395929
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик Зависимое от авт свидетельсгва% 1498277/26-25 Заявлено ЗО.Х 1.197с присоединением Кл. Н 011 7/02 Н 011 15/04 аявкиГасударственный комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий ПриоритетОпубликовано 28.711.1973. Бюллетень35Дата опуоликования описания 29.Х 11.1973 ЧДК 621 382(088. вторызобретения В. И, Грановский, В, В. Заддэ, А. К. Зайцева, Л. Л. Силин, В. В. Тризно, Г. Б. федосова и Иаявит КОСЪЕМ К ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМУ ПРЕОБРАЗОВАТЕ оретент едмет Изобретение относится к области фотоэлектрического преобразования энергии,В известных конструкциях фотоэлектрических преобразователей энергии на тыльной и рабочей поверхностях широко применяются многослойные токосъемы. В них первый слой из никеля, титана, хрома или церия имеет толщину менее 1 ик и служит для нанесения второго токособирающего слоя, который обычно выполняется из оловянно-свинцовистого при поя. В связи с малой электропроводностью этого сплава (менее 10" ом - /слю - ) толщина второго контактного слоя должна превышать 100 мк.Такая толщина контакта не обеспечивает 15 термостойкости фотопреобразователя при термоциклировании в силу различия коэффициентов термического расширения кремния и припоя. При 180 С припой, расплавляясь, собирается в капли и замыкает отдельные фотоэлектрические преобразователи. Поэтому при отжиге радиационных дефектов в кремнии при температуре 4000 - 500 С, обеспечить стабильность характеристик фотоэлектрических преобразователей с токосъемами указанной конструкции не представляется возможным.Получение необходимой электрической проводимости и обеспечение термостойкости токо- съема в диапазоне от температуры отжига радиационных дефектов до отрицательной температуры в процессе эксплуатации может быть достигнуто заменой толстого слоя легкоплавкого припоя слоем серебра толщиной 3 - 5 мк: слой серебра может быть получен, например, электрохимическим осаждением. Однако, пленки серебра указанной толщины имеют плохую адгезию с никелем.С целью обеспечения стабильности свойств фотоэлектрического преобразователя при температуре отжига радиационных дефектов в кремнии, сохранности энергетических характеристик после многократных термоцпклов и повышения механической прочности контактов предлагается токосъем на основе никеля и серебра, состоящий пз трех слоев. слоя нпкеля толщиной менее 1 .чк, нанесенного на кремний, слоя меди толщиной 1 - 3 лк, нанесенного на указанный слой, и верхнего слоя серебра толщиной 3 - 5 мк. Такое сочетание компонентов токосъемов полностью удовлетворяет требованиям, предъявлямым к нпм. Токосъем к фотоэлектрическому преобразователю на основе слоев никеля и серебра, отличаюиийся тем, что, с целью повышения термостойкости и механической прочности, между слоями никеля и серебра расположен слой меди толщиной 1 - 2 мкм.
СмотретьЗаявка
1498277
Авторы изобретени витель В. И. Грановский, В. В. Заддэ, А. К. Зайцева, П. И. Катина, Л. Л. Силин, В. В. Тризно, Г. Федосова Ю. Б. Шубин
МПК / Метки
МПК: H01L 31/05
Метки: 395929
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-395929-395929.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">395929</a>
Способ измерения толщины слоев
Номер патента: 929998
Опубликовано: 23.05.1982
Авторы: Брандорф, Власов, Кизилов
МПК: G01B 7/06
...в нем поршень 2, рабочую среду 3, реверсивный привод 4, преобразователи 5 и б, полые контуры 7 и 8, сообщаюциеся диэлектрическими цилиндрическими трубками 9-13, размещенными между слоями 14- 19 контролируемого многослойного материала, шарик 20, перемещаюцийся по трубкам 9-13, выполненный из магнитотвердого материала и намагниченный до заданного уровня, электроин. - дуктивный преобразователь 21, контактирующий с контролируемым материалом.Устройство работает следующим об" .разом.929998 Формула изобретения Составитель А.Духанинедактор Т.Кугрьзаева Техред Ж. Кастелевич КорректорВ.Синицка 3447/49 ВЕЕИИ и 1130614 комитета СССР и открытийаушская наб., д Тираж Государственново елам изобретений ЕЕосква, Ж, РПодписн лиал ППП "Патент", г....
Способ измерения толщины слоев многослойных изделий
Номер патента: 1383195
Опубликовано: 23.03.1988
Автор: Лауринавичюс
МПК: G01N 27/90
Метки: многослойных, слоев, толщины
...слое изделия 2, и возбуждающим преобразователем 3 полем Ь , записывается как тензорное соотношениеЬ=4 Ь, (3)лгде 4, - тензор относительной магнитной проницаемости полупроводникового слоя;Ь - возбуждающее магнитное поле,усредненное по толщине Йслоя;Ь - поле в слое, усредненное потолщине Й. Это соотношение связывает возбуждающее и возбужденные поля через параметры полупроводникового материалаи параметры электромагнитной волны.Если приложено постоянное магнитноеполе, индукция В 1 К 1 Е, где К -,Й = ФМ РО (4)о оУстановлено, что компонентапропорциональна активному сопротивлению, вносимому в преобразователь 3полем стоячих геликонных волн в слое. 10Компонента р представляет собойряд резонансных максимумов, соответствующих...
Способ измерения толщины слоев
Номер патента: 1523899
Опубликовано: 23.11.1989
Авторы: Аграновский, Брандорф, Кизилов
МПК: G01B 7/06
...(3) расстояние между ,нулями У второй кривой больше, чем у первой, так как величина Х для нее также больше,Значение Х, соответствующее расстояниям от преобразователя 7 до ближайшей трубки, обозначим Т, до следующей Т и так далее, до последней - Тп. Толщины слоев определяются соответственно по формулам5 15238996 от скорости движения эллипсоида 8 и количество которых прямо пропорциооднозначно определяется величиной Х. нально величине перемещения эллипсоиТаким оораэом, определяя расстояние да 8, на вход данных вычислителя-инмежду его положениями в последователь- дикатора 29 поступает последовательные моменты, когда В= О, из (4) на ность этих импульсов, В момент С смеходим значение Х, что позволяет оп- ны знака П этот процесс...
Способ определения толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкциях и устройство для его осуществления
Номер патента: 1713448
Опубликовано: 15.02.1992
Авторы: Габор, Дьердь, Каталин, Мария, Янош
МПК: G01B 7/06
Метки: конструкциях, полупроводниковых, слоев, слоистых, толщины
...спонтанно возникающий между раствором, электролитом 2,и полупроводниковой поверхностью образца 6, - это равновесный потенциал раствора, его величину указывают по отношению ккаломельному электроду 4,Для осуществления измерений необходимо выдержать некоторые условия:а) полупроводник относительно графитового электрода 3 независимо от типа проводимости должен иметь положительноенапряжение для тогочтобы могло осуществляться анодное травление;б) при использовании материалов и-типа полупроводник для того, чтобы процесстравления мог протекать, должен освещаться светом большей или такой же по величинеэнергии, что и запрещенная зона полупроводника, для обеспечения образования необходимых для протекания травлениянеосновных носителей заряда...
Способ измерения толщины слоев двухслойного материала
Номер патента: 1768970
Опубликовано: 15.10.1992
Авторы: Абелтинь, Граудин, Конончук, Муссонов
МПК: G01B 15/02
Метки: двухслойного, слоев, толщины
...- -211 ст 1 ах/цгс, чта может быть реализовано установкой непразра Наго па отношению к первичному лзлучению экрана между источникам и де 8 ктарам либО саатВ 8 тству" КЩГЧГЧ РаЗМЕЩЕ:- Ие г:;ОЛЛ.;Л.:ПОРОВ ДетеКтаРОВ ИЛИ ИСТОЧ;ИКОВ.Способ может бь ь реализсван различнымл устрас Вагли, схеь,ы нескаськ.1 х;чз них привед 8 ны на фиг.1,2 и 3,Устаайсгво, изабражегное на фиг,1. содержит источник ", и два дс 1 ектара 2 и 3, перед детектором 3 установлен экран 4, непрозрачный к первичноглу излучению, Еиоина с 4 экрана должна Оьть не менее чем 2 г 1 гпах/т 9 гс, чта легко рассчигывается изеаме грии.Ус. райства, иллюстрируемое фиг,2, содержиг два толщинамера, работающих на Обратна ат. экенном излучении. Содержит источник 1, в горой источник 2,...
Предыдущий патент: Электроннолучевой источник света
Следующий патент: I всесоюзная •. •, г: ; “: я tlvinifriific; .: л(-., 1: п. (ла. ilwllrl
Случайный патент: Устройство для сигнализации направления короткого замыкания на воздушной линии электропередачи