Патенты с меткой «высокоомных»

Номер патента: 26753

Опубликовано: 30.06.1932

Автор: Катунский

МПК: H01C 17/16

Метки: высокоомных, образованных, платины, слоем, сопротивлений, тонким, электрических

...электрического тока не достигнет желательной величины. По достижении последней процесс подогрева прекращают и удаляют с поверхности остатки не восстановленной солиСогласно этому способу на концах фарфоровой трубки наносится довольно толстый слой платины, являющийся контактным, После осаждения этого слоя фарфоровая трубка подвергается нагреванию до определенной температуры., и затем (в горячем виде) на мгновение погружается в платиновый раствор очень слабой концентрации. При этом проис. ходит мгновенное высыхание приставшего к трубке слоя раствора. После этого фарфоровую трубку помещают в особую печь и ее концы, где уженанесен кон тактный слой, включают в цепь постоянного тока (более высокого напряжения, чем то, при котором...

Номер патента: 44593

Опубликовано: 31.10.1935

Автор: Мартьянов

МПК: H01C 17/08

Метки: высокоомных, сопротивлений

...12 закрывают, а заслонку 8 открывают и через всю трубу пропускают инертный газ для вытеснения из нее воздуха. За это время изоляционные тела в держателе 11 нагреваются до требуемой температуры, Быстро открыв заслонку 12, держатель толкачом 14 продвигают в охлаждаемую реакционную камеру Б и закрывают заслонку 8. Одновременно через патрубок 1 впускают реакционный газ, избыток которого уходит в атмосферу через патрубок 7. Для равномерности покрытия вставную часть 4 вращают посредством рукоятки 2, По окончании осаждения пропускают через холодильник 6 воду для охлаждения получен. ных сопротивлений. В это время заряжают второй держатель и помещают его поцобно вышеописанному в нагревательную камеру А, Держатель с готовыми сопротивлениями...

Номер патента: 48698

Опубликовано: 31.08.1936

Автор: Хиж

МПК: H01C 17/00

Метки: высокоомных, сопротивлений

...являются не попросту механическими ингредиентами, а вступают с собой в химическое взаимодействие, примерно по следующей формуле:281+2 ИаОН+ЗН,О- Ма,й О,+4 Н,А. Хижа, заявленному 8 янверв.12176).убликоваио 31 августа 1936 года.Ф 1+2 йаОН+ Н,О -ъ Иа,10 а+2 Н,ибо жидкое стекло, являясь солью слабой кислоты и сильного основания, дает щелочный раствор из-за гидроксильных ионов и имеет легко диссоциирующий щелочный катион. Можно былобы опасаться, что подобная масса из ферросилиция и жидкого стекла даст пасту, обладающую значительной ионн 1 й проводимостью, В этом случае, при наличии в жидком стекле вышеуказанного легко диссоциирующего щелочного катиона, можно было бы ожидать быстрого электролитического разложения пасты с вы. делением на...

Номер патента: 98004

Опубликовано: 01.01.1954

Автор: Гальперин

МПК: H01C 17/06

Метки: высокоомных, лакопленочных, сопротивлений, устойчивых

...ЕО)1 пснсацп 10 От)ицател;ного тсшц ратурного коэф(р ьциента сопротивления дцсперсного проводника те 1 ЕТОВым р(сииренисз Пленеи ооуслп)- лив1 ощпм тем большее увеличение сопротивления, чем менее сжаты частицы проводника.Возможность дополнительной термической ооработки пленочцого сопротцвлен)гя после нормально устацовлснного срока полимеризации позволяет регулировать в широких пределах Изменяя в песеольео 1)31 В(личину соп 1)01 пвлсния. Этим не только может быть устранен неизбежный в производстве разброс величины сопротивления, цо и искл)очсна в нек;торых случаях необходимость в спиральной нарезке, гак средстве подгоцкц величины сопротивления.Тер)1 И 1 еская подгонка даст гозмож - ность также тонко управлять величиной температурного...

Номер патента: 115380

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Лен

МПК: H01C 17/08

Метки: вакууме, возгонкой, высокоомных, сопротивлений, тонкослойных

...общее испарение ведут комбинированным способом. Сначала жа ростойкий металл с добавкой более легко испаряющегося мегчлла нагревают до температуры, осеспечивающей возгонку только легко испаряющейся добавки, а затем - до115380 Предмет изобретения Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРРедактор Л. П. Ситников Подп. к печ. 23.ЧПг.Тир. 2050 Цена 25 коп. Информационно-издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак. 2592 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14более высокой температуры, прь которой происходит испарение оставшейся части сплава. Затем, намсенный на основание комбинированный слой прокаливают при температуре около 100, при которой металл промежуточного...

Номер патента: 122514

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Гальперин, Муцянко, Солдатова

МПК: H01C 17/00, H01C 7/00

Метки: высокоомных, непроволочных, сопротивлений

...115 Т) КОПС)В 11 ИИ С ВС С 1) и .5(с 1,11)1.5 СОДСрЖ 11 С 5 С 15 К, 531 1 РИ 30,ИТ К ПСОДИОРОДИОСТИ КОЫПОВИЦИИ И ЛР ИС ИО ЛИПС 11 ОСТИ 13051 - с).) игрОП .",Б) лк срис 1 и к и г Пс)0 ис иог)Вс)13(1 ) (и) )к и с Оогп)ии) с О:5 срж- ИИС) ГСТугИК ИрИЫСС(.11, ТО В;С"СТ Вс 1 СООО:1 ИСЖ(.Гс 1 ТС, П)ИОС 513(ГИС,ПС Т СК)И С р сС р И 0 ГО К 0 ) ф ф И ц И С 3 с С 0 П р О Г И ВГ 1 С И я 13 с 13 я В:1 с 5 13 С Г И С И И С.)П ( . ТСИцпс 1 ГИ)БОГО С)срСрс Д,151 ПСРС.фОДс ВГ 1(Кропо 3 5 сЖ;Ы 01 ДсриИ 1)1.5 И Кр:1- С"1 сГГ 11 К с 511 .ПСГЬ 0 )СТрс 1 И(.ИИ) Кс 13 с 1 ПИК рЫДИОСГС 1 И ОС).СПС"1(.151 130.35,сКИСИО 31)ип(5 И 5 С ДС,11)ПОГО СОПРОГИ 35 сИ И 5 сцЖИ ПРИ СОСР(испив )ЛГс)(5СО)1:1(,)1 Тср1 О Сс)С)С)1)цСИТс 1 С Опр 01 И 105.5 К .ри( ) И(5 К,С. И...

Номер патента: 173828

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Предпри

МПК: H01C 17/08

Метки: высокоомных, пленочных

...вольфрамовых проволок, их нагревателем. ных со в ваку ка, отл О ния авпротив ную пр тенную служащ Подписная группа91 с присоединением заявки М В известном способе изготовления высокоомпых плепочных сопротивлений, основанном на возгонке в вакууме высокоомного сплава и диэлектрика, недостатком является прерывистость процесса получения высокоомного проводящего слоя на подложке.В предлагаемом способе изготовления высокоомных пленочных сопротивлений возгонке подвергаот высокоомную проволоку со стеклянной изоляцией, вплетенную в жгут из гольфрамовых проволок, служащих нагревателем. Это позволяет упростить автоматизацпо изготовления сопротивлений, так как дает возможность осуществить непрерывный процесс получения высокоомного проводящего слоя...

Номер патента: 175122

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Всесоюзный, Радиотехнических

МПК: G01R 27/02

Метки: высокоомных, сопротивлений

...и позволяет использовать заземленныенуль-индикатор и источник питания.На чертеже представлена принципиальнаясхема устройства.При замыкании ключей 1 и 2 емкости С 1 иС заряжаются от источника питания 3. После отключения источника питания оба конденсатора начинают разряжаться через измеряемое сопротивление Р, и сопротивление Р,При размыкании ключа 1 напряжения на емкостях будут меняться в соответствии с их постоянными времени, и если изменением постоянной времени контура ЛС добиться равенства постоянных времени разряда контуров,то нуль-индикатор 4, в качестве которого может быть использован электрометр илц электрометрический усилитель, покажет нуль. Вэтом случае т 5 = Р,.С 5 = т =- ЛС и Р,. = Р == С.,1 СЕмкости С, ц С целесообразно...

Номер патента: 183824

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Всесоюзный, Радиотехнических

МПК: G01R 27/02

Метки: высокоомных, сопротивлений

...устроиства для измерения высокоомных сопротивлений содержат генератор линейно изменяющегося напряжения, к которому подключена дифференцирующая цепочка, образованная конденсатором и измеряемым сопротивлением.Особенность предложенного устройства заключается в том, что к генератору подключена вторая дифференцирующая цепочка, образованная конденсатором и переменным образцовым сопротивлением, проградуированным в значениях измеряемого сопротивления. Между выходами обеих дифференцирующих цепочек включен нуль-индикатор.Это позволяет снизить требования к линейности и стабильности генератора.Для упрощения определения нелинейности измеряемого сопротивления нуль-индикатор подключен к выходу одной из дифференцирующих цепочек через делитель...

Номер патента: 203758

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Всесоюзный, Голуб, Радиотехнических

МПК: H01H 1/60, H01H 15/04

Метки: высокоомных, коммутационное

...ларазитных токов, генерируемых при коммутации изоляторами, на последних в местах соприкосновения их с контактами и корпусом нанесены токопроводящие пленки.На чертеже изображено описываемое устройство.Оно состоит из основания 1 и электрических контактов 2, прикрепленных к основанию с помощью изоляторов 3. На последних в местах соприкосновения их с контактами и основанием нанесены токопроводящие аленки 4. Детали 5 предназначены для коммутации контактов 2, при которой имеет место силовое воздействие контактов на изоляторы 3 и, в свою очередь, изоляторов 3 на основание 1, При этом, ввиду большей или меньшей неровности поверхностей, различные точки изоляторов 3 касаются и отрываются от юнтактов 2 и основания 1. В местах отрыва...

Номер патента: 203766

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Вольф, Пеликанов

МПК: G01R 27/14

Метки: высокоомных, сопротивлений

...к погрешПредложенный способ заключается в что измерение производят дважды при различных значениях напряжения на с тивлении утечки, например на экране ка соединяющего измеряемое сопротивлен входом измерительного прибора, и исти величину сопротивления вычисляют помуле сокою нао изений, 10цовоености.том,двухопробеля,ие соинуюфорпри с 12) и 11.,". Это поз)воляет уменьшить погрешности при дистанционных измерениях.На чертеже изображена схема для реализации предложенного способа.Измеряемое сопротивление 1,подключают кабелями 2 и 3 к измерительному прибору, например тераомметру 4 с входным сопротивлением б, которое является образцовым сопротивлением делителя. Экран 6 кабеля 2 заземлен, а на экран 7 кабеля т подают от источника 8 напряжение,...

Номер патента: 207285

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Котельников

МПК: G01R 17/10

Метки: высокоомных, многопредельный, мост, постоянного, сопротивлений

...простыми средствами, благодаря тому, что в устройстве переключения пределов измерения(одно из плеч моста) между каждым высокоомным сопротивлением, определяющим предел измерения, и одним зажимом магазинапроводимости (другое плечо моста) включены две соединенные последовательно нормально открытые контактные пары, общаяточка которых посредством третьей нормаль. 20но закрытой контактной пары подключена кдругому зажиму магазина проводимости, т, е,каждый предел включается не одной, а тремяконтактными парами и влияние изоляции между разомкнутыми контактными парами устройства переключения пределов измерения навысокоомное сопротивление, определяющеепредел измерения, устраняется.На чертеже представлена принципиальнаясхема моста. 30 При...

Номер патента: 293217

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Дегт, Зафрина, Зеликовский, Кишиневский, Огнев

МПК: G01R 27/00

Метки: высокоомных, делителей, юстировки

...емкостные - только на высоких частотах, а вактивно-емкостных делителях переменного тока компенсация частотной погрешности можетбыть осуществлена в узком диапазоне частот.Целью изобретения является расширениечастотного диапазона измерения с одновременным уменьшением частотной погрешностикоэффициента деления.Это достигается тем, что экран резисторов,составляющих плечи делителя, выполнен подвижным и заземлен. 2На фиг. 1 показана конструкция предлагаемого делителя; на фиг. 2 - схема делителя,принципиальной особенностью которой является эквипотенциальность точек а и б дели 2теля экрану; на фпг. 3 - схема включения делителя при определении частотной погрешности коэффициента деления.Делитель включает изолятор 1, резисторы 2,...

Номер патента: 323806

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гальперин, Солдатова

МПК: H01C 7/06

Метки: высокоомных, композиционных, резисторов

...до минимума количество проводящих компоцецтов, повысив тем самым предельную величину сопротивлеиия. Одновременно благодаря большому коэффициенту расширения композиции создается возчожность использования болеЕ цысокоомцых проводящих компонентов с соотиетствеицо большим отрицательным ТКС (цаиример, слабо црокалеццые сажи), что также 5 с посооствует повышешпо величины сопротивлеиия омозици,11 ебольшое количество мицеральцого иаполцителя может при иеобходимости вводиться для корректировки величииы ТКС.10 Для получешя мелкодисперсцого оргацического 1 аолцителя смолу предварительио из.мельчшот в шаровой мельнице и насыпают тонким слоем 1 - 2 л,я иа противень, который помещают в термостат и выдерживают в тре буемом режиме в зависимости от вида...

Номер патента: 333491

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Липовка, Перчик, Северо, Тюшев

МПК: G01N 27/07

Метки: высокоомных, держатель, образца, электропроводимости

...5, изготовленного, например, в форуме диска, на который методом металлизации,нанесены три электро да: два измерительньтх в виде точек в центрахобеих сторон дениска и один, дополнительный в форме кольца по краю одной из сторон. Диаметр кольца развея диаметру керамической трубки большего размера. Для обеспечения 2 Б контакта кольца с электрической схемой торец и часть боковой поверхности трубки металлизированы, а к боковой поверхности прижат провод измерительной установки. Для того, чтобы образец не смещался в держа. Зо теле, на трубку свободно надета керамическая;5 и(аз 2276 Р 1:л М 4 О 7 иоаж 448 П 11 ЛИРОИ; ЦР 51 ПИ Ко 51 и гс(а и: лсзт 1 изобзс 1 сии и о 1(рыти 1 иои Созстс .Чиииотроз СССР М 1 с(в 11, Ж, Раушска 5 П 1 б., Гь 4,5 0,1...

Номер патента: 349032

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Гин

МПК: H01C 7/06

Метки: высокоомных, материал, резисторов

...Для пол чеццяпротивлеш сос может изменятьс леция увелцчцва 5 уменьшения соцрдержание 510 а. С ется в пределао ен материал д содержащий хр высокоомных резин моноокись кремстатком извест я й разброс вой и высокийопротивления.ю изобретения является улучшения восдимости сопротивлений и снижение коента сопротивления,редмет изобретен 1. Материал для высокоомных резист содержащий ром и моноокись кремния личающийся тем, что, с целью улучшения производимостц сопротивлений и получ 15 малого температурного коэффициента со тпвления, в него введен титан. 2. Материал по п. 1, отличающийся тем исходные компоненты введены в следую соотношения(в вес. %); ром 15 - 40, т 20 15 - 40, моцоокцсь кремния 20 - 60, ро от- восия Цель достигается материал...

Номер патента: 438050

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Блудов, Богаткова, Слягин

МПК: H01C 7/02

Метки: высокоомных, материал, резисторов

...материала введен алюминий.Полученные термической возгонкой в вакууме проводящие покрытия подвергаются термической обработке на воздухе, при этом происходит частичное окисление металлических компонентов материала покрытия.Поскольку удельный вес окисла алюминия больше удельного объема металла, то при окислении алюминия происходит уплотнение покрытия, препятствующее проникновению кислорода и дальнейшему окислению.Спекание проводящего покрытия, содержащего алюминий, при высокой те.птературе происходит без глубокого окисления других металлов, например хрома.Одновременно с улучшением термостойкости у покрытий, содержащих алюминий, происходит смещение ТКС в область положительных значений с увеличением содержанияалюминия в материале.Проводящие...

Номер патента: 442516

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Обичкин, Селимов, Черняев

МПК: H01C 7/04

Метки: высокоомных, материал, резисторов

...микросхем, которые применяются в радиоэлектронной аппаратуре и вычислительной технике.Известен материал для высокоомных резисторов, содержащий хром и моноокись кремйия. Цель изобретения - разработка резистивного материала с высоким чдельным сопротивлением - ЮО Ъщ/квадрат до 1 Мом/квадрат и получение отрицательного температурного коэффициента сопротивления.Нредлагаемый ватериал отличается тем, что он дополнительно содержит сйталл.Изменяя процентное содержание ситалла, можно изменять удельное сопротивление материала. 2Так, при изменении содержанияситалла от 40 до 80 вес.% удельноесопротивлене меняется от 100Ком/квадрат до 1 Мом/квадрат.- 11 рименение данного резистивиого материала дает возможность изготовить резисторы до 5 Ц )у 1 ом с...

Номер патента: 493809

Опубликовано: 30.11.1975

Авторы: Тюньков, Шокорова

МПК: H01C 17/00

Метки: высокоомных, литья, микропровода, намотки, процессе, резисторов

...находится цанга 11 со штоком 12 и пружиной 13, Шток 12 посажен в под шипник 14. На цанге 11 укреплен механизм 15разрушения изоляции.При вытяжке микропровода 16 приводятсяво вращение оправка 3 и цанга 6 с каркасом резистора 7. Линейные скорости оправки 3 и 15 каркаса 7 выбраны одинаковыми. В началепроцесса литья микропровод 16 наматывается на оправку. При выходе годного микропровода сигнал Процесс от блока управления 17 перемещает механизм раскладки 18 влево на 20 расстояние 1 ь равное проекции скоса конической поверхности 10 оправки 3 на горизонтальную плоскость, обеспечивая при этом плавный ход микропровода с оправки на токоподвод 9. Двигатель 5 перемещается влево 25 на расстояние 12, равное длине токоподвода 9,и провод наматывается на...

Номер патента: 496515

Опубликовано: 25.12.1975

Автор: Наливайко

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, высокоомных, жизни, носителей, полупроводниковых, свободных, сопротивления, удельного

...резонансная частота резонатораО(рабочая частота при проведении измерений).В известном устройстве точность измерения снижаетея из за наличия неконтролируемых зазоров между штырем резонатора и исследуемым образцом, которые уменьшают коэффициент включения образца в резонатор.Целью изобретения является повышение точности измерений, Она дос 1 игается тел 1, что торец емкостного штыря в измерительном резонаторе выполнен сферическим,На чертеже изображен измерительный резонатор описываемого устройства с номешенным в него исследуемым образцом,Резонатор образован отрезком волновода 1, емкостным штырем 2, введенным в волновод 1 через его широкую стенку, и снабжен элементами 3 и 4 связи, служашило 1 для ввода и вывода энергии СВЧ колебаний. Торец 5...

Номер патента: 509896

Опубликовано: 05.04.1976

Автор: Селимов

МПК: H01C 7/04

Метки: высокоомных, материал, резисторов

...ять удельное сопродо 1 Мом/П. При изменяется в предерад. напытивных тленоч- радиоике. 5 ых реоокись СпталлХромМ няя соотшипсние кремния, можно изме тивление от 10 ком/П этом ТКС резисторов л ах (2 - 150) 10 -1/ оэффпого маград - окостаМатериал для высокоомныхсодержащий ром, мопоокисьталл, отличающийся тцелью снижения ТКС резисторжит исходные компонентыколичествах, вес. %:Моноокись кремнияСиталлХром резисторов,ремния и сне м, что, с ов, он содерв следующих 15 исход- ствах,15 - 30 15 - 30 Остальное 0 Изобретение относится к технике лспия резистивно-смкостных, резне совмещенных интегральных и тонко ных схем, которые применяются в электронной и вычислительной технИзвестен материал для высокоом зисторов, содержащий хром, мо кремния и...

Номер патента: 524118

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Гринберг, Мейльман

МПК: G01N 27/02

Метки: высокоомных, исследования, электропроводности

...горизонтальноплатиновой пластине, служащей одним из,электродов. Другие электроды - платинпроволоки в трубках из плавленного кваца - располагаются вергикапьно и приются к образцам под действием собственного веса.Однако образцы эакреячейке нежестко и кроме ия элекгродов недостаточная.Наиболее близкой к предлагаемому ройству по техническому решению я конструкция ячейки 21, состоящая онструкторсоЖщйел 1 тгиФМцщАлмазов и инструмейта.ры с нагревателем, в которой исследуемййобразец находится в контролируемой атмосферре,или вакууме; и держателя образца, вы- ,/полненного в виде двух платиновых прово 5 пок. Верхний конец одной проволоки (обе;,провойоки также выполняют функции токопповодяаих измерительных Гэпектродов) хорошо изолирован путем...

Номер патента: 528618

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Березин, Берман, Гришанов, Замбахидзе, Иойшер, Керницкий, Нестеровский, Цайфер, Шуб

МПК: H01C 17/04

Метки: высокоомных, проволочных, резисторов

...заменена эют по формуле емому овода, ю, снпа мик- окэмаят на, на котором малевой, оп 2 2 с 0 Е = К-,.1 12 Д )о де 1 ытая обмоткозгиба мпкропрляцип;тс намотки;ровода;ляпинпя. зистора, покр ый радиус и теклянной пзо аркаса в мес жилы микроп эмалевой пзо иент заполне- длина ре с - допустиь вода в с г, - радиус к с - диаметр Л, - толщина К - коэффиц25 зстка мпкропрорсделяют по пзПри этом сопротивление вода в эмалевой нзоляци30 вестной формулс828618 Формула изобретения Составитель Н, Нестеренко актор И. Шубина Техред М, Семенов Корректор Т. ГревцовПодписноев СССР Тираж 963та Совета Министй и открытийушская наб., д. 4/5 зд.1623 рственного коми делам изобретенМосква, Ж, Р Заказ 235211Ц 1-1 ИИП Госуд и 13035ова, 2 нпография, пр. где р -...

Номер патента: 536438

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Арнольд, Искаков, Каракоз, Кручинин

МПК: G01R 17/10

Метки: высокоомных, резисторов

...иконденсатор 6заряжается до потенциала точки делителя,состоящего из резисторов 3 и 4. При замыкании ключа 8 (производится опрос состояния моста), при наличии разности потенциалов точек диагонали, конденсатор изменяет свой первоначальный заряд, обусловливая,переходный процесс, анализ которогоюказывает, что напряжение на входе нульоргана определяется выражениемъхц- ъх ц е (1)2О - напряжение на входе нуль-органа;Яи- входное сопротивление нуль-органа;ЬО - разность потенциалов точек диагонали;3 - сопротивление делителя, включаемого последовательно с измеряемым;Ь - время;- постоянная времени, равнаят:с Л (2)К+ 3,где ку - сопротивление, включаемоев диагональ моста;0 - емкость конденсатора,Как следует из выражения (1), имеется строгая...

Номер патента: 567496

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Левитов, Нагорный, Решидов

МПК: B03C 3/00

Метки: высокоомных, газов, процесса, пылей, электрофильтрах

...ого возник- фильтре ню уде я пыл адают неи В зависимостнала меняется С этой цельюндиционируюшегзависимости отости тока элект гулирование расходреагента осуществлязменения величиныофильтра. реагента, под регулирования в н 5 мическэму рав Изобретение относится к сп матического регулирования пр ки газов,Известен способ автоматическ пирования процесса очистки газов коомных пылей в электрофильтрах гулирования расхода кондиционирут гента 11. Известен способ автоматическ лирования процесса, очистки газов коомных пылей в электрофильтрах регулирования расхода кондициони реагента в зависимости от усредт текущего значения фазового угла новения электрических разрядов в соответствующего текущему уров ного электрического сопротивлени Однако, известные...

Номер патента: 608552

Опубликовано: 30.05.1978

Авторы: Ефремиди, Нагорный, Саралидзе

МПК: B03C 3/38

Метки: высокоомных, осаждения, пылей, электростатического

...полупериод напряжение вторичной обмотки 1 трансформатора оказывается согласно включенным с напряжением емкости 18 электрофильтра 5 и приложенным к ключу 12.После открытия ключа 12 подачей импульса с блока управления 15 и тиристор этого ключа происходит быстрое нарастание напряжения на электрофильтре 6 благодаря разряду емкости 18 электрофильтра 6 по контуру: демпфирующий элемент 14, тиристор ключа 12, диод ключа 11, демпфирующий элемент 13,К моменту завершения разрядки емкости 18 на емкость 19 напряжение на вторичной обмотке 1 сохраняет направление, и емкость 18 перезаряжается до напряжения, при котором открываются диод 3 и управляемый вентиль 4, при этом к электрофильтру 5 прикладывается напряжение обратной полярности и одновременно...

Номер патента: 813210

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Борзунов, Макаров, Медведев

МПК: G01N 22/00

Метки: временижизни, высокоомных, носителей, полупро-водниковых, свободных, удельногосопротивления

...и анализатора 13 импульсов (канал построения статистического распределения). С выхода импульсного детектора 12 выпрямленное напряжение, пропорциональное амплитуде входного импульса, поступает на вход У самописца 14, на вход Х которого подается напряжение, пропорциональное координате зондируемого участка полупроводника 6 с механизма 7 перемещения. Так происходит построение геометрического распределения удельного сопротивления. 10 20 25 Эо 35 40 45 50 55 Измерение статистического закона распределения у осуществляется анализатором 13 импульсов в режиме амплитудного анализа, который производит построение зависимости числа импульсов с данной амплитудой Л (с данным удельным сопротивлением) от величины амплитуды, т. е. построение...

Номер патента: 924765

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Богаткова, Волкова, Гудков, Загинайло, Закс, Максимцова, Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: высокоомных, материал, резистивный, резисторов, тонкопленочных

...тем, 10 что резистивный материал для изготовления высокоомных тонкопленочных резисторов, включающий хром, железо, алюминий, смесь окислов кремния и алюминия дополнительно содержит окись 15 кадмия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.Ф:Хром 12- 10Железо 1-10Алюминий 10-20 20Окись кадмия 2-15Смесь окисловкремния и алю"миния ОстальноеВводимая в предлагаемый резистив ный материал окись кадмия смещает Средние зна чения велиДиапазонполученных значений ТКС101/Со Алюминий Окиськадмия чин поверхностного сопротивлениярезистивныхпленок окисловкремнияи алюминия-10- +30 16 17 50 Как видно из таблицы,резистивный материал может быть использован при изготовлении высокоомных тонкопленочных резисторов с малым уровнем...

Номер патента: 927341

Опубликовано: 15.05.1982

Автор: Котлярский

МПК: B01D 1/06

Метки: высокоомных, заряженных, подвесных, покрытия, порошков, устройств

...заряда большей части порошка осевшего на подвесном устройстве, что приводит к потереэлектрического сцепления порошка с подвесным устройством и облегчению его сдувки сжатым воздухом.При этом давление и расход воздуха на очистку резко уменьшаются, а операция очистки может проводиться в той же камере, где производится нанесение покрытия на изделие.На чертеже схематично представлена установка, с помощью которой осущест вляется способ.1 ОУстановка содержит подвесное устройство, представляющее собой штангу 1 с приваренной к ней поперечной балкой 2, на которой с помощью крючков 3 подвешено изделие 4, камеру нанесения порошка 5, сопла обдува воздухом 6 и ионизаторы воз духа 7.Производится покрытие деталей бытовых холодильников...

Номер патента: 1083312

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Кохреидзе, Саралидзе

МПК: H02M 7/155

Метки: высокоомных, осаждения, пылей, электростатического

...пыли в них и толстого слоя на осадительных электродах. для последующего по ходу отходящего газа .полей, в которых пылевая нагрузка в значительной степени уменьшена, более эффективным и надежным является двухполупериодное сглаженное напряжение, которое известным устройством не обеспечивается, в силу чего для них требуется самостоятельное устройство, что удорожает и усложняет установку пылеулавливания в целом.Цель изобретения - расширение функциональных возможностей устройства для электроосаждения высокоомных пылей.Указанная цель достигается тем, что в устройство для электростатического осаждения высокоомных пылей, содержащее высоковольтный трансформа тор с первичной и вторичной обмотками, регулятор переменного тока, два...