Патенты с меткой «фоторезистор»

Номер патента: 396756

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Институт

МПК: G03F 3/08, G06F 7/00, H01L 31/0272 ...

Метки: фоторезистор

...равно 100 в 100 мего.ц.Естественно, что применение таких фото- резисторов в практических электронных схемах, особенно в быстродействующих, связано с определенными трудностями,Активация ртутью фоторезисторов, содержащих золотые электроды, до сопротивлений, меньших 10 О 5, при комнатной температуре приводит к полной утрате фоточувствительности. Это явление обусловлено существованием в приэлектродных областях фоторезисторов с золотыми электродами высокоомных (- 10 ом) нефотоактивных участков шириной около 1 мм.Существование высокоомных нефотоактивных участков не позволяет также увеличить проводимость таких фоторезисторов путем сокрашения расстояния между электродами.Ъ становлено, что прц уменьшении расстояния между золотыми электродами...

Номер патента: 365736

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Свечников, Синицын

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор

...спектральной чувствительности и снижение светового сопротивления фоторезистора. Это достигается тем, что в предлагаемом фоторезисторс между подложкой и слоем фотопроводника расположен проводящий с,пой, выполненный в виде двух взаимоизолированных и электрически соединенных с растровыми электродами слоев.Растровые электроды могут быть выполнены из прозрачного материала,На чертеже показан описываемый фоторсзистор, разрез и вид сверху.Фоторезистор состоит из подложки 1, фото- слоя 2, контактирующего с одной стороны с растровыми электродами 3, с с другой - с плоскими электродами 4, разделенными небольтцосится к области элскгрошим зазором. Электроды 5 и 4,цые на противоположных сторон соединены попарно (верхний с ц Таким образом,...

Номер патента: 434488

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Бойко, Малютенко, Тесленко

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор

...сила Лоренца Р=е 1 Е Х О (где О - напряженность магнитного поля, и - подвижность носителей, Е - напряженность электри. ческого поля), вызывающая в зависимости ог знака поля Е при фиксированной напряженности магнитного поля либо отклонение эгпх но. сителей к задней грани с большой скоростью поверхностной рекомбинации, либо повышен. цую концентрацию их у освещеной грани: малой скоростью поверхностной рекомбьн. ции.Если под действием силы,1 оре;ща цосцтел:; дрейфуют к грани с большой скоростью по.434488 чувствительных чистых полупроводников без намеренного легировация с одновременным сохрацецием большой скорости рассасывация неравновесных носителей заряда, свойственцой примесцым полупроводникам; расширяются функциональные возможности...

Номер патента: 451130

Опубликовано: 25.11.1974

Авторы: Богданович, Богуславский, Каганович, Низник, Спичников

МПК: H01C 7/08

Метки: фоторезистор

...него нанесены металлические электроды 4, К корпусу 1 крепится ножка 5, снабженная изоляторами 6, через которые проходят выводы 7, Внутренняя поверхность ножки покрыта тонкой пленкой диэлектрика 8. Внутренняя полость фоторезистора заполнена клеем 9 с анизотронной проводимостьюфоторезистор работает следующим образом.Световой поток через приемное окно 2попадает на чувствительный слой 3, При этом происходит возбуждение не только участка, расположенного между электродами 4, но и участков, расположенных под электродами, что увеличивает эффективную рабочую поверхность и приводит к понижению световозо сопротивления фоторезисто3с помощью клея 9 с анизотроцными тепло. проводностью и электропроводностью, Клей представляет собой композицию иэ...

Номер патента: 458041

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Житарь, Радауцан

МПК: H01C 7/08

Метки: излучения, ультрафиолетового, фоторезистор

...целью п тельности в области в качестве указанно ированный тиогалла трические контакты ежду ними 0,5 - 800 Фоторезистор ния, содержащи мент на основе сенные на него личающийся высокой чувстви 0,255 - 0,46 мкм, нения взят нелег Сдбаг 34, а элек с расстоянием м Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам лучистойэнергии, предназначенным для работы в оптоэлектронных измерительных цепях, схемах автоматической регистрации и контроля излучения, в частности к фоторезисторам,Известные фоторезисторы, содержащиесветочувствительный элемент на основе соединений кадмия и нанесенные на него электрические контакты, охватывают узкую область спектра. 11 оэтому в интервале длин волн0,3 - 0,4 мкм необходимо использовать несколько...

Номер патента: 511560

Опубликовано: 25.04.1976

Авторы: Гуров, Милованова, Ракитин, Эрлих

МПК: G03C 1/52

Метки: позитивный, фоторезистор

...и йодированного 2,2-ди-( Ъ -оксифенил)- пропана (содержание диэфира 30 35%) Диметилфбрмамид ( ГОСТ 5703-70) Толуол (ГОСТ 5789 69)ЗОТехнология изготовления фоторезиста за ключается в следующем, В емкости с мешал кой перемешивают укаэанное в таблице количество смол и растворителей (кроме циклогексанона и толуола),до полного раство рения смол, При красном освещении аналогично приготавливают раствор светочувствительного неполного эфира 1,2-нафтахинониаэида ( 2) 5-сульфокислоты и йодирован ного 2,2-ди-( В -оксифенил)-пропана в цик О логексаноне. Смешивают два раствора и добавляют к смеси раствор полиметилфенилсилоксана в толуоле, Раствор фоторезиста, фильтруют при 1 красном освещении через бумажный фильтр389, а затем через 45Обезэоленный...

Номер патента: 819861

Опубликовано: 07.04.1981

Автор: Щербак

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор, функциональный

...проводимость на этой части площади, измеренная между токопроводящими контактами 3 и 4, с точностью до постоянного множителя будет соответствовать численной 2 О величине определенного интеграла с пределами интегрирования, равными значениям аргумента в точках А и О, которые находятся на пересечении края фотопроводящего слоя 7 и подвижного края светового зонда 6 с токопроводящим контактом 4. Подинтегральная функция при определении проводимости будет обратна по величине функции, форма графика которой придана контакту 3, а т. к. подинтегральная функция является производной от выбранной функции регулирования электрическои проводимости, то вн30 результате интегрирования получается перво- образная, равная выбранной, функция регулирования...

Номер патента: 847406

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Антонов, Жураковский, Чакак

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор

...выраженную зависимость от освещенности светового потока.На чертеже схематически изображен предлагаемый Фоторезистор .Фоторезистор.содержит диэлектрическую подложку 1, на которой размещены проводящий слой 2, слой 3 полупроводникового материала, фоторезистивный слой 4 и растровые электроды 5, один из которых электрически соединен с проводящим слоем 2.Фоторезистор работает следующим образом.Световой поток, падая на поверхность Фоторезистивного слоя, вызывает увеличение его электропроводности. Часть светового потока проходит Через полупрозрачный Фоторезистивный слой847406 Формула. изобретения Составитель Ю.ГерасичкинРедактор С,Тимохина Техред А, Ач Корректор Н.Швыдкая Заказ 5512/80 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета...

Номер патента: 890486

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Зыков, Юнда

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор

...электродами 7, которые размещены симметрично собирающим электродам 4 фоточувствительного элемента и электрически соединены с ними выводами 8. Кор890486 Формула изобретения Составитель Ю. Герасичкнн Редактор М. Дылын Техред А. Бойкас Корректор А. Ференц Заказ 11017/83 Тираж 787 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 43пус 1 снабжен изоляторами 9, внутри которых размещены тоководы 1 О. В корпусе 1 выполнено окно 11 для пропускания потока излучения.Работа фоторезистора осуществляется следуюшим образом.Поток регистрируемого излучения, обозначенного на чертеже стрелкой, проходит в окно 1 в корпусе 1, попадает...

Номер патента: 270118

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Завадский, Калашников, Карпова, Корнилов

МПК: H01L 31/00

Метки: фоторезистор

...интенсивности регистрируемого потока.Такие фоторезисторы можно попучить, в частности, на основе кремния, пегированного цинком и фосфором, а также на 4 О основе германия, легированного марганцем и сурьмой. Дпя фоторезистора на ;основе кремния ь -типа соотношение концентраций спецующее.фоторезистор включают в цепь, состаящую из источника ЭДС и послецоватепьно соециненного нагруэочного сопротивпения (Йн= 10 - 10 Ом). К5 фоторезистору прикпацывается попе такой величины, что црейфовая апина неос новнык носитепей больше циффуэионной (Е 1 45 В/см).фоторезистор работает в цвух режимак. В первом из ник при отсутствиипацаю щего на образец излучения в цепи прото кает постоянный ток. Напряженность поля на образце близка к пороговой, При освещении...

Номер патента: 1104607

Опубликовано: 23.07.1984

Авторы: Клименко, Тихонов, Шахиджанов

МПК: H01L 31/08

Метки: варианты, его, координатно-чувствительный, фоторезистор

...универсальной конструкцией,применимой для всех полупроводниковыхпластин как и-, так и р-типа проводимости, является конструкция с сеточным электродом. Но последняя требуетдополнительных двух внешних контактов по сравнению с двумя другими конструкциями. Характеристики трех конструкций фоторезистора - величина выходного сигнала, чувствительность,потребляемая мощность и отношение сигнал/шум - равноценны,На фиг. 1 - 3 изображены варианты1-Ш координатно"чувствительного фоторезистора соответственно.Координатно-чувствительный фоторезистор (фиг. 1) содержит фоточувствительную полупроводниковую пластину 1, к противоположным концам кото-.рой присоединены омические контакты2 и 3. Омический контакт 4 расположен на боковой стороне...

Номер патента: 890906

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Неустроев, Осипов, Стафеев

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор

...1 расположен чувствительный элемент в виде полупроводниковой пластины 2, имеющей слоистуюструктуру. Электрические контакты 3 .40расположены на торцах полупроводниковой пластины 2. Свет, падающий на чувствительный элемент, пластину 2, генерирует в его объеме электроны и дырки, которые .пространственно разделяются электрическим полем, образованным контактной разностью потенциалов между слоями. Вследствие этого .время жизни фотоносителей возрастает,следовательно, возрастает величина концентрации фотоносителей, которая пропорциональна времени жизни. В . свою очередь, чувствительность фото- резистора пропорциональна числу возникающих фотоносителей, а значит, увеличение времени жизни из-за пространственного разделения электронов и дырок...