Заддэ

Номер патента: 1779208

Опубликовано: 10.08.1998

Авторы: Безмен, Заддэ, Старшинов

МПК: H01L 31/18

Метки: антиотражающим, покрытием, фотопреобразователей

Способ изготовления фотопреобразователей с антиотражающим покрытием, включающий формирование неоднородно залегающего p-n-перехода в полупроводниковой пластине методом двойной диффузии с проведением на одном этапе локальной диффузии в подконтактные области через маску, а на другом - диффузии по всей поверхности пластины, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, после проведения на первом этапе диффузии по всей поверхности полупроводниковой пластины создают маску для локальной диффузии в подконтактные области на втором этапе нанесением пленки из пятиокиси ниобия или тантала толщиной 0,04 - 0,24 мкм, а локальную диффузию осуществляют при температуре не выше 1100oС, при этом нанесенную пленку из пятиокиси...

Номер патента: 1814460

Опубликовано: 10.08.1998

Авторы: Заддэ, Старшинов, Толмачева

МПК: H01L 31/18

Метки: фотопреобразователей

...наносились растворные композиции типа КФКи КБК, после чего проводился отжиг образовавшихся пленок, ведущий к образованию фосфорносиликатного стекла на поверхности и -р-р -структур и боросиликатного стекла + ++ +на поверхности р -и-и -структур, Затем методом фотолитографического травления сплошные слои стекол переводились в рисунки, соответствующие контактной металлизации. На подложки с рисунками наносились слои Зп 02, АЬ 02, Се 02, Т 120 З, ХЬ 20 ю, Та 20 з, ЯЗХ 4. При этом использовались следующие стандартные методы:для нанесения Б 102 - пиролиз БпС 14 на горячей (-350 С) подложке;для нанесения А 120 з и Се 02 - метод магнетронного распыления;для нанесения Т 120 з, ИЬ 205, Та 205 нанесение на центрифуге пленки растворной...

Номер патента: 1686983

Опубликовано: 27.06.1998

Авторы: Заддэ, Кузнецов, Курсакова, Сурьянинова, Токарев

МПК: H01L 31/18

Метки: n+-p-p+, изготовлении, кремниевых, структур, формирования, фотопреобразователей

Способ формирования n+-p-p+-структур при изготовлении кремниевых фотопреобразователей, включающий создание на противоположных сторонах кремниевой пластины источника фосфора и источника бора в виде боросиликатной пленки из пленкообразующего раствора с содержанием оксида бора в нем 20 - 60 мас.%, последующую термодеструкцию, термическую диффузию фосфора и бора в кремниевую пластину, удаление окисной пленки с двух сторон пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия фотопреобразователей за счет управления профилем распределения примесей n-типа и исключения взаимного влияния примесей, диффузию фосфора проводят в две стадии, при этом на первой стадии в качестве источника фосфора...

Номер патента: 1705817

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Заддэ, Стребков, Шеповалова

МПК: G06F 3/023

Метки: клавиатура

...оболочки 4, Такое техническое решение позволяет упростить конструкцию, устранив:пециальные детали, обеспечивающие защиту отражателя 2 от попадания света в нерабочем состоянии и возврат отражателя в исходное состояние,Плата б выполнена с выступами 7 на верхней поверхности, Плата б изготавливается за одну операцию ,литьем или штамповкой) как монолитная конструкция с выгтупами 7, предназначенными для расположения между ними фоточувствительных элементов 1. Фоточувствительными элементами 1 являются кремниевые фотопреобразователи, имеющие толщину не более 0,5 мм, с повышенной чувсгвительностью к вертикально падающему свету высокой интенсивности и нечувствигельные к свету, падающему под углом менее 45 кориэентали. Такие фоточувствительные...

Номер патента: 434872

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Бордина, Заддэ, Зайцева, Ландсман, Стребков, Стрельцова, Унишков

МПК: H01L 21/00

Метки: генератор, полупроводниковый, фотоэлектрический

...нулю и -;.Пгт, схглгаОгг-я ДО ЗНаЧЕНИя, ОПрЕдЕЛяЕМОГО СвгЭ 1 СдваН О-перехода, параллельного световому потоку (перпендикулярного к рабо-ой ювенхности), Уменьшить сопротвлеше Оас гека -иния легированных слоев, расположенн;ых параллельно рабочей поверхностн ге;оратора, удается путем увеличения:;убпн.; ,залегания дополнительных р - Р в нерехоЯ дОВ, Однако такой спОсоб снжеп сопротивления растекания сопровождаетсп ростом нефотоактивного поглощения излучения В толстом легированном слое, что в конечном итоге не приводит к заметному увелитт.чени 0 к,п,.д. генератоа. Еце одним недосгат.:гэл мат;эичнсй конструкции генератора яьяется увеличение обратных токов утечкн через р - д -переход при увеличении исда - . раней мкротфотопресбг. - с; -...

Номер патента: 395929

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Заддэ, Зайцева, Катина, Силин, Тризно, Федосова

МПК: H01L 31/05

Метки: 395929

...превышать 100 мк.Такая толщина контакта не обеспечивает 15 термостойкости фотопреобразователя при термоциклировании в силу различия коэффициентов термического расширения кремния и припоя. При 180 С припой, расплавляясь, собирается в капли и замыкает отдельные фотоэлектрические преобразователи. Поэтому при отжиге радиационных дефектов в кремнии при температуре 4000 - 500 С, обеспечить стабильность характеристик фотоэлектрических преобразователей с токосъемами указанной конструкции не представляется возможным.Получение необходимой электрической проводимости и обеспечение термостойкости токо- съема в диапазоне от температуры отжига радиационных дефектов до отрицательной температуры в процессе эксплуатации может быть достигнуто заменой...

Номер патента: 288162

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заддэ, Зайцева, Ландсман, Лидоренко, Стребков

МПК: H01L 21/761

Метки: генератора, полупроводникового, фотоэлектрического

...генератор с рабочим напряжением 50 в/см и более при рабочем токе более 10 а/см площадир - п-перехода.Для этого фотопреобразователи с р - и-переходами, параллельными падающему излучению, коммутируют в твердотельную матрицу с последующим созданием диффузией на рабочих поверхностях готовой матрицы примесей дополнительных переходов,Диффузию осуществляют ионной бомбардировкой.5 Согласно описываемому способу пластиныс р - и-переходами соединяют в заготовки так,чтобы плоскости р - и-перехода были параллельны, затем заготовки разрезают на пластины перпендикулярно плоскости р - п-пере 10 ходов. После полировки и снятия шунтовпластину превращают в твердотельную матрицу из фотопреобразователей с р - и-переходами, расположенными параллельно...

Номер патента: 288161

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заддэ, Зайцева, Ландсман, Стребков

МПК: H01L 31/068

Метки: полупроводниковый, фотоэлектрическийгенератор

...что значительно повышает его чувствительность.При соединении эмиттерных и коллекторных областей между собой все и-р-п илп р-ир-структуры тогут оыть использованы в фотодиодном или вентпльном режиме.Для изоляции эмиттерных и коллекторныхобластей от контакта к базовой области часть материала эмиттера и коллектора всех микрофотопреобразователей, прилегающая к тыльной поверхности генератора, вытравлена и заполнена изолирующим веществом. Контакт к базовой области является в то же время отражающей поверхностью для инфракрасного излучения, Это уменьшает нагрев генератора прн работе и увеличивает его эффективность288161 Предмет изобретения Составитель А, Котдактор Б, Б. Федотов Текрсд А. А, Камышникова Корректор Н. Л. Бронская Подписнопете...

Номер патента: 288160

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заддэ, Зайцева, Ландсман, Стребков

МПК: H01L 21/78

Метки: генератора, полупроводникового, фотоэлектрического

...способу, твердотельные матрицы с р - и-переходами соединяют между 30 собой в заготовки посредством металлических или изолирующих слоев так, чтобы плоскости р - и-переходов, перпендикулярных рабочей поверхности матриц, были параллельны у всех матриц, входящих в состав заготовки, Полученные заготовки из матриц разрезают перпендикулярно плоскости р - и-переходов на твердотельные блоки, у которых указанные плоскости перпендикулярны рабочей поверхности. На готовых блоках создают дополнительные р - и-переходы на рабочих сторонах, например методом ионной бомбардировки. Изготовление фотоэлектрического генератора заканчивается после присоединения контактов, просветления и нанесения защитного покрытия,Описываемый способ позволяет получать...

Номер патента: 288159

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заддэ, Зайцева, Ландсман, Стребков

МПК: H01L 31/06

Метки: генератор, полупроводниковый, фотоэлектрический

...последовательной, параллельноц или смешанной. При параллельном соединении (см. фцг. 1) коммутация микрофотопреобразователей 1 с р - а-переходамп 2 выполнена с помощью металлических контактов г по четырем граням мигсрофотопреобразователей, имеющих р - и- переходы, плоскости которых параллельны направлению излучения. Мнкрофотопресбразователи имеют р - а-переходы ца пяти гранях. Контакт 4 к базовой области нанесен на шестую, свободную от р - и-перехода сторону микрофотопресбразователей. 1 ля изоляции оазового контакта ст контакта к легированному слою часть легированного слоя всех р - а-переходов, прилегающих к базовому контакту, вытравлена и заполнена изолируюгцим веществом 5. Рабочей поверхностью-б Сдлп г Г 1 Г Г Г Г ГСоставитель...

Номер патента: 277964

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Адам, Гребешев, Гусев, Заддэ, Зайцева, Лидоренко, Липинецкий, Титов, Чувпило

МПК: G21K 5/00, H01J 37/08

Метки: 277964

...9 и 10, снабжен подвесками 11, на ксторых крепятся кассеты собрабатываемыми деталями. Шаг креплениядеталей равен 1/4 длины делительной окружности звездочки. Длина цепи и, следовательно, 30 количество кассет с деталями выбирают конструктивно, Максимальная длина цепи определяется продолжительностью работы источника ионов и механической надежностью конструкции.Работает устройство следующим образом.Транспортер Ь загружают через окно при периодическом егс перемещении. Загружать и разгружать устройство можно как до установки в вакуумыю камеру, так и непосредственно в камере,После загрузки вакуумный фланец закрывают и откачивают камеру до необходимого вакуума. После этого пучок ионов наводят па дверцу 2, устанавливают с помощью зонда 4...

Номер патента: 239425

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Заддэ, Зайцева

МПК: G01R 27/02

Метки: переходного, удельного

...контакты в количестве не менее четырех, измеряют падение напряжения между двумя внутренними контактами при подключении внешних к источнику питания и при подключении одного внутреннего и одного внешнего контактов к источнику питания, а затем по известной формуле вычисляют удельное переходное сопротивление. 20 Такое отличие позволяет сить точность измерения и сделав его независимым от ди, контактов и расстояния На чертеже представлена которая поясняет оппсываех и Кз - кл 10 чи; 1 и 2 - и 4, 5 и б - контакты опред нанесенные на поверхностьПропуская постоянный ток заданной величины 1 через два внешних контакта 3 и б, определяют падение напряжения на двух внутренних контактах 4 и 5.Е/=1 Р, где Р - сопротивление полупроводника между...