Раснецова

Раствор для удаления защитного слоя фоторезиста

Загрузка...

Номер патента: 732788

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Кегелес, Раснецова, Царева

МПК: G03C 11/24

Метки: защитного, раствор, слоя, удаления, фоторезиста

...- быстрое и полное, без разрушенияподложки, удаление фоторезиста на основе поливинилового спирта, требующего высокой температуры задубливания (300-300 С)достигается добавлением к раствору,азотной кислоты органической добавки,состоящей из смеси тиомочевины иФеноксола. Как показали исследования, использование данной сложнойдобавки позволяет также снизитьконцентрацию азотной кислоты и уменьшить агрессинность раствора, что облегчает работу с ним и создает возможность механизации процесса.Предлагаемый раствор для удаления Фоторезиста готовится путемрастворения тиомочевины н воде, доПредлагаемые составы:г1. Азотная к-та (Й - 1,167) 100 банления Феноксола и затем азотной,кислоты при перемешиванииПослеприготовления раствор необходимовыдержать...

Состав для травления железоокисных слоев

Загрузка...

Номер патента: 715610

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Кегелес, Колмакова, Раснецова

МПК: C09K 13/06

Метки: железоокисных, слоев, состав, травления

...растворглюкозы и перемешивания раствора до полно.го ее растворения,Порядок операций при получении железоокисного микрорельефа на стекле следующий:нанесение фоторезиста, сушка, экспонирование,проявление, химическое травление через защит.ную маску фоторезиста, удаление фоторезиста.Для образования защитной маски используются как позитивные, так и негативныефотореэисты.Ниже приведены примеры использованияпредлагаемого травителя на пленках окислажелеза толщиной 0,3 мкм. Травление проводят при 18-20 С.Пример,Треххлористый титан,г 100Соляная кислота,с = 1,18 гсм 50Глицерин, Г 35Глюкоза, Г 2Темцература 18-20 С.Фоторезист ФП - 270 без термообработкипосле проявления.Скорость т 1 авления 0,520 мкм/мин,Пример 2.Треххлористый титан, г...

Раствор для травления пленок окисла железа

Загрузка...

Номер патента: 573510

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Кегелес, Колмакова, Раснецова

МПК: C23F 1/00

Метки: железа, окисла, пленок, раствор, травления

...через фогорезисгивнув зааигную маску; промывка; удаление фогорезисга н промывка. спользованн зто го аленин ее привелг:ны примерь а.мого гравигеля прн и лл Бель изобретения - увеличение скорости травления.и повышение точности воспроизведения рисунка фогошаблона.Это достигается тем, что раствор лля трава.ния пленок окисла железа, например прн получении рисунка фогошаблона, содержащий соляную кислоту, волу, галогенил калия н соединение меди с хлором, в качес ве Галогеиида калия сел ржиг бромисгый ка.ий, е я кафу.сгве согдиец пяя мс.ли с хлори следующем соотпонентов, т,3281, 1-1620 -80Ос гальное.едувщим образом,ромисгый калий,слоге хлористуеогво а сливают н пеРаствор для травления пленок жислв железа, например при получении рисунка фо...

Раствор для избирательного травления пленок хрома

Загрузка...

Номер патента: 487167

Опубликовано: 05.10.1975

Авторы: Белевич, Колмакова, Раснецова, Сорокина

МПК: C23F 1/02

Метки: избирательного, пленок, раствор, травления, хрома

...ры р а створ а.Предлагаемый раствор отличается тем, что в качестве окислителя использован хромовый ангидрид при следующем количественном соотношении исходных компонентов (г/л): 15Церий сернокислый 5 - 160Хромовый ангидрид 30 - 100. Сернокислый церий и хром растворяют в воде при перем бы улучшить растворение се рия, продлить срок хранения р падения осадка, в него можн ту, например соляную, в к 30 г/л, или смесь кислот.При обработке в растворе ваются края пленки хрома при фоторезистов с различной костью, не надо нагревать раст ся выход годных фоторезистов. Характеристика вариантов раствораЦерий сернокислый, гХромовый ангидрид, гВода, л дТемпература обработки, С 18Время полного стравливанияхромовой пленки толщиной0,08 мкм, мпнЦерий...

Раствор для матирования поверхности кварца

Загрузка...

Номер патента: 458904

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Васина, Колмакова, Раснецова

МПК: H01L 21/465

Метки: кварца, матирования, поверхности, раствор

...кварца с повышенным классом чистоты (10 - 12), увеличение выхода годных изделий по фотоэлектрическим т 1 араметрам, 30 Предлагаемыи раствор, не о я разрушительным действием на фоторе р, позволяет получить штрихи до 0,03 м беспечивает высокую однородность мат р иной поверхности.Раствор для матирования приготовляют дующим образом.Концентрированную (35 - 377 о-ную) соляную кислоту разбавляют водой в два раза и заливают в два сосуда (фторопластовые стаканы) по 100 - 120 мл. Небольшими порциями при помешивании в один сосуд добавляют 90 - 100 г фтористого калия и в другой 180 - 200 г фтористого аммония, далее содержимое обоих сосудов сливают, получая насыщенный раствор фторидов с большим количеством извести, равномерно распределенной по...

Раствор для избирательного травления пленок хрома

Загрузка...

Номер патента: 397993

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Белевич, Кегелес, Колмаков, Колмакова, Раснецова

МПК: H01L 21/465

Метки: избирательного, пленок, раствор, травления, хрома

...копировального слоя, проявление, терНческ 251 обработка защитногорисунка, кими еское травление незащищеня ных 12 стков .розОНОЙ пленки, промывка нсушка, удаление фоторезистора.Пластну с хромовой пленкой, на которуюнанесен 32 щцтны 31 рисунок, погружаот В раствор для травлоши и выдерживают в нем до 25 полного стравливания хромовой пленки с незащищенных фоторезистом участков.В качестве фоторезцста 1 используютФП - ЗЗЗВ.Нижс да:1 ы сост 2 вы растворов для травлс- ЗО нця хромозой пленки:1 Кисло; а соляная 36 - 40%, мл 1000Иодистый натрий, г 100Двухлористое олово, г 40Время полного стравливания хромовой пленки толщиной 0,12 мкм составляет 1 мин 20 сек,толщиной 0,3 мкм - 4 мин 20 сек,2 Кислота соляная (36 - 40%), м,г 1000Иодистый калий, г...

Раствор для избирательного травления алюминия

Загрузка...

Номер патента: 348645

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Белевич, Колмакова, Раснецова, Сорокина

МПК: C23F 1/02, C23F 1/20

Метки: алюминия, избирательного, раствор, травления

...вещество) 0,1 - 5 Соль кадмия 20 - 40 Вода Остальное Раствор приготавливают путем растворения хромового ангидрида, фторида и соли кадмия в воде и введения в приготовленный раствор коллоида, После приготовления раствор необходимо выдержать в течение суток в закрытом фторопластовом сосуде прц комнатной температуре, после чего раствор готов к работе.В качестве фторида могут применять фторнды натрия, калия и аммония. В качестве кол лоида используют раствор жидкого стекла(ТУ- 62), декстрин или крахмал, Соль кадмия добавляют в раствор для повышения стойкости используемых фоторезистов в травителе, Для этой же цели можцо использовать 10 соли кобальта. В качестве солей кадмия плцкобальта могут быть применены ацетаты илц бромнды. прн комнатной...

Способ матирования поверхности кварца

Загрузка...

Номер патента: 263045

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Васина, Колмакова, Раснецова

МПК: H01L 21/465

Метки: кварца, матирования, поверхности

...при помощи плавиковой кислоты и щелочно-фтористых солей.Однако растворы, рекомендуемые для матирования стекла, непригодны для матирования кварца, ввиду неравномерности, точечности матирования и наличия большого числа непроматированных участков.Целью изобретения является получение стабильной равномерно матированной по всему полю поверхности с определенным классом чистоты, исключение образования микротрещин на матированной поверхности кварца, устрансние микрошумов и повышение порога чувствительности пленочных фот еских лучеприемников, увеличение д ных изделий,Сущность изобретения заключается в обработке подлежащей матированию поверхности кварца в смеси двух насыщенных растворов следующих составов:1-й раствор фторид аммония 120 г...

Способ фотогравировки пленок свинца

Загрузка...

Номер патента: 261498

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Васина, Колмакова, Раснецова

МПК: C23F 1/02, H05K 3/00

Метки: пленок, свинца, фотогравировки

...свинцовых пленок на стекле применяется муравьиная кислота 65 - 85% концентрации с окислением поверхности свинцовой пленки кислородом воздуха при обдуве ее, причем обрабатываемая поверхность подвергается периодическому воздействию воздуха и травителя, располагается параллельно и вблизи зеркала раствора, что увеличивает плотность компоновки и улучшает качество схемы.На электрическую подложку, покрытую пленкой свинца, наносят фоторезист с образованием копировального слоя. После сушки, экспонирования копировального слоя, проявления и термического закрепления защитного слоя свинцовую пленку на подложке помещают в ванну с травителем так, чтобы раствор покрывал поверхность свинцовой пленки на 3 - 4 мм. В качестве травителя используется раствор...