ZIP архив

Текст

40 ОЖ ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик Зависимое от авт. свидетельстваМ. Кл, Н 011 7/44 Н 011 15/О197 (Л 1071523/24-7 влено 17.1/ с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 01.Х,1973. Бюллетень40 асударственныи комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий 21.315.392,3 (088.8) вания описания 12.11.1974 ата опубли Авторыизобретения М. Коган, Б. И. Вишневская, Н, А. Гальчина и Ю еготь Заявитель ПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДНЬ 1 Х ИСТОЧНИ ЗЕЛЕНОГО СВЕТА НА ОСНОВЕ фОСфИДА ГАЛ В 2 Изобретение относ товлепия полупровод та и может быть при как дискретных свето мецтных панелей, р чающих зеленый свет Известен способ и из фосфида галлия тодом жидкостной для легирования азо структуры используетехнологии источнико ля изготов так и мноматриц,изго- свечения оэле- излуится к тиковыхменено ддиодов,азличных зготовления светодиодов с зеленым свечением меэпитаксии, при котором том и- и р-областей р-ися аммиак. Цель изобретения - упрощение способа и достижение максимальной концентрации азо. та, яркости свечения и эффективности зеленого свечения.Поставленная задача решается путем использования азотсодержащих соединений фосфора, которые вводятся в галлий, нанесенный на поверхность пластины фосфида галлия, При нагревании в атмосфере водорода это соединение разлагается на элементы, в число которых входит азот, Азот легирует галлиевый расплав, из которого производится наращивание эпитаксиальных слоев, в результате чего эпитаксиальцые слои оказываются легированцьпи азотом.В качестве такого азотсодержащего соединения может быть использован пецтанитрид фосфора РзМз, который при нагревании разлагается на моцонитрид фосфора и элементарные азот и фосфор.Пентанитрид фосфора обладает наиболеенизкой температурой разложения, вследствие 5 чего его удобно использовать для эффективного легирования азотом.Использование пецтанитрида фосфоракроме обеспечения легировацця эпитаксиальных слоев азотом позволяет также уменьшить 10 расход фосфида галлия за счет насыщениягаллиевого расплава фосфором.П р и м е р, Эпцтаксиальная р-гг-структураизготавливается путем наращивания из галлиевого расплава г- и р-областей. В качестве 15 подложки могут быть использованы дендритцые пластины фосфида галлия, легированные теллуром до концентрации 4 10"+1 10 ггсм - .Подложка фосфида галлия и смесь, из которой производится эпитаксиальное наращива ние, помещаются в водородную печь. Смесьсостоит из Са+2,3 мол. % СгаР+ (0,2 - 0,9) мол. о/о Р,Х 5. Пластины фосфида галлия и смесь нагреваются в атмосфере водорода до 1000 С, после чего смесь заливается на 25 подложку и производится медленное охлаждение до температуры 960 С. В процессе охлаждения выращивается слой и-гаР толщиной 20 мкм, легированный азотом.Затем вся композиция выдерживается при 30 температуре 960 С в течение 10 - 30 мин.Составитель Л, СольцТехред 3. Тараненко Корректор А. Васильева Редактор В. Левитов Заказ 254/12 Изд.2005 Тпрак 7 В 0 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 В процессе этой выдержки в рабочую зону подаются пары цинка, увлекаемые током водорода, из отдельного источника паров. Пары цинка насыщают галлиевый расплав. После окончания выдержки производится дальнейшее медленное охлаждение системы до 850 - 900 С, в результате чего происходит наращивание слоя р-баР толщиной 20 - 30 мкм, легированного цинком и азотом.Затем пластины с р-п-структурами нарезаются на кристаллы размером 1(1 мм и из них собираются светодиоды. Свет выводится через р-область р-п-структуры. Предмет изобретения1. Способ изготовления диодных источников зеленого света на основе фосфида галлия путем эпитаксиального наращивания из жидкой фазы и- и р-областей р-г-структуры, легированных азотом, от,гича(ощийся тем, что, с целью упрощения, в галлиевый расплав 5 вводят азотсодержащее соединение фосфора,2. Способ по п. 1, отлачаогиигся тем, что,с целью получения максимальной концентрации азота и максимальной яркости свечения, 10 в качестве азотсодержащего соединения фосфора используют пентанитрид фосфора. 3. Способ по пп. 1 и 2, огличглоигийся тем,что, с целью получения максимальной эффек тивности зеленого свечения, пентапитрид фосфора вводят в галлиевь,й расплав в количестве 0,25 - 0,9 мол, в 1.

Смотреть

Заявка

1671523

МПК / Метки

МПК: H01L 21/18

Метки: 400931

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-400931-400931.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">400931</a>

Похожие патенты