H01L 21/027 — образование маски на полупроводниковой подложке для дальнейшей фотолитографической обработки, не отнесенное к рубрикам

Номер патента: 153975

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C09D 183/04, H01L 21/027, H01L 21/312 ...

Метки: 153975

...вплавления,Светочувствительное покрытие (вязкость порядка 15 сек) наносят на поверхность пластины кремния с помощью центрифуги(150 - 200 об)мин) и высушивают под инфракрасной лампой, Далее пластина экспонируется в течение 15 лин под ультрафиолетовой лампой, расположенной на расстоянии 12 слт, через стеклянный шаблон с повторяющимся рисунком требуемой конфигурации и проявляется в толуоле 10 иин, После сушки в течение 30 мин под инфракрасной лампой пластину помещают в напы. лительную камеру и нагревают до нужной температуры (400 - 700), после чего производят напыление.После напыления и вплавления пленки металла заданной толщины пластину опускают на 10 мин в плавиковую кислоту для снятия фото- слоя. Оставшиеся участки металла имеют...

Номер патента: 165837

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Гельтищева, Догадкин, Королев, Марков, Туто

МПК: H01L 21/027

Метки: поверхности, полупроводника, рельефов

...не только в полупроводниковой промышленности, но и в других областях техники (полиграфии точной механике и т. д). е- о- Г Предлагаемый фо риал позволяет пол 0,1 лиг) рельеф на по увствительныи матеть глубокий (более 15 хности полупроводниредмет изобретени Способ получения рел полупроводника путем стоящий в нанесении слоя на поверхность по нировании его через тра сунком и последующем отличающийся тем ния глубокого рельефа ствительного кислотоза псльзуют полимерный х чук. их рельефов пригот циклокаучука в бен па поверхность пол фуге (толщина сл 2 й подсушки в те рхность полупрово локаучука, через к пируют рисунок. оир- г дписная группаСпособ фотогравировки на полупроводниках известен. Он заключается в нанесении фоточувствительного...

Номер патента: 333632

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Захаров, Кон, Малин

МПК: H01L 21/027

Метки: пластин, поверхности, фотолитографической

...полупроводниковых ма териалов с использованием последовательныхсовмещений пластины с шаблонами, отличающийся тем, что, с целью предотвращения механических разрушений совмещаемых элементов, между последними пропускают инертный 10 газ, создавая зазор, регулируемый посредством изменения расхода газа с учетом его температуры,2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что 15 фиксацию шаблона на поверхности пластиныв момент фотоэкспонирования производят созданием зоны разрежения между пластиной и шаблоном. Известен способ фотолитографической обработки поверхности пластин полупроводниковых материалов с использованием последовательного совмещения с исходной полупроводниковой пластиной двух или более шаблонов путем механического метода.При...

Номер патента: 385354

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Беспутина

МПК: H01L 21/027

Метки: фотолитографии

...защищается вторым пассивирующим слоем (напрнмер, двуокисью кремния). Печать ызоб ражений на фоторезист, последовательно нанесенный на всю пластину, осуществляется с помощью шаблона, размеры рисунка которого превышает ширину линий активных элементов, Окна в фоторезисте, образованные при 25 проявлении, открывают зону, расположеннуюна границе двух пассивирующих слоев и равную ширине элемента прибора. В результате травления этой зоны (закрытой, например, нитридом кремния) в избирательном травителе (например, фосфорной кислоте) получают окна385354 ры с высокой разрешающей способностью, ни сложные механизмы совмещения, так как элемент практически образуется ограничивающей зону нитрида кремния пленкой двуокиси кремния,Способ фотолитографии,...

Номер патента: 398067

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Герхарт, Иностранцы, Пауль

МПК: H01L 21/027

Метки: пластины, полупроводниковой, рисунка, рисунком, совмещения, фотошаблона

...и полупроводниковой пластиной 5 образуется зазор, равный высоте базового выступа эталона.На фиг. 1 представлено устройство длясовмещения,и экспонирования, общий вид; на фиг. 2 - устройство для совмещения, реали О зующее предложенный способ; ца фиг. 3, 4показано положение элементов устройства для совмещения вмомецты установки полупроводниковой пластины по эталону и установки в рабочем положении фотошаблона.15 Параллельность между полупроводццковой пластиной 1 и фотошаблоном 2 обеспечивается юст 11 ровкой пластины Относительно эталона 3. После поджима пластины к э.ало ну ее закрепляют в этом положении, смещают 20 эталон, а а его место устанавливают фотошаблон. При этом фотошаслсн устанавливается параллельно над цолуцровод 1 гцковой...

Номер патента: 367571

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Коровин, Крепцева, Лесковска, Нов, Холстова, Шеходанов

МПК: H01L 21/027

Метки: заготовки, совмещения, схемы, твердой, фотошаблоном, экспонирования

...4, цилиндр 5, 10 жестко связанный с каретками б и 7, корпус8 с закрепленным на нем фотошаблоном 9 и опорную плиту 10. На штоке размещена колонка 11 со сферическим столиком 12 и закрепленной на нем заготовкой 13 твердой 15 схемы. На плите 4 размещена резьбоваявтулка 14 с микровинтом 15 и лимбом 1 б. Рьтчаг 17, шарнирно связанный с подвижной гильзой 3, выступом опирается на основание паза штока манипулятора. На цилиндре 5 20 размещена тормозная камера 18 с плунжером 19.Под действием сжатого воздуха шток двигается вверх и поворачивает рычаг 17, который свободным концом упирается в микро винт 15 и обеспечивает жесткую кинематическую связь с плитой 4 гильзы 3, Система шток - подвижная гильза двигается.вверх до прижатия заготовки 13 к...

Номер патента: 1611155

Опубликовано: 07.03.1992

Автор: Генцелев

МПК: H01L 21/027

Метки: совмещения, экспонирования

...собой рентгенопрозрачную мембрану слой кремния, легированного бором толщиной 2-3 мкм с топологическим рисунком 4 из рентгенопоглощающего материала (слой золотатолщиной О,б мкм), формируют метки20, 2 (Фиг.3) совмещения,Метку 20 совмещения на подложкеформируют в виде набора плоских р-ипереходов или чередуецимися проводящими и непроводящими слоями размерами, например, 5 1 200 мкм, а метка 21на рентгеношаблоне представляет собой набор координатно сопряженных с метками на подложке отверстий размерами 5 м 200 в слое золота. Ренггеношаблон 3 и подложку 1 устанавливают в камере экспонирования на своих установочных столиках и положении частичного зацепления знаков совмещения, что достигается на операции предва- О рительного...