Патенты с меткой «магнитотранзистор»

Номер патента: 1702458

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Йордан, Смирнов

МПК: H01L 29/82

Метки: биполярный, латеральный, магнитотранзистор

...сформирована вторая инжекторная область второ О типа проводимости, расположенная с противоположной стороны от первой контактной базовой области на расстоянии большем, чем расстояние между первой контактной базовой областью и первой инжекторной областью.На чертеже приведен биполярный латеральный магни готранзистор, поперечный разрез, со схемой его внешнего соединения.Биполярный латеральный магнитотранзистор состоит иэ полупроводниковой пластины 1 первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно расположенные на расстоянии один О 1 другого первая контактная базовая область 2 первого типа проводимости, инжекторная область 3 Второго типа проводимости, коллекторная область 4 второго типа...

Номер патента: 1797416

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Викулин, Викулина, Глауберман, Мальцев, Прохоров

МПК: H01L 29/82

Метки: магнитотранзистор

...7 уменьшается. Эта приводит к росту падения напряжения на резисторе 10 и уменьшенио нзрезисторе 12, т. е. к возникновению разности потенциалов 01 между коллекторами 6 -7, которая увеличивается с ростом 81. Приэтом токи коллекторов 7-8 изменяются оди"наково и разность потенциалов между ними02 = О. Точно таким же образом возникаетразность потенциалов 02 между коллекторами 7 - 8 при возникновении внешнего магнитного поля с индукцией В 2. Соответственно, при В 1 = 0 поле В 2 одинаково меняет. составляющей магнитного поля В 1, а 02между коллекторами 7 - 8 - функцией В 2, чтои позволяет иэмерять взаимно перпендикулярные составляющие магнитного поля 81 и10 ВОпытные образцы магнитотранзисторов изготавливались иэ и-германия удельным...