Способ ориентирования базового среза

.гО П И С А Н И Е,З 979 М Союз СоветскихСоциалистическихРеслублин ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ства-8956/26-2 ЯВИСИМОС ОТ Я 13 Т. СВ 1 ДСТСЛ.Ч, 1 х присоединением заявки Л сударственныи комитеовета Министров СССРоо делам изооретенийи открытий Приоритет -Опубликовано ллетсньК 621.382(088.8) 7.1 Х.1973. та опубликования описания 20.Х 1.1973 Авторыизобретен И. В. Кириченко и М. А. Бушман Заявител ОСОБ ОРИЕНТИРОВАНИЯ БАЗОВОГО СРЕЗАНА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛИТКАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при выполнсНии базового среза на монокристаллических и германия и кремния в процессе производства интегральных схем, диодных матриц, планарных транзисторов,Иззестные способы ориентирования базового среза (рентгеновский, оптический, по граням на слитке) основа 1 ны на определении линии выходя какой-либо крлсталлографической плоскости на исходную плоскость,плоскость пластины), нерпеНдикулярнуо оси роста слитка, и отсчитывании от этой линии угла для определения требуемой плоскости базово- ГО с,"сза. 3 и способы нсдоетятд 1 нд эффективны.Например, способ ориентирования базового среза пд граням на слиткс проще рентгснов- СКОГО И О.1 ТЧССКОГО, НО НЕ ВССГДЯ ПРИМЕНИМ, В астнссти, д,я слитков, исполз"емьх)з приборах пла:арной технологии, этот спдсоо орнснтировая базового среза трудно реализд 13 ять, 1 як как зсс Грани,при этом сошлифОВываются. Кроме того, способ неприемлем в случаях, когда выходы граней на слитке широкие например почти на всех слитках гср 5 мания и на части слитков кремния,Целью изобретения является уменьшение трудоемкости способа ориентирования базовд. о среза, упрощение, расширение диапазона сго применения (нсзависи 5 мо от материала и формы слитка, упрощение реализации (без применения дорогостоящего и громоздкого 5 оборудования и вредных химических и радиоактивных вещсств).Поставленная цсль достиГяется тем, что длпрсдслсния базового среза в качестве кристяллОГряфиескОЙ плоскости прГнмаОт О плоскость спайности, линию выхода которойна исходную плоскость определяют путем разламыва:ия пластины приложением усилия к се Гсомстрческдму центру. Ориентирование базового среза на слитке производят относигелыно лни разлома одной из частей пластины, совмещснндй с первоначальным положеИ 1- ем на слитке. Пластину вырезают из слитке в плоск сти, перпендикулярной сто продольной оси, толщиной 200 - 400 мкм.о На станке для резки слитков алмазнымл,исках От слитк 1 Отрезают пластину нужной толщины. Затем к геометрическому центру пластины, размещенной на резиновой подложке, прикладываот усилие. например, с помо.5 щыо шарика индснтора, при этом пластинаразламывается на,сектора по плоскостям спайности. Диаметр шарика индентора составляет 8 - 13 м.1, толщина полупроводникоВой пластины - -200 - 400 з:км. Подложка выполнена из Вакуумной резины с шсохоВатойповерхностью.На фиг. 1, 2, 3 показаны варианты разломаполупроводниковых пластин по кристаллографическим плоскостям спайности и выходы плоскостей спайности на исходную плоскость (плоскость пластины). Так, на фиг. 1 представлен,вариант разламывани 51 полупроводниковой пластины из слитка, выращенного в направлении 111, по кристаллографическим плоскостям спайности (111); на фиг. 2 - разламывание пластины из слитка 1110 по плоскостям спайности (111); на фиг. 3 - разламывание пластины из слитка ,100 п плоскостям (110),После разламывания пластины берут один из секторов л 1 обой) и совмещают его 1 няпрн мер, с помощью следов от режущего алмязно О диска) с РГО пРрвонячяльньгм полоненем на слитке (до вырезания пластин из слитка). 2 п Го краю сектора проводят черту, которая является выходом,кристяллографической плоскости спайности на исходну 1 о плоскость. Затем, в зависимости от заданной кристаллографической плоскости, от 1 носительно полученной ли нии .выхода плоскости спайности ориентируют базовый срез.Если, например. на монокристаллическом слитке кремния, выращенном в направлении Зо 1111, требуется изготовить базовый срсз по плоскости (110), то он будет расположен перпендикулярпо плоскости спайности. Дл 51 нахождения плоскости (110) перпендикулярно полученной линии выхода плоскости спайно- з 5 сти проводят линию, которая будет являться выходом требуемой кристаллографической плоскости (110) на исходную плоскость и, следовательно, линией выхода базового среза, Параллельно плоскости (110) производят ба 40 зовый срез на слитке или, в целях экономии материала, делают отметки по Обеим сторонам линии выхода плоскости (110).Если базовый срез необходимо изготовить в плоскости (111) на слитке 1111, то в этом случае базовый срез совпадает с плоскостью спайности.В других случаях ориентирование базового среза ведутиспользуя известные значения уг. лов между кристаллографическими плоскостями. Найденный утол откладывают от линии выхода плоскости спайности, и полученная линия будет являться линией выхода требуемой плоскости базового среза.Г 1 рРдмст изоорстРни 51. Способ ориенгирования базового среза на монокристаллических слитках полупроводниковых материалов, в частности германия и кремния, основанный на определении линии выходя какой-либо кристаллографическойня исходную плоскость, перпйндикулярную оси роста слитка, От.1 ичаОщий;ч ТР.1, ТО, С ЦРЛИО УПРОЩРНИ 51 ЯППЯРЯТУРНОЙ реализации способа без ухудшения точ ости ориентирования, а такжс расширения технологически.; возмояностей, в качестве кристаллографической,плоскости принимают плоскость спайности, ливонию выхода которой определ 5 пот путем разламывания пластины приложением усилия,к ее теометрическому центру, з Орие 5 нтирова 5 ние базового среза на слитке, с зявисимости от требуемой кристаллогряфичР- ской плоскости, производят относительно линии разлома одной из частей пластины, совме. щенной со своим первоначальным положением на слитке.2, Способ по п. 1, отличающийся тем, что пластину вырезают из слитка в плоскости, перпендикулярной его продольной оси, толщиной 200 - 400 мкм,.2Сэставитель Н. Островскаяактор Т. Орловская Техред Т, Курилко Корректор А, ДзесевЗаказ Мз 893 Ивд "оТираж 780 ПодписиЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРо еа обп д л м из ретении и открытии Москва, Ж, Раушскап наб., д. 415 инографня ЛЪ 24 Союзполиграфпрома, Москва, 12019, ул. Маркса - Знгельса, 1