Патенты с меткой «кмоп»

Номер патента: 921052

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Беляев, Ваградов, Смирнов, Фильцер

МПК: H03K 3/286

Метки: кмоп, транзисторах, триггер

...в диодном включенииподключены к шине 6, а выходы триггера 8 подключены соответственно,к затвору второгои третьего дополнительных МОП транзисторов 14 и 15,того же типа проводимости, истокикоторых подключены к шине 7, а стоки к затвору четвертого дополнительного МОП транзистора 16 того же типапроводимости и через пятый дополнительный МОП транзистор 17 дополняющего типа проводимости - к шине 6, 35исток транзистора 16 и затвор транзистора 17 подключен к шине 7, асток транзистора 16 - к одному извыходов триггера 1.Устройство работает следующим образом.В процессе нарастания напряженияпитания вначале открывается транзистор 17 и вследствие этого транзистор16, при этом низкий потенциал поступает на один из выходов триггера 1.По мере...

Номер патента: 1094020

Опубликовано: 23.05.1984

Авторы: Дворников, Калинин, Чичев

МПК: G01R 31/28

Метки: инвертора, кмоп, передаточной, характеристики

...и, сле 6 Ьвательно, с второго выхода блока 2 формирования опорных напряжений, устанавливается напряжение равное Е, ,где Е - напряжение питания контролируемого объекта, равное в данном 5 о олучае минус 1,4-1,6 В, и поступает на первый выход 18 блока 3 формирования линейно изменяющегося напряжения и, следовательно, на вход ключа 5, который также как и 55 ключ 4 находится в непроводящем сос тоянии, так как на их управляющие входы поступает уровень нуля с единичного выхода триггера 35 через второй выход 42 блока 11 управления. При этом напряжение питания и входной сигнал на средство для подключения контролируемого объекта 6 не подается. На выходе повторителя 7 в этом случае устанавливается потенциал нуля. Потенциал нуля также...

Номер патента: 1239658

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Барков, Бражникова, Дмитриев, Знаменская, Каленик, Малков, Молодык, Петров, Сизов

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: кмоп, ненадежных, отбраковки

...загрязненийявлчются основные операции технологического процесса изготовления МОПструктур. Такую же роль, как и загрязняющие примеси, могут играть различные дефекты кристаллической решетки; пустые узлы, дислокации илиЗО сдвиги, возникающие при деформациикристаллов и т,д,Велгячина обратного теплового токав диапазоне температур 50-70"С, обусловленная загрязнениями кристаллаи окисла, зависит как от концентрациипримесей, так и от величины энергиисоответствующей примесному уровню, т,е, виду примесных атомов, Поэтому по величине обратного тепло 40 вого тока в диапазоне температур 50 о,70 С можно судить о наличии загрязнения кристалла, однако из-за разницы в величине Е трудно судить оконцентрации примесей,При 90-120 С приращение обратного...

Номер патента: 1269061

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Дмитриев, Малков, Петров

МПК: G01R 31/303

Метки: интегральных, кмоп, надежности, отбраковки, схем, уровням

...Ом до момента, пока в результате очередной проверки будет полученсигнал, свидетельствующий о прекращении функционирования микросхемы,Функционирование микросхем контролируют методом функционально-параметрического контроля, при этомконтроль заданного значения параметра производится путем измерениязначения напряжения выходного сигнала через время задержки контроляпосле подачи очередного входногосигнала,Параметр считается соответствующим норме, если выходное напряжение микросхемы через время Т соответствует заданному в технических усло-,виях логическому уровню. Таким образом, контролируемым параметромявляется уровень выходного сигналачерез время г, Микросхема считаетсяправильно функционирующей, если выполняются условия где Б ; - выходной...

Номер патента: 1522131

Опубликовано: 15.11.1989

Автор: Калинин

МПК: G01R 31/28, G04D 7/00

Метки: инвертора, кмоп, передаточной, характеристики

...вэто время .равен нулю, Аиг, 2 д), обеспечивает Формирование на выходе сумматора 4 потенциала, подача которогона вход контролируемого объекта обеспечивает, с учетом существующегоразброса по положению активной области передаточной характеристикиотносительно напряжения Бв от экземпляра к экземпляру контролируемого КМИП-инвертора, переход его изактивной области н область отсечки,выходе одновибратора 20 блок выборкии хранения переходит в режим хранения и одновременно триггер 23 устанавливается в состояние "1" (Фиг.2 г).Потенциал логической единицы с единичного выхода триггера 23 поступает на управляющий вход ключа 6, переводя его в проводящее состояние,и на вход Формирователя 3 линейноизменяющегося напряжения, разрешаяФормирование на выходе...

Номер патента: 1529288

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Беккер, Петухов, Фомин, Фролов

МПК: G11C 11/40

Метки: бис, записи, информации, кмоп, структурах, хранения

...области пространственного заряда коллекторноо перехода, отклоняется от прямолиейной, Радиус кривизны траектории еоснованных носителей заряда пропорционален величине вектора силы Лорена Г Таким образом, при приложении агнитного поля определенной величи-. ны можно достичь полного ответвления ока, создаваемого основными носите-, ямн заряда при обтекании областей бъемных резисторов 5 и 6, шунтируюих эммитерные переходы транзисторов10, 7 и 8 прямой и обратной проодпмости, что устраняет возможность нжекции зарядов эммитерами составяющих транзисторов. Вследствие отутствия инжекции эммитеров устраня тся возможность увеличения тока, протекающего через паразитную тирисорную структуру, которое может приести к изменению коэффициентов усиения по току...

Номер патента: 1640660

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Воинов, Кураченко

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, кмоп, надежности, отбраковки, схем, уровням

...у и нижней границе ее изменения РуИзвестно, что при проведении испытаний по биноминальной схеме при отсутствии отказов в процессе испытанийРу=(1 -у)" (3) где и - минимальное количество испытаний.Для определения количества минимально необходимых испытаний положим РуРтр,При этом условии соотношение (3) принимает видР,р (1 -у)(4)Логарифмируя неравенство (4), получим(5)Ограничиваясь минимальным значением и, получимп и (6)откуда и следует формула изобретения, На чертеже показана схема реализации способа.На схеме обозначены источник 1 питания, переменный резистор 2 нагрузки, испытуемая микросхема 3, блок 4 функционально-параметрического контроля, например стенд контроля интегральных схем "Повод".Напряжение питания с источника 1 подается на...

Номер патента: 1676065

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Иванисов, Попов, Рыжов

МПК: H03F 3/16

Метки: кмоп, операционный, транзисторах, усилитель

...достигнуто за счет уменьшения постоянных времени во внутренних узлах данного канала и в первую очередь в узле подключения затвора транзистора 6, Постоянная времени в данном узле определяется произведением величины паразитной емкости в данном узле на выходное сопротивление второго дифференциального каскада вспомогательного канала. Соединение затвора и стока третьего нагрузочного транзистора 9 переводит данный транзистор в диодный режим. При этом выходное сопротивление второго дифференциального каскада вспомогательного канала падает с десятков МОм до десятков кОм. Расчеты показывают, что частота доминирующего полюса при этом определяется крутизной третьего 3 и четвертого 4 транзисторов и емкостью нагрузки,Таким образом, вспомогательный...

Номер патента: 1739325

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Картамышев, Кленов, Котов, Нуров, Сидоренков

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, кмоп, озу, статических, схем

...информативного параметра- тока утечки в общей шине питания - необходимо проводить в режиме хранения, когПо окончании перезаписи информации 5 из ИС 8 в блок 5 памяти по очередному сигналу с блока 7 управления производится снова включение генератора 2 тестовых воздействий, но в этом случае управляющие сигналы с генератора 2 тестовых воздейст вий создают режим считывания информации с блока 5 памяти и записи ее в контролируемую ИС 8 в инверсном виде. Инверсия сигналов осуществляется с помощью блока 6 инвертирования (для однода ток утечки проверяемой ИС обусловлен утечкой элементов запоминающей матрицы и не маскируется током потребления усилителей записи и считывания.Следующий сигнал, поступающий через 200 мкс с блока 7 управления на блок...

Номер патента: 1772772

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Гаврилов, Покровский

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, кмоп, схем

...напряжении питания ниже критического ука 1772772занное условие соблюдаться не будет, Таким образом можно построить частотные характеристики (ЧХ) критических напряжений, Если в КМОП ИС утечки пренебрежимо малы, ЧХ будет падающей с уменьшением частоты. В противном случае ЧХ, начиная с некоторой частоты., выйдет на горизонтальный уровень, зависящий лишь от величины утечки, Обьясняетсл зто тем, что при снижении напряжения питанил, начиная с напряженил, зависящего только от величины утечки, а не от частоты, указанная утечка становится слишком сильной нагрузкой для МОП-транзистора с уменьшающимся током стока, вследствие чего транзистор перестает выполнять функции ключа,На чертеже приведена типовая зависимость ЧХ критического напряженил Екя...

Номер патента: 1819352

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Воронцов, Ильюк, Молчанов, Остапчук, Пенцак, Чекмезов

МПК: G01R 31/26

Метки: кмоп, ненадежных, отбраковки

...близких к 90 ф, Под максимально допустимым током контроля мч здесь подразумевается такой ток, при котором наступает тепловое равновесие; т,е. энергия джоулева тепла, 35 выделяемого нэ контролируемых р-и-переходах, равна энергии отводимого тепла. При превышении энергии разогрева над отводимой р-и-переход разрушается. Предлагаемый метод является неразрушающим; величину эталона, определяющего угол наклона ВАХ на участке развития лавинного процесса для конкретмых типов приборов определяют опытным путем, поскольку пробивное напряжение зависит как от топологических размеров полупроводниковых элементов и их ухода. так и от изменения технологических процессов изготовления ИС, Для этого приборы, от- бракованные нэ первом и втором этапах,...

Номер патента: 1431619

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Ачкасов, Гитлин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/8238

Метки: больших, интегральных, кмоп, структур, схем

...стравливают первый подзатворный слойоксида кремния б с активных областей 15 на подложке 1 и карманах 5 (см, фиг.5). После химической отмывки окислением в водяном 25 паре при 800 С на поликремнии 12 выращивают слой изолирующего оксида кремния 16 толщиной 0,25 мкм и при 1000 ОС в кислороде выращивают второй слой подзатворного оксида кремния 17 на активных областях 15 З 0 толщиной 60 нм (см. Фиг.б). Пиролизом моносилана при пониженном давлении осаждают второй. защитный слой поликремния 18 толщиной 0,1 мкм, на котором формируют фоторезистивную маску 19, закрываюЗ 5 щую активную область карманов 5, иионной имплантацией бора (60 кэВ;0,02 мК "см ) проводят подгонку порогового напряжения транзисторов, формируемых в подложке 1, создавая области...

Номер патента: 1790316

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Ачкасов, Глазнев, Мещеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, кмоп, структур, схем

...(2 - 15 с) оксида кремния необходимо проводить се- травление оксида кремния в контактных оклективно, получая на легированных донор нах, образование которого возможно при ной примесью активных областях и выполнении технологических операций (наполикремнии слой оксида кремния толщи- . пример, удаление фоторезиста), следующих ной около 0,3 мкм, а на легированных актив- за операцией травления изоляции второго ных областях - 0,05 - 0,08 мкм, чтобы уровня поликремния.Дополнительноетрэвисключить маскирование ионов бора при ление производят в травителе на основеплавиковой кислоты. Так как время травления мало, то ухудшения изолирующихсвойств межслойного диэлектрика практически не происходит,Формирование буферных областей второго уровня...