Способ совмещения рисунка фотошаблона с рисунком полупроводниковой пластины

1ф- .с Ъ "Р;".; .СЕЙФряигр1 1 д Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик О П ИСАНИГ 3ИЗОБРЕТЕН ИЯ К ПАТЕНТУ Зависимый от патента-Заявлено 03.17.1970 ( 1421267/26-25)Приоритет 05 Х.19 б 9,ЖР 21 д/139 б 01, ГДРОпубликовано 17,1 Х,1973. Бюллетень37Дата опубликования описания 15.П.1974.Ч. Кл. Н 011 7164 Государственный комитетСовета Министров СССРпо делам изооретенийи открытий УДК 621,328,001.3Авторыизобретения Иностранцы Курт Кох, Герхарт Дорнхайм и Пауль ЗауэрбрайИностранное предприятие Феб ЭлектроматЗаявитель СПОСОБ СОВМЕЩЕНИЯ РИСУНКА ФОТОШАБЛОНА С РИСУНКОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов.Известны способы совмещения рисунков фотошаблона и полупроводниковой, пластины, при которых полупроводниковая пластина выставляется параллельно фотошаблону в результате прижима ее к фотошаблону и псследующей фиксации в этом положении. Затем пластина опускается на требуемое расстояние, причем сохраняется ее параллельность фотошаблону.В этом положении рисунок полупроводниковой пластины совмещают с рисунком фото. шаблона, после чего пластину для контактной засветки фоторезиста на ее поверхности с 1;ова прижимают к фотошаблону,Недостатком известных способов является износ фотошаблона, представляющего собой фотопластинку, темные,и светлые участки эмульсии которой обеспечивают требуемый рисунок. Наибольшие повреждения дорого стоящего фотошаблона происходят при при жиме к нему, полупроводниковой пласт 1 ы для обеспечения плоскопараллельности. В результате возникающих при этом соковых смещений между пластиной и,фотошаолоном сти,рается эмульсия ца фотошаблоце.С целью уменьшения износа фото 1 паблоца, согласно предложенному способу, полупроводниковую пластину прижимают к базовому выступу эталона, закрепляют ее в этом положении, после чего заменяют эталон фотошаб лоном, при этом между нижней плоскостью фотошаблона и полупроводниковой пластиной 5 образуется зазор, равный высоте базового выступа эталона.На фиг. 1 представлено устройство длясовмещения,и экспонирования, общий вид; на фиг. 2 - устройство для совмещения, реали О зующее предложенный способ; ца фиг. 3, 4показано положение элементов устройства для совмещения вмомецты установки полупроводниковой пластины по эталону и установки в рабочем положении фотошаблона.15 Параллельность между полупроводццковой пластиной 1 и фотошаблоном 2 обеспечивается юст 11 ровкой пластины Относительно эталона 3. После поджима пластины к э.ало ну ее закрепляют в этом положении, смещают 20 эталон, а а его место устанавливают фотошаблон. При этом фотошаслсн устанавливается параллельно над цолуцровод 1 гцковой пластичой ца расстоянии и за счет наличия на эталоне базового выступа 4.25 Данный способ может сыть реализован вОсычнсй установке для совз 1 ещенця и экспонирования (фиг. 1), содержащей микроскоп 5 и устройство для экспонировацця 6, которые попеременно устанавливаются цад устройст вом 7 для закрепления фотошаолоча 2. В кор.Устройство для совмещения (фиг, 2, 3, 4), с помощью которого реализуют,предложенный способ, содержит каретку 10 для фото- шаблона 2 и каретку 11 для эталона 3. Каретки 10 и 11 связаны между собой двумя плоскими пружинами 12 и могут передвигаться с помощью шариков 13, расположенных на общем столе 14, Шарики уложены в призматические канавки 15, выполненные в столе по обе стороны гнезда 9. По сторонам гнезда 9 предусмотрены также опоры 1 б с каналами, по которым поступает сжатый воздух,для фиксации фотошаблона или эталона над гнездом 9. Установочные винты 17 служат для гЛйй а,оставитель В. Гришин Тсхрсл Л. Богданов Коорсхтор Л. Орлова актор Т, Орловска Поди испоССР Тираж 780овета Министроткрытийаб., д. 4/5982иого комитетам изобретенийЖ-З 5, Раушскан каз 740/2452ЦНИИ Изд. И Государстве по дел Москва, ип. Харьк. фил. пред, Патент пусе 8 установки расположен координатный стол с гнездом 9 для закрепления полупроводниковой,пластины 1. точной фиксации сменных фотошаблонов 2.В середине стола 14 выполнен проем 18для перемещения гнезда 9 с пластиной 1 по направлению к фотошаблону 2,или эталону 3.5 Предмет изобретения Способ совмещения рисунка фотошаблонас рисунком полупроводниковой пластины при 1 О контактной фотолитографии, отличающийсятем, что, с целью уменьшения износа фото- шаблона, полупроводниковую пластину прижимают к:базовому выступу эталона, закрепляют ее в этом положении, после чего заме няют эталон фотошаблоном, при этом междунижней плоскостью фотошаблона и полупроводниковой пластиной образуется зазор, равный высоте базового выступа эталона.