Способ изготовления мощных многоэмиттерных свч-транзисторов с балластными резисторами
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ С БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ, включающий создание в многокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эмиттеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эмиттера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик транзисторов, одновременно с созданием резистивных элементов изготавливают тестовый резистор, измеряют его сопротивление, по значению сопротивления выбирают фотошаблон из набора фотошаблонов, отличающихся размерами окон на 0,5 1 мкм, проводят фотолитографию и травление отверстий в резистивных элементах в зазорах между эмиттерными контактными площадками одновременно с травлением окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок.
Описание
Цель улучшение энергетических характеристик транзисторов.
Пример конкретного выполнения. На монокремниевой подложке создают диффузионный слой областей базы (толщиной 0,6
0,04 мкм) и эмиттера (глубиной 1,0 0,05 мкм). На слой магнетронным методом наносят слой нихрома (Cr 50% Ni 50% ) толщиной 300 30 30 
и с Rs 34 4 Ом/квадрат на установке типа 01НИ-7-006.Режим нанесения нихрома: ток магнетрона 0,5
0,05 А, давление аргона 0,67 0,07 Па, время осаждения 200 5 с.Методами фотолитографии при помощи цериевого травителя (церий четырехводный 315 гр, серная кислота 105 мл, вода 1582 мл) создают рисунок резисторов.
Затем через окна в фоторезистивной маске методом ионно-химического травления при помощи источника ионов ИИ-4-015 в хладоне-14 протравливают контактные окна.
После стандартной отмывки проводят напыление металлизации Al-Si 1% Cu 1% толщиной 1,15
0,15 мкм на установке типа 01ИИ-7-006. Непосредственно перед осаждением алюминиевого сплава проводят плазмохимическую очистку пластин.Режим нанесения металлизации: длительность очистки 220
5 с, нагрев пластин 340 20оС, давление аргона 0,67 0,07 Па, ток магнетронов 10 2 А.Методами фотолитографии с использованием химического травителя (720 мл ортофосфорной кислоты, 225 мл уксусной кислоты, 750 мл воды) получают рисунок металлизации. Вжигание металлизации проводят в азоте при 500
5оС в течение 600 20 с.Измеряют сопротивление тестового резистора. Проводят наращивание диэлектрической пленки парофазным методом на установке (оксин-3 при 450оС толщина пленки 0,4
0,04 мкм).Далее методами фотолитографии создают фоторезистивную маску с окнами для площадок под выводы и для подгонки резисторов. Выбор соответствующего фотошаблона проводят с учетом параметров данной структуры: Rб 0,5 Ом; Rт 160 Ом; Uб 850 мкм, n 50, I 8,5 мкм, Wт 20 мкм, Iт 80 мкм.
Расчет по формуле дает требуемую ширину окон в фотошаблоне W 3,4 мкм.
Проводят ионно-химическое травление диэлектрической пленки и нихрома при помощи источников ионов ИИ4-0,15 в следующем режиме: ток соленоида 1,5
0,1 А, ток ионного пучка 150 10 мА, напряжение пучка 4,5 0,1 кВ, рабочий газ CF4, длительность травления SiO2 80 1 мин, длительность протравливания NiCr 10 0,5 мин.Завершается изготовление транзисторов разделением подложек на кристаллы, сборочными операциями и измерением параметров транзисторов.
Испытания предлагаемого способа на опытных партиях мощного генераторного СВЧ-транзистора 219128АС позволило за счет подгонки нихромовых балластных резисторов уменьшить разброс энергетических характеристик в сравнении с характеристиками транзисторов, получаемых по известному способу: Kp c 43,6% до 12,3% Ркмакс с 14,5% до 7,8% повысить Рвых с 197,3 вм до 200 вм. Точность воспроизведения номинала резисторов повысилась при этом с
18,7% до 4,5%Изобретение относится к области электронной техники. Целью является улучшение энергетических характеристик транзисторов. Цель изобретения улучшение энергетических характеристик транзисторов. Способ изготовления мощных многоэмитерных СВЧ транзисторов с балластными резисторами заключается в создании на монокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эммитеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эммитера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, причем одновременно с созданием резистивных элементов изготавливается тестовый резистор, измеряется его сопротивление по его значению выбирается необходимый фотошаблон из набора фотошаблонов, отличающихся размерами окон на 0,5 1 мкм, проводится фотолитография и травление отверстий в резистивных элементах в зазорах между эммитерными контактными площадками одновременно с травлением окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок.
Заявка
4612149/25, 28.09.1988
Асессоров В. В, Велигура Г. А
МПК / Метки
МПК: H01L 21/18
Метки: балластными, многоэмиттерных, мощных, резисторами, свч-транзисторов
Опубликовано: 20.10.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1630564-sposob-izgotovleniya-moshhnykh-mnogoehmitternykh-svch-tranzistorov-s-ballastnymi-rezistorami.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления мощных многоэмиттерных свч-транзисторов с балластными резисторами</a>
Устройство для накрутки проводов на контактные штыри монтажных плат
Номер патента: 745039
Опубликовано: 30.06.1980
МПК: H05K 13/06
Метки: контактные, монтажных, накрутки, плат, проводов, штыри
...штифт28, прижим 29, штифт 30,квинт 23 ишайбу 25. На прижиме 29 выполнены отверстия под винт 23, штифты 28 и 30, а также отверстие 31, расположенное соответственно точке начала отсчетакоординат монтируемого узла 8. Отверстйя под штифт 28 и 30 выполнены с высокой степенью. точности, а отверстие 31 к ним жестко привязано. Штифт 30 запрессован в стойку 2 и обеспечивает съем прижима 29. На штифты 21 и 28 нанесены риски, равноудаленные от левого края указанных штифтов, Штифты 26 и 28 установлены таким образом, что их общая ось строго параллельна направлению перемещения каретки 13 по оси ХУзел контроля установки монтируемого узла 8 (фиг, 6 и 7) содержит П-образную скобу 32, подпружиненный пружиной 33 цилиндрический щуп34, клавишу 35 и упорный...
Устройство для накрутки монтажных проводов на контактные штыри
Номер патента: 773984
Опубликовано: 23.10.1980
Авторы: Дещенко, Костин, Орловский
МПК: H05K 13/06
Метки: контактные, монтажных, накрутки, проводов, штыри
...его жесткости, Нижняя частьстержня 7, прилегающая к торцу шпинделя 5, может быть сменной с фаской,Стержень 7 имеет возможность радиального перемещения по пазам 15шпинделя 5 и пазу 16 крышки 2, атакже возможность вращения вокругсвоей продольной оси.Устройство для накрутки работаетследующим образом.В паз 10 шпинделя 5 вставляетсямонтажный проводник 11, В качестнемонтажного проводника 11 может бытьпроволока, монтажный провод, выводрадиоэлемента и т.п. Устройство длянакрутки центральным отверстием 13шпинделя 5 надевается на контактныйштырь 14. Включается привод, которыйчерез зубчатое колесо 3 и шпильку 4начинает вращать шпиндель 5. С каждым оборотом шпинделя 5 на контактном штыре 14 образуется виток монтажного проводника 11. Этот...
Устройство для накрутки монтажных проводов на контактные штыри
Номер патента: 860369
Опубликовано: 30.08.1981
Авторы: Дешенко, Костин, Орловский
МПК: H05K 13/06
Метки: контактные, монтажных, накрутки, проводов, штыри
...10 для контактного штыря, а также на торце 11 резец для, вспарывания изоляции в виде запрессованной в тело шпинделя 4 иглы 12. Острие иглы 12 предназначено для вспарывания изоляции провода 9 по его продольной оси непосредственно в процессе накрутки, поэтому оно размещено по линии подачи провода 9 на торце 11 шпинделя 4. Чем ближе ост.рие иглык месту формирования контакта жилы провода и штыря, тем выше надежность получения начального контакта в монтажном соединении накруткой. Выступание острия иглы над поверхностью шпинделя 4 выбирается в зависимости от толщины изоляции монтажного провода 9, чтобы вспарывание изоляции происходило до жилы провода 9.Устройство для накрутки, работающее с реверсом шпинделя 4, содержит две иглы 12 (фиг....
Устройство для накрутки монтажных проводов на контактные штыри
Номер патента: 873487
Опубликовано: 15.10.1981
Автор: Солонин
МПК: H05K 13/06
Метки: контактные, монтажных, накрутки, проводов, штыри
...накрутки монтажного провода на контактный штырь.устройство содержит намоточный 20 шток 1, на рабочем торце 2 котороговыполнено отверстие 3 для контактного штыря 4, и отверстие 5 для монтажного провода 6, Резец 7 закреплен между отверстиями 3 и 5. Намоточный 25 шток 1 расположен- в корпусе 8 и ко-аксиально размещен в обойм 9, кото,рая выполнена в виде стакана, на боковой стенке которой выполнен вырез 10, а на торце радиальный паэ 11, 3 О причем внутренняя торцовая поверх873487 0 формула изобретения 1 Ность 12 обоймы 9 выполнена конусной.Устройство работает следующим образом.Обойму 9 перемещают вдоль корпуса 8 в сторону рабочего торца 2 намоточного штока 1, одновременно с этим подают монтажный провод б в отверстии 5 до тех пор пока он...
Способ соединения изолированного провода с контактной пластиной
Номер патента: 1779516
Опубликовано: 07.12.1992
Автор: Егорова
МПК: B23K 31/02
Метки: изолированного, контактной, пластиной, провода, соединения
...выполняют прямоугольные углубления, наматывают в них несколько витков, располагают пластину между электродами, обжимают пластину в осевом направлении и подают напряжение с последующим осаживанием, согласно изобретению, на торце пластины со стороны верхнего электрода выполняют радиусное углубление. которое размещают напротив перемычки,1779516 Составитель Н, ЕгороваРедактор С. Кулакова Техред М.Моргентал Корректор Н. Милюкова Заказ 4408 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул.Гагарина 101 Сопоставительный анализ с прототипом показал, что заявляемое решение отличается тем, что на торце...
Предыдущий патент: Защитный смазочный материал
Следующий патент: Гидрохлориды 2-метилили 1, 2-диметил-6, 7-диметокси1, 2, 3, 4-тетрагидроизохинолин4-спиро-4циклогексанолов, обладающие центральным m-холинолитическим действием
Случайный патент: Станция соотношений