнен ввиде фигур более сложной формы с цилиндрической симметрией. Например,поперечные сечения цилиндра 1 ивыступов 3 могут иметь форму квадрата, шестиугольника и т.п.ПредложеннЫй фотоприемник работа- Щет следуюшим образом.Для измерения интегральной интенсивности излучения измеряемогоучастка нитенидного источника всетоковедушие контакты, расположенныена боконой поверхности одного ныступа цилиндра 1, соединяют вместе...

Номер патента: 723697

Опубликовано: 25.03.1980

Авторы: Алиджанов, Ализаде, Ахмедов, Гуршумов, Заманов, Кулиев, Оганов

МПК: H01L 31/08

Метки: материал, фоточувствительный

...Т 1 е 5 е и его состав соответствует формуле(ЯпЯе) 1-х (Т 1 Йе)х,где Х = 0,005 - 0,02.При,чер. Твердые растворы на основеЯп 8 е в системе Яп 8 е - Т 15 е получают сплавлением исходных компонентов в соответствующих количествах в эвакуированных кварцевых ампулах, в однотемпературной вертикальной печи в течение 10 ч с выдержками при 400 С в течение 60 мин, 870 С втечение 60 мин с последующим доведением10 температуры до 950 С. Растворы выдерживают при этой температуре в течение 3 ч,затем медленно охлаждают. Из полученныхслитков по методу Бриджмена со скоростью2 мм/ч выращивают монокристаллы. Полученные образцы однородны и параметры ихстабильны. Состав их соответствует формуле (Ьп 8 е) 1-х (Тйе)х, где х = 0,005 - 0,02(см. таблицу Из...

Номер патента: 819861

Опубликовано: 07.04.1981

Автор: Щербак

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор, функциональный

...проводимость на этой части площади, измеренная между токопроводящими контактами 3 и 4, с точностью до постоянного множителя будет соответствовать численной 2 О величине определенного интеграла с пределами интегрирования, равными значениям аргумента в точках А и О, которые находятся на пересечении края фотопроводящего слоя 7 и подвижного края светового зонда 6 с токопроводящим контактом 4. Подинтегральная функция при определении проводимости будет обратна по величине функции, форма графика которой придана контакту 3, а т. к. подинтегральная функция является производной от выбранной функции регулирования электрическои проводимости, то вн30 результате интегрирования получается перво- образная, равная выбранной, функция регулирования...

Номер патента: 847406

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Антонов, Жураковский, Чакак

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор

...выраженную зависимость от освещенности светового потока.На чертеже схематически изображен предлагаемый Фоторезистор .Фоторезистор.содержит диэлектрическую подложку 1, на которой размещены проводящий слой 2, слой 3 полупроводникового материала, фоторезистивный слой 4 и растровые электроды 5, один из которых электрически соединен с проводящим слоем 2.Фоторезистор работает следующим образом.Световой поток, падая на поверхность Фоторезистивного слоя, вызывает увеличение его электропроводности. Часть светового потока проходит Через полупрозрачный Фоторезистивный слой847406 Формула. изобретения Составитель Ю.ГерасичкинРедактор С,Тимохина Техред А, Ач Корректор Н.Швыдкая Заказ 5512/80 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета...

Номер патента: 890486

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Зыков, Юнда

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор

...электродами 7, которые размещены симметрично собирающим электродам 4 фоточувствительного элемента и электрически соединены с ними выводами 8. Кор890486 Формула изобретения Составитель Ю. Герасичкнн Редактор М. Дылын Техред А. Бойкас Корректор А. Ференц Заказ 11017/83 Тираж 787 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 43пус 1 снабжен изоляторами 9, внутри которых размещены тоководы 1 О. В корпусе 1 выполнено окно 11 для пропускания потока излучения.Работа фоторезистора осуществляется следуюшим образом.Поток регистрируемого излучения, обозначенного на чертеже стрелкой, проходит в окно 1 в корпусе 1, попадает...

Номер патента: 911657

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Бондарь, Глосковская, Лыскович

МПК: H01L 31/08

Метки: анализатор, фотоэлектрический

...Су имеетструктуру, образованную тройнымислоями-сендвичами З-И-Л,5которые периодически повторяются.Внутри слоя действует ионно-ковалентные силы, а между слоями - силыВандер-Ваальса, Это создает слоистуюструктуру с базистой плоскостью ф(плоскостье скола) вдоль сендвичей,Ось С кристалла ориентирована перпендикулярно к базистой плоскости.Максимум спектральной чувствитель. ноСти кристаллов типа Дф В" нахо- фдится в ультрафиолетовой областиспектра: для СЮ" это область 300400 нм, а для СЙВг - область 260350 нм. Кристаллы СсЦ 2 и ЯВгфоточувствительны также и в инфракрас- Звной области спектра 500-1300 нм.При определенной ориентации кристалла, а именно когда направлениевозбуждающего света перпендикулярно оси С кристалла, величина фотото- ззка...

Номер патента: 987713

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Котельников, Мордовец, Шульман

МПК: H01L 31/08

Метки: излучения, мощности, электромагнитного

...для измеряемого излучения.физические процессы, лежащие в основе предлагаемого способа измерениямощности электромагнитного излученияи устройствадля его осуществления, 50можно описать следующим образом.В полупроводнике вблизи границыс металлом образуется потенциальныйбарьер Шоттки, что приводит к образованию обедненного носителями слоя и 55смещению границы электронного газавглубь от поверхности полупроводника.Длина обедненного слоя, т.е. толщинапотенциального. барьера Шоттки, опре"деляет вероятность туннелированияэлектронов через барьер Шоттки, аследовательно, сопротивление туннель"ного контакта металл-полупроводник.Пусть на туннельный контакт металлполупроводник падает электромагнитноеу 5 излучение перпендикулярно границе раздела...