C23C 14/02 — предварительная обработка покрываемого материала

Номер патента: 107406

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Тейтель

МПК: C23C 14/02, C23C 18/42

Метки: ленты, металла, нанесения, тонкой, торец

...металла на торец тонкой ленты известны.Особенностью описываемого способа является предварительное нанесение на ленту тонкого слоя серебра методом химического осаждения, что позволяет исключить операцию обезгажива. - ния ленты при последующем нанесении основного металла возгонкой в вакууме и улучшить сцепление наносимого слоя металла с основной.Способ состоит в следующем, Ленту Л (см. чертежи) надлежащей толщины (примерно 0,01 мм) туго навертывают на трубчатый цилиндр Ц в рулон, оба конца которого затем обтачи. вают и шлифуют, После этого торец от рулона прижимают к гладкой плите П и плотно наматывают на рулон несколько витков более шириной ленты Л., зажимаемой хомутом Х.В верхню 1 и, образованной лентой Л 2, наливают слабый раствор...

Номер патента: 167731

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: C23C 14/02, C23C 14/16

Метки: пленок, селеновых

...напылением селена на металлическую подложку, которую можно легко растворить. При растворении подложки в определенном растворителе происходит загрязнение и при высыхании тонкой пленки - ее разрушение (трещины, ломка).Для увеличения выхода пленки н упрощения технологического процесса предлагается производить вакуумное напыление из аморфного селена на металлическую подложку из фосфористой или бериллиевой бронзы, предварительно полированную до зеркального блеска. Снятие селеновой пленки с подложки производят изгибанием подложки.Пластинку из фосфористой или бериллиевой бронзы толщиной 0,1 - 0,2 мл полируют пастой ГОИ до зеркального блеска, промывают бензином, а затем этиловым спиртом. После снятия с помощью сухой ваты остатков спирта...

Номер патента: 196514

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Большова, Шубин

МПК: C23C 14/02

Метки: вакууме, диэлектрических, металлизации

...необходимого для образования следов конденсации, При продолжении облучения в процессе осаждения металла плотность плен ки будет меньше нормальной.Способ может быть применен для нанесения цинка, кадмия и индия, Для получения хороших слоев индия подложку достаточно освещать ультрафиолетовым светом в течение 10 15 - 20 сек,Предмет изобретения Известен способ металлизации в вакууме диэлектрических поверхностей, заключаю. щийся в том, что эту поверхность предварительно подвергают ионной бомбардировке тлеющим разрядом,Для получения покрытий высокого качества с зеркальным блеском предлагается обрабаты. ваемую поверхность или пары металла в на. чальной стадии процесса металлизации облучать ультрафиолетовым светом.Сущность способа сосгоит в...

Номер патента: 241196

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Носков

МПК: C23C 14/02

Метки: ионной, нанесения

...общий вирд устройства,Газоразрядная камера выполнена в виде кольцевой полости, образуемой цилиндриче. ским анодом 1 и двумя кольцевыми плоскими электродами 2, электрически соединенными с обрабатьвваемой деталью 3 и вьсполнятощими одновременно роль полого катода.Газораврядная камера помещена в поле мапнитов 4. При давлении 10 " - 10 4 мм рт. ст., напряженности, мапни пного поля 0,03 - 0,04 мл и 1 напряжении 0,5 - 10 кв в газоразрядной,камере зажигается тлеющий разряд. Ионы, образовавшиеся в тлеющем разряде, устремляются к катоду, бомбардируют внутреннюю поверхность детали, очищая ее от загрязнений. Для нанесения металлических покрытий повышают потенциал аиода, выполненного из материала покрытия. При этом температура анода достигает...

Номер патента: 256461

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Спиридонов

МПК: C23C 14/02

Метки: поле, проволоки, разряда, тлеющего

...устройства обеспечивается непрерывность,процесса очистки проволоки.На чертеже изображено предлагаемое устройство, общий вид.Устройство состоит из разрядной камеры 1, внутри которой расположены анод 2 и,проволока Л, служащая катодом. Разрядная камера выполнена с отвогдами в виде капилляров 4. Посредством вакуум-провода 5 разрядная камера 1 соединена с откачной системой.При приложении напряжения между анодом 2 и проволокой 3 возникает электрический разряд, в результате чего проволока подвергается ионной бомбардировке в,поле тлеющего разряда, Скорость очистки проволоки зависит от парцнального давления кислорода в разрядной камере, Интенсивный обмен воздуха в разрядной камере осущест 1 вляется за 5 счет натекания воздуха через капилляры...

Номер патента: 327262

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Лутрин, Патентна

МПК: C23C 14/02

Метки: библиотека

...для нескольких деталей. После соз дания в камере необходимой степени разряжения на изолированные друг от друга кассеты подают высокое напряжение, что приводит к созданию зоны тлеющего разряда внутри штабеля. После окончания очистки на де тали осаждают покрытие. 5 Способ очистки поверхности в тлеющемразряде перед нанесением покрытий путем осаждения в вакууме, отличаюигийся тем, что, с целью интенсификации и упрощения процесса, очистку осуществляют с использова- О нием в качестве электродов тлеющего разрядакассет для крепления деталей. Изобретение относится к области нанесения покрытий путем осаждения в вакууме, в частности к способам очистки поверхности перед нанесением покрытий.Известен способ очистки поверхности в тлеющем разряде...

Номер патента: 340129

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Роберт, Соединенные

МПК: C23C 14/00, C23C 14/02, C23C 14/58 ...

Метки: 340129

...из тунгстена или в другой подходящий сосуд, оснащенный устройством для нагрева лодочки 10 и подложки, на которой конденсируется тонкая пленка.В качестве подложки используют тонкополированную пластину, например, из стекла или кварца, которую предварительно тщатель но очищают, например, промывкой в слабомкислом растворе, а затем - в дистиллированной воде и высушивают в струе инертного газа. Атмосферу колпака разрежают до давления 10 -мм рт. ст.20 Подложку нагревают до температуры 350 С,а лодочку с пятиокисью ванадия - до температуры 650 С. Пятиокись ванадия, испаряясь, осаждается на установленной подложке. Подложку с отложенной на ней тонкой пленкой 25 пятиокиси ванадия удаляют из испарительного колпака и помещают в другой колпак....

Номер патента: 346405

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Олеськив

МПК: C23C 14/02

Метки: вакуумных, камер, коиденсата

...растворимого в воде, например слой минераль ного вещества, путем термического испарения в вакууме при разрежении не ниже 10-4 тор, с последующей очисткой камеры от конденсата водой.Способ состоит в том, что на вцутренню 1 о 25 поверхность камеры предварительно наносят слой вещества, растворимого в воде, например, минерального, путем термического испарения в вакууме при разрежении не ниже 10-4 тор и очистку камеры от конденсата осу ществляют обработко конденсатом, водой.При осуществлеьп внутреннюю поверки прц разрежении не и минеральной пленкой го, например, галцта которое равномерно т реннцх стенках ц дет Количество испаряем вают в зависимости о муле де Р - цавеска цспаряемого вещества;Я - расстояние от внутренней поверхностц...

Номер патента: 358427

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Олеськив

МПК: C23C 14/02

Метки: подложек

...упрощает лроцеас очистки подложек. Это достигаеэся тем, что на очищаемую поверхность предварительно наатосят путам иопарения и конденсации в вакууме слой вещества, растворимого в воде,Опоооб заключается в следующем.Очистку, подложек перед нанесением покрытий:в вакууме осуществляют нанесением на поверииость слоя, вещества, растворимого в воде, с лоследующим удалением его при обрабитке поверхности водой. Слоей вещесэва, расэворимого в воде, наносят на,поверсность испарением и последующей конденсацией в ваку,уме. сое количесэво иопаряемотывают по формуле: где Р - навеска испаряемо Р - расстояние до подложк р - плотность иапаряемого а - угол наклона плоокос аправлению молекулярного д - толщина конденсируем Конденсат вместе с загрязнением...

Номер патента: 405215

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: C23C 14/02, C23C 14/36, C23C 14/56 ...

Метки: катодного, распыления

...10, 11, и блока очистки, снабженного заслонками 12, 13, 14 и 15, электрически соединенными с камерой 1. Катоды 2, 3, 4, 5 и заслонки 12, 13, 14, 15 смонтированы по обе стороны механизма перемещения. Тележки 10, 11 и катоды 2, 3, 4, 5 соединены с источником переменного напряжения.Устройство работает следующим обра"эм.Металлические подложки 6 и 7 укрепляютвертикально на тележках 10, 11 и помещают кахкдую между двумя заслонками 12, 13, 14 и 15. Затем камеру 1 откачивают до необходимого давления и заполняют рабочим газом.Каждая подложка посредством тележек 10 и 11 соединена с источником переменного напряжения, величина которого - порядка 3000 - 4000 в, Во время соответствующего пол периода каждая подложка является като 2 п дом и...

Номер патента: 1151591

Опубликовано: 23.04.1985

Автор: Аштраускас

МПК: C23C 14/02

Метки: валов, восстановления, коленчатых, шеек

...25Поставленная цель достигаетсятем, что установка для восстановления шеек коленчатых валов) содержашаястанинч механизм поивола со шпинпе)лем чстяновленный яа станине меха- З) )ниэм нанесения покоытия установленный на направляющих снабжена телескопическим рычагом с захватами)чстановленяым на напоавляюших) амеханизм нанесения покрытия размешенна рычаге.Механизм нанесения покрытия выполнен в виде системы для подачи и выравнивания пооволоки 1 электоода отражателя и источника импульсноготока, причем электроды и отра)кательсоединены с источником тока,Механизм привода выполнен в видеэлектромагнита и храповика, установленных с возможностью взаимодействия,На чертеже изображена схема установки,Установка содержит ведущий 1 иведомый 2 центры,...

Номер патента: 1682717

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Новиков, Романов, Савельев

МПК: C23C 14/02, F21V 7/22, G02B 5/12 ...

Метки: высоким, зеркального, коэффициентом, отражения, рефлектора, углепластика

...комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ждеиие композиции; загрузка подложки спокрытием в пресс-форму или на нагретыйпуансон, профиль которых соответствуетпрофилю рефлектора, для пневмоформования; опрессовка рабочей поверхностирефлектора в пресс-форме(на пуансоне);отверждение композиции в горячейпресс-Форме; извлечение подложки с нанесенным эпоксидным покрытием изпресс-формы.При малых размерах рефлекторов опрессовку ведут в пресс-Форме, а в случаекрупногабаритной конструкции отражателя- на пуансоне, например из ситалла; пиевмоформованием, при этом параметры шероховатости пресс-форм 12-14 класс,При указанном двухэтапном процессеотверждения .эпоксидного покрытия происходят следующие процессы. На первомэтаже - этаже...

Номер патента: 1695704

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Груич, Кирсон, Эстерлис

МПК: C23C 14/02

Метки: вакууме, дуговым, поверхности, разрядом

...поверхУдельнаямощность, кВт ч/м Сталь горячекатаная Х 18 Н 10 Т Окалинаполно 200 20 10 0,21 0,21 стью удалена То же0,680,770,8 150 300 250 Бр, АЖИМЗ Сталь 65 Г Сталь Рб М 5 Сталь горячекатаная . Х 18 Н 10 Т 2,047,73,2 23 24 23 1 5 1 3 10 4 Окалина удалена, поверх- . ность оп- лавлена 200 19 1,67 1,2 0,82 ность электрода-анода, так как в процессе перемещения экрана открываются участки анода, ранее не участвовавшие в работе. Это устраняет перегрев поверхности, чем повышается качество обработки. Кроме того, наличие экрана с отверстием уменьшает поток продуктов эрозии, осаждающихся на электроде, Это приводит к стабилизации процесса горения разряда, а следовательно, и к повышению качества обработки.Способ обработки осуществляется следующим...

Номер патента: 1812242

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Котелянский, Лузанов, Шкляр

МПК: C23C 14/02, C23C 14/46

Метки: оксида, пленки, пьезо-электрической, тонкой, цинка

...наращивалась на ионнообработанную часть поверхности свеженапыленной пленки.По мнению авторов, в данном случае эффект заключается в уменьшении химической активности поверхности подложки и образовании встроенного заряда под действием ионной обработки.П р и м е р 1. Рабочу ерхность звукопровода ПАВ устройс Ч-диапа1812242 Формула изобретения Составитель Т.СмирноваТехред М,Моргентал Корректор М, Куль Редактор Заказ 1560 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 зона, выполненного из монокристалла алюмоиттриевого граната, подвергают ионной обработке в течение 20 мин ионами аргона...

Номер патента: 1818357

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Искандеров, Камардин, Ким, Мачевская, Раджабов

МПК: C23C 14/02

Метки: металлических, поверхностей, подготовки

...ионной обработке потоками газов, отсутствием химического взаимодействия с мишенью и экологической чистотой процесса.Выбор интервала доз обработки от 10Щ -2до 2 10 см обусловлен необходимошстью распыления поверхностного слоя изделия (примесей) и активацеией поверхности. При этом дозы менее 10 см не позволяют провести полную очистку поверхности, Дозы более 2 10 см 2 практически не изменяют состояние поверхности, однако пропорционально дозе увеличивается время обработки и распыление поверхности, в чем нет необходимости.Предлагаемый способ подготовки металлических поверхностей реализован следующим образом. Образцы изделий из сталей, применяемых в автомобильной промышленности, помещают, з акрепив в оснастке, е вакумной камере, откачивают...

Номер патента: 1821493

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Емельянов, Лазаренко, Свистунов, Швец

МПК: C23C 14/02

Метки: металлических, поверхностей, сложной, формы

...тока регулировалась с понанесенных диэлектрических частиц, Если,20 мощью балластного сопротивления 9 и ревблиэи поверхности, площадь которой рав- гистрировалась с помощью шлейфовогона площади катодного пятна, есть поверх- осциллографа 10 с оптронной развязкой 11,ность покрытия высокодисперсными На поверхность изделий кистью наночастицами, то катодное пятно перемещает- силась 30% суспензия А 120 з в ацетоне. Конся на этот участокповерхности, Такое пере центрация А 120 з в суспензии подбираласьдвижение происходит до .тех пор, пока опытнымпутем, Прибольшем 30%содержасуществует поверхность покрытия этими ча- нии АЬОз покрытие после высыхания станостицами. Если частицнет,дуговой разряд вилось неоднородным, с трещинами, прип,реходит в...

Номер патента: 1827397

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Акрымов, Карпова, Малашенко, Рабинович, Рыбников, Силенко, Сотников, Трофименко

МПК: C23C 14/00, C23C 14/02

Метки: газовой, жаростойкого, композиционного, лопаток, покрытия, турбины

...подслоя состава Со-Сг-А 1-У (СДП 11 А) толщиной 20 - 40 мкм испарением в вакууме,Нанесение второго металлического слоя состава Со-Сг-А 1-У (СДПЗА) 40 - 90 мкм испарением в вакууме.Диффузионный отжиг в вакууме при температуре 1050 С в течение 2-х часов, Операция сухой обдувки корундом.Последующее нанесение керамического слоя диоксида Лг, стабилизированного У 20 з толщиной 50 - 200 мкм, Дифф. отжиг 1030 С - 2 ч,Восстановительная термическая обработка по режиму: 950 С, 16 час.П р и м е р 2. Проводилось нанесение металлического подслоя состава Со-Сг-А 1-У (СДП 11 А) толщиной 20 - 30 мкм испарением в вакууме.Нанесение металлического подслоя составаа Со-Сг-А 1-У (СДПЗА) 40 - 80 мкм испарением в вакууме.Диффузионный отжиг в вакууме при...

Номер патента: 1827398

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Ушков

МПК: C23C 14/02, C23C 14/06

Метки: вакууме, водорода, поглотителя

...пленку путем рхности титана, После лладия толщиной 25 товления поглотителя уме при 10 5 х 10 мм й таким способом по- водород как в бескисак и в присутствии. 1827398 Ф ор мул з и зоб рете н и я Составитель А.УшковТехред М,Моргентал Корректор О. Густи Редактор Заказ 2345 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент, г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 рода с титаном приблизительно в двз раза выше энтропии системы Рб-Н, з согласно второму закону термодинамики: самопроизвольно могут протекать только процессы и реакции, в ходе которых энтропия возрастаетпоэтому палладий будет передавать свой растворенный водород...

Номер патента: 1832130

Опубликовано: 07.08.1993

Авторы: Матяшов, Шаповалов

МПК: C23C 14/02

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

...С, 1 емпературь: нагреваподложки определены экспериментальноиз условя полученля требуееиых томпераГИтур химической активности нзГревэемцх ди"электриков (например, Липин 1 О,В, и др.Вакуумная металлизация погплмернь 1 х материалов, ЛХ 1 ле, ля, 108 Р,. 91 98. МоряковО,С, Термические процессы в Р 1 икрозлектрание. М.: Высшая школа, 1987, с, 53. Попов В.(РэГорие Ю,Н. Процессы и установкиэлектронно-ионной технологии. МВысшаяшкола, 1988),У стекла температура, при которой наступает химическая активность, соответствует температуре нагрева подложки +450+ 10 ОСПерегрев стекла (выше 450"С) недопустим, поскольку приводит к электрохимическому разложению его состава, и за счетвыделееРля кислорода стекло пригорает вместах контакта с...

Номер патента: 2001969

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Воронов

МПК: C23C 14/02, C23C 14/14

Метки: вакууме, защитного, нанесения, покрытия

...соответствующие плр нлотры промежуточного слоя, с одной стороы, и минимальности толщины промежуто ного слоя, с другой стороны,Тонкая пленка, выращиоаемая на поверхности твердых тел, имеет сильно деформированную кристаллическую решетку, причем этот эффект наблодао)ся на толщинах 10 - 20 периодов решетки, т.е, "5 нм При дальнейшем росте пленки ее структура совпадает с кристаллической структурой макрообраэца из вещества этой пленки. Соотоетстоующие пределы лежат о диагаэоне 5 - 20 нм. Состав реагируощего газа ипи газовой смеси подбирается индивидуально для каждого защищаемого материала и определяется на Основе информацио тип ах симметрии и паралетрах кристаллических решеток химических соединений, образующихся при вэаилодейсгоии защищаемого...

Номер патента: 1565064

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Гул, Ряхин

МПК: C23C 14/02

Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ по авт. св. N N 1101475, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет выявления загрязнений в виде натиров капролона и паров масла и упрощения процесса, подложку предварительно нагревают при 400 - 700oС в течение 15 - 90 мин в замкнутой капсуле из керамического материала.

Номер патента: 1723956

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гурин, Семенюк, Трипута, Хоббихожин, Хоменко

МПК: C23C 14/02, H01L 21/302

Метки: ионно-плазменной

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ, содержащее вакуумную камеру, в которой размещены разрядные электроды, подключенные к двум независимым источникам ВЧ-напряжения и разделенные промежуточным заземленным электродом с отверстием, при этом обрабатываемое изделие размещено на одном из разрядных электродов против отверстия промежуточного электрода, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости ионно-плазменной обработки и уменьшения степени загрязнения обрабатываемого изделия, оно снабжено дополнительным электродом, размещенным на противоположном торце камеры, камера выполнена в виде параллелепипеда, охватывающего разрядный, промежуточный и дополнительный электрод, формы которых повторяет сечение камеры, и присоединенного к нему...

Номер патента: 1448760

Опубликовано: 20.09.2005

Авторы: Волков, Каляев, Нефедова, Шавкунов

МПК: C23C 14/02, C23C 14/30

Метки: жаростойких, нанесением, поверхности, подготовки, покрытий

Способ подготовки поверхности перед нанесением жаростойких покрытий электронно-лучевым напылением, при котором выполняют виброшлифование, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества покрытия и повышения усталостной прочности лопаток турбомашины, после виброшлифования лопатки подвергают поверхностной пластической деформации и рекристаллизационному отжигу.

Номер патента: 1114080

Опубликовано: 27.06.2007

Авторы: Балакир, Зотов, Кульга, Смирнов, Чавчанидзе

МПК: C23C 14/02, C23C 14/24

Метки: защиты, металлов, окисления, повышенных, температурах

Способ защиты металлов от окисления при повышенных температурах, включающий нагрев подложки и легирующих p-элементов в вакууме до образования паровой фазы и обработку подложки в среде легирующих элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения окислительной стойкости при повышенной температуре покрытия путем формирования диффузионных зон со структурой твердого раствора, подложку предварительно легируют d элементами из паровой фазы.

Номер патента: 1716812

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Бельчин, Вершина, Изотова, Мрочек, Пителько

МПК: C23C 14/02, C23C 14/34

Метки: защитно-декоративных, нанесения, покрытий

Способ нанесения защитно-декоративных покрытий, включающий предварительную подготовку поверхности металлических изделий, электродуговое распыление в вакууме и осаждение покрытия из сепарированного от макрочастиц потока плазмы, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытий за счет увеличения их защитной способности путем снижения пористости при сохранении высокой производительности, предварительную подготовку осуществляют формированием на поверхности изделий рельефа с шероховатостью Rq=0,1-0,25 мкм, а покрытие осаждают толщиной 0,3-0,5 мкм.