H01L 21/326 — применение электрического тока или электрических полей, например для электроформования

Номер патента: 91034

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Петров

МПК: H01L 21/326

Метки: автоматическое, замыканий, коротких, селеновых, устранения, элементах

...но коромысло б. При повороте коромысла б один из его концов нажимает на рычаг 6 и 7 и тем поворачивает сектор 8, который открывает щель 9 колодки 10,Селеновый элемент 11, находящийся в колодке 10, под дей,"твием силы тяжести падает в лоток 12 или 13, в зависимости от того, в какую сторону повернулся сектор 8, На место селенового элемента 11 из бункера 14 в колодку 10 поступает следующий селеновый элемент для устранения в нем короткого замыкания. Открытие затвора бункера 14 производипся рычагом 1 б при движении рейки 3.Перемещение электрических щупов 16 и 17, укрепленных на пластине 18, осуществляется передвижением пластины 18 кулачком 19 рейки 3, воздействующим на рычажную систему 20.При движении рейки 3 вниз рычажная система 21...

Номер патента: 118881

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Шестаков

МПК: H01C 17/00, H01C 7/00, H01L 21/326 ...

Метки: алюминиевой, материалу, медной, металлической, полистирола, полупроводника, придания, пудры, свойств, смеси

...И ДРУГОЙ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПУДРЫ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКАЗаявлено 8 апреля 1957 г. за М 602075/24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРПредмет изобретения Способ придания материалу из смеси полистирола с 5 - 105, алюминиевой, медной или другой металлической пудры свойств полупроводника, отличающийся тем, что материал подвергают действию переменного электромагнитного поля. В технике применяют способы, позволяющие придавать некоторым материалам свойства полупроводников путем воздействия на них различными внешними факторами.Предлагаемый способ позволяет придавать свойства полупроводника материалу из смеси полистирола с 5 - 105, алюминиевой, меднон или другой металлической пудры.Для этой цели материал подвергают...

Номер патента: 132308

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Давидович, Фиалков

МПК: C01B 31/02, H01B 1/04, H01L 21/326 ...

Метки: термообработки, углеродистых

...К таким изделиям относятся щетки для электрических машин, изделия с р - п-переходом, а также конструкционные детали для химической промышленности.Для получения изделий из углеродистого материала с неодинаковыми свойствами в разных местах сечения предлагается для их термообработки применять индукционный нагрев токами высокой частоты,При изготовлении двух- и трехслойных щеток прессованные заготовки после обжига графитируются по предлагаемому способу на требуемую глубину по заданному режиму, Для получения более резких отличий в свойствах разных слоев можно охлаждать изделия водой или жидкими газами.Применение предлагаемого способа к изделиям с р - и-переходом из углеграфитовых материалов позволяет совместить термообработку одного и...

Номер патента: 236657

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ларионов, Ройзин

МПК: H01L 21/326

Метки: кристалла, легирования, области, полупроводника

...полосОВыс элстроды шириной полосы в пределах 0,1 - 100 к с мироцеодцородцлстыо по краю меньше 0,01 як., З С Г И 3 О 0 Р С Т С И И 5 Способ лсг лУпРОВОДПП 2 О алмаз пмтем Изобретение относится к технологии изготовления полупроводни )хов х приборов.Известные способы изготовления элетродо И ЛСГИРОВЯЦИЯ ИС ПОЗВОЛ 5 ПОТ ПОЛ 51)ИТЬ ПОЛ О- вой электрод в виде прямой приза) с р)Вцо - мерным распределением примесей.Предлагается для легирован)гя полупроводникового матервала перс мещать ряспля.сциый металл под действием тока, а тя 5 с создавать моцокристалличсскис электроды в Ви;е прямой многогранной призхы. Сущное) способа зя)сл)01 яетс 5 В том, )ТО В.01)яв сталлографичсскую ориентацию повсрхост: полупроводника и направление вектора плотности...

Номер патента: 402172

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/326

Метки: 402172

...напряжения, подаваемого на подложку, зависит от типа канала транзисторов в схеме: положительное 25 напряжение - для схем с р-канальными транзисторами, отрицательное - для схем с и-канальными транзисторами.На фиг. 1 представлена часть кремниевогокристалла с диффузионными областями, пере секаемыми алюминиевой коммутационной ши 402172ной; на фиг. 2 - паразитный транзистор, который может возникнуть между двумя диффузионными областями, если напряжение на пересекающей их алюминиевой шине превышает величину порогового напряжения для данной толщины диэлектрика (подложка-кристалл соединена с контактом земли); на фиг. 3 - паразитный транзистор, на подложку которого подано положительное смещение относительно истока.Интегральная схема на...

Номер патента: 370683

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кислицын, Лебига, Мусин, Россошинский

МПК: H01L 21/326

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...на единяемых элементо О осадки пуансонов, с личаютиийся тем, чт чества пайки, в в сжимающее усилие исходного.Изобретение относится к производ лупроводниковых приборов, в часттехнологии присоединения выводов кводниковым элементам электроннройств.В,известном способе сборки полупроводниковых приборов, основанном на укладке элементов прибора в кассету и их импульсном нагреве при одновременном сжатии двумя пуансонами происходит разрушение палупроводникового материала или возникновение остаточных;напряжений вследствие различия коэффициентов термического, расшнрения,металлических,выводов,и полупроводникового кристалла, При этом возникающие остаточные напряжения будут тем больше по величине, чем больше усилие сжатия пуансонов.Цель...

Номер патента: 1810025

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Короткий, Усов

МПК: H01L 21/326, H05B 7/00

Метки: дисперсного, плазменной

СПОСОБ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ ДИСПЕРСНОГО МАТЕРИАЛА, включающий подачу в разрядную камеру высокочастотного индуцированного плазмотрона плазмообразующей среды, формирование в ней от высокочастотного источника питания индукционного разряда и подачу в область разряда дисперсного материала, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной производительности при обработке высокотемпературного дисперсного материала за счет повышения устойчивости разряда, в рабочем объеме разрядной камеры высокочастотного индукционного плазмотрона дополнительно формируют от низкочастотного источника питания совмещенный с высокочастотным индукционным разрядом сильноточный электродуговой разряд, подачу дисперсного материала осуществляют в область совмещенного...