Номер патента: 396756

Автор: Институт

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е 396756ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваМ. Кл. Н 01/ 15/06Н 011 7/08 Заявлено 06,Х.1970 ( 1483393/26 с присоединением заявкиГасударственный камит Совета Министрав ССС по делам изобретений и открытийриоритетпубликованата опублик У 1,382.002 (О 29.Ч 11.1973. Бюллетень3вания описания 16.1.1974 вторыобретени М. И, Корсунский, А,лчек, Н, А. Ретивов и А. П. Тищенко Институт ядерной физики АН Казахской ССР явител ФОТОРЕЗИС Изобретение относится к фоторезисторам и может быть использовано в фотометрии, оптоэлектронике, запоминающих устройствах.Известны Фотосопротивления на основе аномально фотопроводящего (аф) селена, содержащие подложку пз диэлектрика, на которую нанесены электроды из золота и сконденсирована пленка аморфного селена, подвергнутая затем воздействию паров ртути.Максимум эффективной чувствительности таких фотосопротпвлений, переведенных в аномальное состояние, имеет место для фоторезисторов, сопротивление которых прп комнатной температуре равно 100 в 100 мего.ц.Естественно, что применение таких фото- резисторов в практических электронных схемах, особенно в быстродействующих, связано с определенными трудностями,Активация ртутью фоторезисторов, содержащих золотые электроды, до сопротивлений, меньших 10 О 5, при комнатной температуре приводит к полной утрате фоточувствительности. Это явление обусловлено существованием в приэлектродных областях фоторезисторов с золотыми электродами высокоомных (- 10 ом) нефотоактивных участков шириной около 1 мм.Существование высокоомных нефотоактивных участков не позволяет также увеличить проводимость таких фоторезисторов путем сокрашения расстояния между электродами.Ъ становлено, что прц уменьшении расстояния между золотыми электродами до 1 - 2 лтл ртуть не адсорбпруется пленкой селена, Аналогичное явление наблюдается для фоторезцсторов, электроды которых выполнены цз металлов с работой выхода, меньшей раооты выхода солена (например, А, Ге, Сц и т. д.)Цель цзобретецця заключается в умсцьшс цнп ИОлнОГО актнвнОГО сопротивления ФОТОрезисторов на основе аф-пленки селсца путем устранения цефотоактпвцых участков в прпэлектродных областях фоторсзпсторов,Эту цель достигают использованием в качестве материала электродов металлов с работой выхода, большей чем работа выхода селена, например палладия. У фоторезпсторов, содержащих пленку аф селена, с такими электролами нефотоактпвные участки отсутствуют, что позволяет увеличить проводимость фоторезцсторов как за счет более длительной выдержки в парах ртути, так и путем сокрашения межэлектродного расстояния.Предложенные фоторезисторы прп проводимости 10 -- 10 -ол -в охлажденном ссстоянии сохраняют достаточную ( - 5) эффективную чувствительность и пригодны для непосредственного использования в црактц- ЗО ческцх элсктроццых схемах.

Смотреть

Заявка

1483393

Институт дерной физики Казахской ССР

МПК / Метки

МПК: G03F 3/08, G06F 7/00, H01L 31/0272

Метки: фоторезистор

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-396756-fotorezistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фоторезистор</a>

Похожие патенты