H01L 29/82 — управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору

Номер патента: 58426

Опубликовано: 01.01.1940

Автор: Брауде

МПК: H01L 29/82, H04N 3/12

Метки: изображения, развертки, способа, строки, фотоэлемент

...решетчатый электрод, направляться обратно к электроду О. Самоиндукцию, выделяющую из фототока сигналы изображения, можно в обоихслучаях включить и в цепь электро. да А и в цепь электрода Й, Предпочтительно, однако, в обоих случаях включить ее в цепь электрода А. Это диктуется тем соображением, что при последнем способе включения самоиндукции анодная цепь ока. жется, согласно изобретению, экранированной от электродов К и С решетчатым электродом П. Экранировка же от электродов (К и С) необходима, так как по крайней мере один из них должен в системе авто-ра нести на себе переменный потенциал большой амплитуды, разлагающий строку изображения. Этот переменный потенциал, попадая через емкость на анод и усиливаясь таким образом вместе с...

Номер патента: 73215

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Дружкин

МПК: H01L 29/82

Метки: выпрямитель, магнитоэлектрический, полупроводниковый

...м 3 Гиита) д, Г 10 дает напряжение и 3 жма)1 / 1 ерсз О 1 льтр, СОстОЯП,пи мапита из конденсатора 6 и дросселя д, К Зажим 1)1 7 подклни;1 стс 5 П 1 Грузк;1.Полмп )Оводниковьи ВВН 1 ря,итсл . - "Псдставл 51 ет СО)ОП .стаслиЕСКУЮ ПЛЕКУ ИЕРЗВИО 5 ЕРПОГО ПОИЕРСЧИОГО СС 1 ЕИИ 51, ИЗНСССНИУК) И 1 диэ;1 е 1(трик по ъетоду катохиОГО распыления. 1 уоСтрукии 1 с 0 показана иа фиг, 2 и 3.:Здесь 9 - -контактные шины, 10 - зажимы с провода си, ( - " рзбо 1 ЗЯ зсть 11 ОгупрОВОдиик 1 (пленки)1 -- диэлектрик, слу)кащий подложкой дл 51 пленки,Пере.Сины 1 ток, про(од 51 по Г 1 Г с и кс, П 2 (Од 51 цсис 51 В ма Гнити Омполе, в разные полупериоды оттесняется к более толстому или более топко. кр 2 10 плс 11, 1 (Ледовзтельио, и электрическое...

Номер патента: 135149

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Васильев

МПК: H01L 29/82, H03F 5/00

Метки: массой, немаг, отрицательной, усилитель

.... тем, что, с целью ГЦСН В ПОСТОЯ ННОС стрснсни 5 с 5 лива(нс:5 аг), О т л иа О и и и с 5 та усиления, кписталл помо. ,чсльнос направлению распроИзвсстсн усилтсль с отрицательной массой нсмаг), Выполнепый в Виде полупроводникового кристалла с носителями тока, обладаюпими отрицательной массой, помещенного в отрезок волноводного тракта, между широкими стенками которого создано постоянное электрическое поле, перпендикулярное направлению распространения усиливасмого СВЧ сигнала. Недостаток подобных усилителей состоит в относите,чьно низком значении коэффициента усиленияВ описываемом усилителе этот недостаток устранен тем, что полу роводниковыи кристалл помсцс в пост 05 ннос магнитное пойс, параг- лсльнос направлению распространения...

Номер патента: 157006

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01F 29/10, H01L 29/82

Метки: 157006

...обеспечивает высокую степень линейности ц неизменность фазы выходной э.д.с., что достигается симметрнрованием его магнитной системы путем вь 1 полнецця магнитопровода цз двух витков; обмотка возбуждения помещена ца перемычке между ними, расположенной перпендикулярно к плоскости витков и параллельно подвижному сердечнику.На чертеже показан общий вид предлагаемого датчика перемещений,15700 б распределены равномерно на каждом витке магнитопровода. Между витками расположен подвижный ферромагнитный сердечник 5, который может вращаться вокруг общей оси витков в плоскости, параллельной плоскости витков, Рабочий магнитный поток Фр, созданный обмоткой возбуждения, замыкается по пути, показанному на чертеже штриховыми линиями. Длина пути по...

Номер патента: 182228

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Бровкин, Гашпар, Куликовский

МПК: G01R 17/20, G08C 19/04, H01F 29/10 ...

Метки: бесконтактный, многооборотный, потенциометр, типа, трансформаторного

...собой дальнейшее развитие потенциометра по авт. св.162767, 10 является выполнение измерительной обмоткиввиде последовательно соединенных проводников, нанесенных на гибкую пленку из синтетического материала. Это позволяет значительно повысить надежность потенциометра, 15 исключить - даже для значительных угловповорота ротора - необходимость примененияция специальных перематывающих устройств, и значительно повысить чувствительность потенциометра за счет легкости увеличения чи сла проводников в измерительной обмотке,одновременно навиваемых на ротор, без усложнения конструкции потенциометра.Применением четного числа проводников,выводы которых, проходящие через тело ста тора, сдвинуты один относительно другого наравные углы,...

Номер патента: 206705

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Ахраров, Боженко, Гашпар, Зарипов

МПК: G01R 17/20, G08C 19/04, H01F 29/10 ...

Метки: бесконтактный, лшогооборотный, потенциометр, типа, трансформаторного

...к КГ где 40 45 50 1 в средн длина пути потока, созданного модулирующей обмоткой;5 - площадь поперечного сечения магнитопровода на пути модулирующего потока Ф;Л 1 ет в магнитн проницаемость стали,Этот поток модулирует магнитное сопротивление Ям, цилиндрического неподвижного магнитопровода 1.Обмотки б и 7, подключенные соответственно к источнику компенсирующего постоянного тока и к измеряемому току, создают встречно направленные магнитодвижущие силы.Созданный ими разностный поток, направлен поперек потока Ф и является переменным, хотя по обмоткам б и 7 протекает постоянный ток. Это объясняется тем, что магнитное сопротивление для разностного потока изменяется во времени с той же частотой, что и частота модулирующего тока. В результате,...

Номер патента: 208802

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Данилевский, Лискер

МПК: H01L 29/82

Метки: магнитный, резистор, управляемый

...ферромагок 2 и 25 бмотке и в обей возИзвестный управляемый магнитный резистор, выполненный в виде плоской кольцеобразной ферромагнитной пленки с круговойанизотропией и охватывающих эту пленкувозбуждающей, выходной и входной обмоток, 5обладает относительно большой инерционностью,В описываемом управляемом магнитномрезисторе снижение инерционности достигнуто тем, что входная обмотка выполнена в виде двух полуобмоток, соединенных между собой встречно и расположенньп симметричноотносительно вьподной и возбуждающей обмоток, размещенных на противоположных сужснньп участках кольцеобразной ферромагнитной пленки.На чертеже схематически изображен описываемый резистор,Плоская кольцеобразная ферритовая пленка 1 снабжена расположенными на...

Номер патента: 211638

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Зарипов, Курбанов

МПК: G01R 17/20, G08C 19/02, H01F 29/08 ...

Метки: бесконтактный, многооборотный, переменного, потенциометр

...перемещающегося гдоль оси 4, обмотки возбуждения б, расположенной во внутренней полости подвижного магнитопровода 3,10 Измерительная обмотка намотана на маг нитопровод так, что удельное число витков, приходящееся на единицу угла поворота подвижной части, рас-ет равномерно от центра магнитопровода к его концам.15 Подвижной магнитопровод 3 служит для создания магнитного потока, путь которого показан штриховыми линиями на фиг. 2, Подвижной магнитопровод представляет собой полый цилиндр с изогнутой осью, совпадаю 20 щей с осью провода, намотанното на магнитопровод 1. Обмотка возбуждения б охватывает часть витков измерительной обмотки 2. При питании обмотки возбуждения от источника переменного тока создается магнитный поток, величина...

Номер патента: 379912

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Автор

МПК: G05F 1/20, H01L 29/82

Метки: всесоюзная

...справа налево; если же ВУВ той же величины наложить на другую область, то электрический ток течет через тот же четырехполюсник в противоположном направлении, т. е. слева направо,Если ВУВ увеличивает проводимость чувствительной к нему полупроводниковой структуры цепи, то наложение ВУВ на область, ле 5 ю 15 го 25 зо 35 40 45 50 55 60 65 жащую слева от плоскости Я, вызывает такое перераспределение электрического тока, подходящего к местам пространственного скрещивания ветвей, что передача в четырхполюснике происходит слева направо, а если ВУВ той же величины наложить на другую область, то в этом случае электрический ток будет течь через четырехполюсник в противоположном направлении, т. е. справа налево.Таким образом, изменение...

Номер патента: 419988

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Богомолов, Шульман

МПК: H01F 3/14, H01L 29/82

Метки: магнитоуправляемый, силовой, элемент

...между нимимагнитоуправляемымп элементами 16 и 17 образуют цепь переменного магнитного потока, который создается переменным током, проп.- кающим по четырем надетым па ленточные сердечники и последовательно-согласно включенным обмоткам 18 - 21 возоуждения, Цепь переменного магнитного потока через симметричные точки последовательно включена в цепь постоянного магнитного потока, состоящую из постоянного магнита 22 и двух магнитопроводов 23 и 24. Магнитный поток, создаваемый переменным током в обмотках возбуждения, замыкается по контуру; сердечник 15 - элемент 16 - сердечник 14 - элемент 17 и его направления в воздушных зазорах обоих магнитоуправляемых элементов противоположны друг другу. Направления магнитного поля, создаваемого...

Номер патента: 460813

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Матуленис, Пожела, Царенков, Юцене, Яковлев

МПК: H01L 29/82

Метки: магниторезистор

...ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ тлаС 1 ИН- ки, па рмер пзасгинкн Германия собств:пной проводимоси, грани которой имеют различ 1 ую скорость поверхностной рекомбинации.Однако изиестпыи магшггорезистор оклада е н высокой стаоилшостьо пз-за плохой сгаоильпости поверхностных своисгв полупроводника) и малым оыс гродсйствпемО -- О- С).О целью увеличения быстродейсгвия и ста- б ОИЛЬПОСТИ В ПРЕДЛ 2 ГаЕМОМ МаГНИ 10 РЕЗИСТОРЕ пластина Вьшолпена на основе варизопного ПОЛУПРОВОДНИК 2, а КОПаКТЫ РаСПОЛ 05 КЕПЫ Па стороне пласгипы, где шпрш 2 запрещеннои зоны минимальна. 20Ы качестве варизонного полупроводника могут быть использованы твердые растворы, меняющие тип минимума долины зоны проводимоси, например 2,А 1 АВ.1 редлагаемый магпиторезистор работает 2...

Номер патента: 785910

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Павлов, Якунин

МПК: H01L 29/82

Метки: датчик, холла

...установлен на периферии диска, другой - на расстоянии а от него, потенциальные электроды расположены соответственно на расстояниях в и с от первого токового электрода, которые определены условием2 ай2,ГУд+,зД.) Ь а,асСа 2 Р (,) где Р - радиус круга.Суть изобретения поясняется чертежом, на котором изображен датчик785910 8856/55 ИИПИ филиал ППППатен вторичного эффекта Холла, представляющий собой полупроводниковую пластину 1, например круглой формы, на поверхности которой определенным обра;ом.установлены четыре точечных электрода, Токовые электроды 2 и 3 используются для пропускания тока 3 через пластину, а потенциальные электроды 4 и 5 для измерения разности потенциалов О. Датчик помещают . во внешнее одяородное магнитное по- . ле,...

Номер патента: 782640

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Богун, Карпова, Корнилов, Привезенцев

МПК: H01L 29/82

Метки: магниточувствительный, полупроводниковый, прибор

...противоположной грани болеедиффузионной длины дырок.Прибор выполнен следующим образом,В качестве полупроводника использованмонокристалл кремния, содержащего цинкв концентрации К= 1 104 см -и и фосфор в концентрации Мр -- 1,5 10-4 смРазмеры параллелепипеда составляюткоторые находятся на расстоянии 0,12 см,0,12 Х 0,08 х 0,06 см, В казачестве контактов,использован алюминий, напыленный наторцы параллелепипеда, Для полученияразной шероховатости одна грань параллелепипеда, перпендикулярная контактами параллельная линии действия мангитного поля, шлифовалась абразивным порошком с размером зерна порядка 10 мкм,а другая, ей противоположная, подвергалась химико-механической полировке. Онинаходятся на расстоянии 0,06 см,Прибор работает следующим...

Номер патента: 911656

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Алерс, Аллпох, Вальдман, Диппман, Краусс, Раух, Ульбрихт, Шобер

МПК: H01L 29/82

Метки: магнитным, переключатель, полем, пороговый, управляемый

...электродов с магнитострикционными свойствами и охватывают аморфный полупроводниковый матер иал. Для улучшения переклюцательныхсвойств в изоляционном слое расположен металлический, магнитный или немагнитный промежуточный слойКроме того, переключательныйэлемент состоит из последовательного соединения отдельных пороговыхпереключателей,На фиг,1 изображена вольт-амперная характеристика переключателя;на фиг,2 - один из вариантов порогового переключателя, поперечное сечение; на фиг.3 - специальная структура изолирующего слоя, поперечное се.чение,Изготовленный известными технологическими средствами пороговый переключатель расположен, например, наметаллической или стеклянной подложке 1, На подложке 1 в качестве первого слоя находится...

Номер патента: 945930

Опубликовано: 23.07.1982

Автор: Хэнтше

МПК: H01L 29/82

Метки: величин, магнитным, переключатель, переключения, полем, пороговый, постоянных, управляемый, электрических

...материала аморфной структуры, соединенных между собой последовательно состоит из двух,50последовательно соединенных пере-ключающих элементов 1 и 2, один изкоторых, шунтирован конденсатором 5,а точка отвода 6 переклюцаемой электрицеской постоянной величины расположена между переключающими элементами.На фиг,1 изображен пороговый переключатель, поперечное сецейие; на фиг.2 - электрическая схема порогово- го переключателя.Пороговый переключатель состоит из двух переключающих элементови 2, построенных из полупроводнико-. вого материала аморфной структуры. Переключающие элементы 1 и 2 расположены вдоль движения ползунка 3, который может приводиться в положение А или Е переключателем, клавишей или другим органом управления (не показан ) ....

Номер патента: 966797

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Гуга, Малютенко, Манюшите, Сашук

МПК: H01L 29/82

Метки: магниточувствительный, прибор

...вбли-зи освещенной грани, в зависимости отнаправления магнитного поля прижимаются силой Лоренца либо к освещенйойграни с изменяющейся скоростью поверхностной рекомбинации, либо к ее противоположной.Если носители прижимаются к освещенной грани с изменяющейся скоростьюповерхностной рекомбинации, то в полупериод, когда скорость поверхностной рекомбинации уменьшается, носите- фли накапливаются у этой грани, времяжизни их увеличивается и сопротивление прибора падает. В следующий полупериод, когда скорость поверхностнойрекомбинации увеличивается, носители,прижатые к освещаемой гр-ни, рекомбинируют с большей скоростью, т. е,. время жизни их уменьшается и концентрацйя носителей падает - сопротивлениеприбора возрастает. В результате это- фго на...

Номер патента: 816342

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Пожела, Сталерайтис, Шилальникас

МПК: H01L 29/82

Метки: индукции, магнитного, полупроводниковый, поля

...также невелик из-занасьццения, а затем и перегиба передаточной характеристики при увеличении индук-ции магнитного поля.Целью изобретения является расширение диапазона линейного преобразованияиндукции. магнитного поля при сохранениивысокой чувствительности преобразователя. 40Цель достигается тем, что в полупроводниковом преобразователе индукции магнитного поля, выполненном в виде прямоугольной полупроводниковой пластины стоковыми контактами на противоположных торцах, содержащем область большой 45скорости рекомбинацииносителей заряда,образованную на одной из боковых граней, сформированы две дополнительныеобласти с большой скоростью рекомбинации на противоположных боковых граняхперпендикулярных грани, на которой образованная область...

Номер патента: 1702458

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Йордан, Смирнов

МПК: H01L 29/82

Метки: биполярный, латеральный, магнитотранзистор

...сформирована вторая инжекторная область второ О типа проводимости, расположенная с противоположной стороны от первой контактной базовой области на расстоянии большем, чем расстояние между первой контактной базовой областью и первой инжекторной областью.На чертеже приведен биполярный латеральный магни готранзистор, поперечный разрез, со схемой его внешнего соединения.Биполярный латеральный магнитотранзистор состоит иэ полупроводниковой пластины 1 первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно расположенные на расстоянии один О 1 другого первая контактная базовая область 2 первого типа проводимости, инжекторная область 3 Второго типа проводимости, коллекторная область 4 второго типа...

Номер патента: 1452410

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Гуменюк

МПК: H01L 29/82

Метки: магниточувствительный, прибор

...где ш 1,22 Ыи в йервом и во втооом рядах, Между областями 6 и 4, а также 9 и 4 сфор мированы области 11 с высокой скоростью поверхностной рекомбинвпии (большей, чем на порядок, чем на границе областей 2-3),Прибор работаег следующим об-55 разом,Инжекционные транзисторы первогои второго рядов образуют соответс 1104венно два кольцевых генератора, частота генерации которых зависит :оттока инжектора соответственно к пер"вому и второму рядам. Ввиду эквивалентности строения, геометрии, взаимного расположения и расположенияотносительно инжектора данных генераторов их частота меняется синхроннопри воздействии температуры и другихфакторов, например, на величину ду,Ввиду же противоположного направления токов инжектора к первому и второму...

Номер патента: 1466595

Опубликовано: 15.04.1994

Автор: Щенников

МПК: H01L 29/82

Метки: магниторезисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТОРОВ, включающий формирование контактов на образце полупроводникового материала, размещение образца в герметичном корпусе - камере высокого давления и создание в камере давления в области фазового перехода Pt, отличающийся тем, что, с целью улучщения температурной и полевой характеристик магниторезисторов, в камере высокого давления создают давление в диапазоне Pt < P < Pt + 0,2 ГПа, фиксируют положение пуансонов и выдерживают образец под этим давлением в течение (2,88 - 8,64) 104 с.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве полупроводникового материала используют селенид...

Номер патента: 1797416

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Викулин, Викулина, Глауберман, Мальцев, Прохоров

МПК: H01L 29/82

Метки: магнитотранзистор

...7 уменьшается. Эта приводит к росту падения напряжения на резисторе 10 и уменьшенио нзрезисторе 12, т. е. к возникновению разности потенциалов 01 между коллекторами 6 -7, которая увеличивается с ростом 81. Приэтом токи коллекторов 7-8 изменяются оди"наково и разность потенциалов между ними02 = О. Точно таким же образом возникаетразность потенциалов 02 между коллекторами 7 - 8 при возникновении внешнего магнитного поля с индукцией В 2. Соответственно, при В 1 = 0 поле В 2 одинаково меняет. составляющей магнитного поля В 1, а 02между коллекторами 7 - 8 - функцией В 2, чтои позволяет иэмерять взаимно перпендикулярные составляющие магнитного поля 81 и10 ВОпытные образцы магнитотранзисторов изготавливались иэ и-германия удельным...