Патенты с меткой «402172»

Номер патента: 402172

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/326

Метки: 402172

...напряжения, подаваемого на подложку, зависит от типа канала транзисторов в схеме: положительное 25 напряжение - для схем с р-канальными транзисторами, отрицательное - для схем с и-канальными транзисторами.На фиг. 1 представлена часть кремниевогокристалла с диффузионными областями, пере секаемыми алюминиевой коммутационной ши 402172ной; на фиг. 2 - паразитный транзистор, который может возникнуть между двумя диффузионными областями, если напряжение на пересекающей их алюминиевой шине превышает величину порогового напряжения для данной толщины диэлектрика (подложка-кристалл соединена с контактом земли); на фиг. 3 - паразитный транзистор, на подложку которого подано положительное смещение относительно истока.Интегральная схема на...