401938

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ЙЯ 401938 Союз СоветскихСоциалистицескихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт, свидетельства- Заявлено 26 Л 11,1971 ( 1683926/26-25 М. Кл, бг 31/26Н 011 7/00 ением заявки М прис асударственныи комитетСовета Министров СССРпа делам изобретенийи открытий Поиорите 621.317.799(088.8 37.311.3 (088.8). Пономарев и В. А. Шпир Заявите СПОСОБ ОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ОГРАНИЧИТЕЛЪНО СВЧ-ДИОДА 2 Изобретение относится к способам контроля электрических параметров полупроводниковых приборов в процессе их изготовления.Известны способы контроля порога ограничения ограничительных СВЧ-диодов на полупроводниковых эпитаксиальных структурах, при которых контроль проводится на завершающей стадии изготовления этих диодов. В результате отбраковываются готовые СВЧ-диоды, на изготовление которых затрачены средства.Цель изобретения - разработка способа, позволяющего проводить контроль ограничительных СВЧ-диодов по порогу ограничения на ранней стадии их изготовления на низкой частоте и тем самым избежать проведения дорогостоящих технологических операций.Цель изобретения достигается за счет того, что, согласно предложенному способу, на части эпитаксиальной пленки типа р+пп+, предназначенной для изготовления ограничительных СВЧ-диодов, со стороны двух эпитаксиальных пленок, нанесенных на подложку, вытравливают меза-структуры на глубину, большую суммарной толщины эпитаксиальных пленок, но меньшую толщины пластины, получают омический контакт на обратной стороне пластины и измеряют вольт-фарадные характеристики р - п-перехода при нулевом смещении С, ч прямом смещении Сс напряжения, величина которого определяется экспериментально для типа испытуемого диода. Качество диода опС еляется отношением , допустимая веС личина которого определяется также экспериментально. Способ реализуется следующим образом.От пластины с эпитаксиальной структурой 0 типа р-пп отрезают сегмент высотой примерно 3 - 5 мм, на котором изготавливают мезаструктуры. Для этого со стороны пленки р+- типа наносят несколько капель защитного кислотостойкого лака, например ХСЛ, структуру травят в растворе НР:НХОз:СНзСООН=2:9:5 на глубину, несколько превышающую толщину двух эпитаксиальных слоев. Полученные меза-структуры защищают сплошным слоем защитного лака, подложку подшлифовывают 0 и затем химически никелируют в стандартномрастворе.Защитные слои лака растворяют в толуолеи измеряют прямую вольт-фарадную характеристику меза-структуры на мостовом измериз тельном приборе в двух характерных точках:при нуле (Со) и при выбранном значении прямого смещения (Сц). Оптимальная величина напряжения смещения определяется экспериментально для данного типа СВЧ-ограничиЗ 0 тельного диода с целью получения максимальЗаказ 26515 Изд. Уа 127 Тираж 755 Подписное Ь,ИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и огкрытий Москва, )К, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 ного отличия значении для диодов с разсс,личными порогами ограничения. Например, для ограничительных СВЧ-диодов, имеющих диаметр р - и-перехода 80 мкм, У равно 0,45 в. При этом величина соотношения . опредесСоляет пригодность эпитаксиальной структуры для изготовления ограничительного диода, так как непосредственно связана с величиной порога ограничения.Таким образом создается возможность до изготовления прибора вести разбраковку пленок по одному из основных параметров ограничительного диода - порогу ограничения.При использовании мостового измерителя емкости более качественным по порогу ограничения эпитаксиальным структурам соответствует большее соотношение, ее минимальнаяс,допустимая величина для данного типа диодов определяется экспериментально. Пряму 1 о вольт-фарадную характеристику р - п-перехода можно также измерять на установках с емкостно-омическим делителем, широко распространенных в полупроводниковой промышленности и предназначенных для снятия обратныхвольт-амперных характеристик диодов, Однако при этом следует учитывать влияние, активной составляющей в общем импедансе диодной структуры, которая не позволяет измерятьистинных значений величин емкости, и это, вконечном счете, приводит к обратной зависисмости качества структуры от соотношения -с,10 т. е. более качественным эпитаксиальнымструктурам соответствует меньшее соотношение Ссг,Со,Предмет изобретения15 Способ контроля параметров ограничительного СВЧ-диода, например порога ограничения, путем приложения к пластине эпитаксиальной структуры прямого смещения напряжения и последующего определения емкости, от личаюгпийсл тем, что, с целью обеспеченияко 1 троля прибора на низкой частоте, предварительно на части пластины создают мезаструктуру, измеряют емкость р - п-перехода при нулевом смещении напряжения и при 25 выбранном, по отношению которых судят опороге ограничения диода.