Патенты с меткой «многоэмиттерных»

Номер патента: 533157

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Булгаков, Велигура, Ивановский, Лобов, Майшев

МПК: H01L 21/28

Метки: кремниевых, многоэмиттерных, транзисторов

...формирования активных областей транзисторной структуры на поверхность структуры наносят нихромовый слой, а поверх него - слой алюминия толщиной 0,1 - 0,2 мкм. Далее проводят фотолитографическое формирование резисторов.Следующим. этапом последовательно напыляют слои многослойной золотосодержащей металлизации, после чего осуществляют фотогравировку металлических контактов ионно-химическим травлением, Последнее практически очень мало действует на алюминий, который таким образом надежно защищает нихромовые резисторы.По окончании ионно-химического травления слой алюминия удаляют в химическом травителе.Практически изготовление многоэмиттерных СВЧ транзисторов с нихромовыми резисторами показано в следующем примере.1. В исходных...

Номер патента: 1630564

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Асессоров, Велигура

МПК: H01L 21/18

Метки: балластными, многоэмиттерных, мощных, резисторами, свч-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ С БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ, включающий создание в многокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эмиттеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эмиттера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик транзисторов, одновременно с созданием резистивных элементов изготавливают тестовый резистор, измеряют его сопротивление, по значению...