H01L 29/78 — с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора

Номер патента: 147687

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Зубрицкий

МПК: H01L 29/78

Метки: канальный, полупроводниковый, тетрод

...достигнуто тем, что в нем применен дополнительный электрод-ловушка неоснованных носителей тока.На чертеже изображена конструкция предлагаемого тетрода,Тетрод снабжен кольцеобразным наружным затвором 1, выполненным в виде р - п перехода и снабженным выводом 2, истоком 3 с выводом 4 и стоком (коллектором) б электронов с выводом б. Канал 7 тетрода выполнен в виде трубки из полупроводника типа и. Внутри трубчатого канала расположен стержневой дополнительный электрод - ловушка 8, выполненный из полупроводника типа р, снабженный выводами 9,который при подаче на него смещения управляет шириной канала 7.Вследствие того, что электрод-ловушка имеет большую площадь р - иперехода и расположен в области канала и стока (коллектора), он является...

Номер патента: 197018

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Абб, Электроники

МПК: H01L 29/78

Метки: полевой, триод

...КС-цепь. Постоянная со ставляющая тока, протекая через эту цепь, образует падение напряжения, которое действует между затвором и истоком триода, Чем больше ток, тем больше отрицательное напряжение на затворе по отношению к истоку, и наобо рот, Таким образом, выполнение истока в видепленки, имеющей большое омическое сопротивление, приводит к стабилизации тока, протекающего через триод. Изменения постоянной составляющей тока, вызванные различны ми процессами (медленными нестационарнымиявлениями, старанием, температурным уходом и т. д.), в предлагаемом активном элементе будут меньше, чем в элементах с общим электродом с высокой проводимостью примерно в 20 1+5 Рраз (5 - крутизна характеристикитриода, Л - сопротивление истока)....

Номер патента: 263750

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Айрапет, Комаровских, Мурыгин, Поспелов, Стафеев

МПК: H01L 29/78

Метки: полевой, триод

...для параллельного электрического ввода информации в вычислительные и управляющие машины.Известны полевые приборы с р - п-переходом, управляющий электрод в которых отделен от полупроводника слоем диэлектрика. Однако такие приборы в своей вольтамперной характеристике не имеют участка отрицательного сопротивления,Цель изобретения - получение 5-образной вольтамперной характеристики, Достигается это тем, что р - и-переход в полупроводнике расположен перпендикулярно электроду затвора, а длина базы более двух диффузионных длин неосновных носителей заряда. Мурыгин, В. В. Поспел При подаче постоянного напряжения положительной или отрицательной полярности на электрод 2 в области объемного заряда полупроводника происходит обогащение или...

Номер патента: 287629

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H01L 29/78

Метки: моп-структурой, полевой, транзистор

...т,)П 1 2 В тО:)1 с,1-ае, с.;П 1 "12.етР пс 13 ехода10 я)пОДлох)к ОбразОВ 212 13 к,рсмн 15сопротпвлсп)псм - 1 О 0),)1,сзхГсл 11 разность и,)тспцпсло) мс: д) затв)ро.1 под;ОжкОй10 и 10 Гд 2 сопротпВлснпе бу.30;1 ет П 01)я)дка 10 - 1)0.)1, и эта Г)ел 1 чппг со287629 Фи ЯСоставитель О. Б, федюк едактор Л, Герасимова Корректор Л. А. Царько аква 0075,10- - 70 г. Тираж 480 Подписное1 И 11111 Комитета но делам ивооретений н откргктнй нрн Совете Министров СССРМосква, К.зо, 1 аушскав най, д. 4/о нгральна тнографнв МО противления достаточна в больгшшстве случаев для входного сопротивления для транзисторов с такой структурой. Транзистор прн отсутствии повреждения или пробоя окисной изолилирующей пленки может свободно функционировать в качестве...

Номер патента: 334917

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Мичев

МПК: H01H 47/32, H01L 29/78, H03K 17/56 ...

Метки: 334917

...потенциал затвора по отношению к потенциалу полупроводникового слоя, таз что в соседних точках этих слоев разность напряжений будет равна величине поданного сигнала. Диэлектрический слой 5 будет заряжен до этого потенциала. мутатор на полевом известных тем, что выго материала с сапропревышающигм максие полупроводникового его средней точки. Предлагаемыи катриоде отличается отполнен из высакоомнатввлением, равным илмальное сапротивленслоя, и имеет вывод о Равная разнос твором и полупр сохранить постоя ря на увеличение и истоком 4. Устр напряжения в заз кам и затвором и ть потенциалов меидоводниковым слоем позв иной величину тока, не расстояния между сток аняется также канцентр орах между затвором и Остаком. заяет отом 8, ацкя стоисходит...

Номер патента: 398068

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Иностранец

МПК: H01L 29/78

Метки: 398068

...излучателя и стока, расположенных по существу параллельно); Ъо - напрякение между затвором и излучателем; Ър - запирающее напряжение; Ъ - напряжение стока.Применяя уравнение (1) к устроцству, изображенному на фиг. 1, для первого транзистора ичеем: Г - длина истока 1, Ь - расстояние между истоком 1 и островной зоной 5, Ъ - напряжение затвора 2 относительно истока 1, Р - напряжение островной зоны 5 относительно истока 1.Это уравнение в равной мере может быть принято и для второго транзистора, если допустить, что зона 5 является излучателем, а зона 4 - стоком.Если Ьэ - поток стока первого транзистора, я - поток стока второго транзистора и э)1 пэ, то общий поток стока ограничен 1 гэ, Также, если Ьви то общий поток стока ограничен Ьэ, Если...

Номер патента: 597033

Опубликовано: 05.03.1978

Автор: Тагер

МПК: H01L 29/78

Метки: транзистор, униполярный

...периодическая диэлектрическая структура 6. Периодическая структура может иметь различную конфигурацию. В варианте конструкции, показанном на чертеже заявки, эта структура выполнена в виде набора узких диэлектрических полосков, шириной 1 образующих на поверхности ппастины периодичес -кую структуру с шагом 2 Й, причем отношение этого шага к насьпленной скорости носителей тока в попупроводнике Ф равняется периоду Т- высокочастотныхУкопебаний, соответствующему центральной иастоте рабочего диапазонаи не зависит от полного угла пропета носителей заряда в высокочастотном поле 8 . й р, фПп,который может намного превысить 23Существенно, что в отличие от явпения нарастания волн пространственного заряда в полупроводниках с ОЛП, используемых...

Номер патента: 585772

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Воронин, Скакодуб, Щербаков

МПК: H01L 23/04, H01L 29/78

Метки: полевой, транзистор

...затврра, а также тем, что токовыводы стока и истока расположеныперпендикулярно токовыводу затвора, 30или тем, что токовыводы стока и истока расположены параллельно и направлены в противоположную сторонутоковыводу затвора.Кристаллодержатель также может 35быть изготовлен из других материалов,таких как лейкосапфир, окись магнияили .окись берилдия.На фиг, 1 и 2 схематично даны дваварианта конструкции полевого транзистора, разрез и вид сверху.Полевой транзистор содержитполупроводниковую структуру 1, кристаллодержатель 2, токовывод 3 истока, токовывод 4 стока, токовывод 5 45затвора. Кристаллодержатель 2 выполнен в виде ступенчатой .Фигурнойпланки (см. Фиг. 1), токовывод затвора установлен по оси симметриипланки, а токовыводы истока.и...

Номер патента: 710417

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Кляус, Ольшанецкая, Черепов

МПК: H01L 29/78

Метки: временной, задержки, сигнала, электрического

...приведена кремниевая подложка п -типа проводимости и диэлектрик 50 . Истоком 4 и стоком 5транзистора могут служить любые устройства, обеспечивающие ввод заряданосителей в потенциальную яму подэлектродом, образующуюся после подачина электрод напряжения, и регистрацию заряда на выходе (например,-п -переход, диод Шоттки, плавающийзатвор и т.д.). Для определенностина фиг.1 в качестве истока и стока.приведены обычные о- п -переходы,выполненные диффузией бора в подложку. Причем - -переход стока обратно смещен, -и -переход истоканаходится под потенциалом земли,В подложке между истоком и стоком созданы туннельно непрозрачныепотенциальные барьеры, которые могутбыть выполнены по-разному. Например,в аиде диффузионной примеси 8 тогоже типа...

Номер патента: 1103762

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Борисов, Васенков, Полторацкий, Ракитин, Сурис, Фукс

МПК: H01L 29/78

Метки: полевой, транзистор

...влиянию)в приповерхностных областях подложки под туннельно-прозрачным диэлект 30 риком электродов истока и стока образуются слои, обогащенные свободныминосителями. Эти слои примечательнытем, что являются хорошими инжекторами свободных носителей в индуцированный канал (в отличие от барьеровШоттки под электродами истока и стока известного транзистора). Поддействием электрического поля электрода затвора свободные носители вы 40 текают из-под электрода истока всторону электрода стока, двигаясьпо индуцироваяному поверхностномуканалу и ускоряясь полем, создаваемым напряжением, прикладываемым меж 45 ду электродами стока и истока, Восполнение носителей под туннельнопрозрачным диэлектриком электродаистока происходит благодаря протеканию...

Номер патента: 1097139

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Овчаренко, Портнягин

МПК: H01L 29/78

Метки: полевой, транзистор

...минимальном напряжении между затвором, истоком и подложкой для одного транзистора другой транзистор смещен только по подложке, а для уменьшения потребляемой мощности используют длинноканальные МДП-транзисторы, имеющие большое значение коэффициента влияния подложки на пороговое напряжение.В качестве нагрузок может быть использовано несколько последовательно включенных МДП-транзисторов с обеднением, затвор и исток каждого транзистора соединены между собой.Недостатком такой нагрузки является большая потребляемая мощность. При минимальном напряжении между истоком, затвором и подложкой для последнего транзистора остальные транзисторы смещены только по подложке, так как затворы соединены с соответствующими истоками, а для уменьшения...

Номер патента: 921387

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Верходанов, Власов, Гаштольд, Калиников, Кольдяев

МПК: H01L 27/04, H01L 29/78

Метки: полупроводниковое

...затвора в области канала,На чертеже изображено сечение полупроводникового устройства, состоящее из полупроводниковой подложки 1, например, р-типа проводимости, эпитаксиального слоя 2 противоположного типа проводимости, областей 3, 4 верхнего, нижнего. затворов, областей 5 каналов, областей б истока (стока), легированной области 7 канала.Как видно из чертежа, канал состоит из двух областей: неравномерно легированной и нелегированной.В эпитаксиальной области 5 канала легирующая примесь распределена однородно и соответствует уровню легирования исходной эпитаксиального слоя М, тогда как в области 7, которую создают с помощью операций диффузии или ионного легирования, концентрация примеси не постоянна, а уменьшается от значения, соответст"...

Номер патента: 1621817

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Александер, Владимир, Томас

МПК: H01L 29/78

Метки: затвором, изолированным, мощный, полевой, транзистор

...следовательно, устройство будет работатьв качестве устройства р-канала, а неустройства п-канала,Два истока помещаются на одной итой же поверхности полупроводникового7 6рабатывания способности выдерживать высокое обратное напряжение, и глубину, зависящую от необходимого обратного напряжения для данного устройства. Таким образом, для 400 В-ного устройства нижняя и -область может иметь глубину порядка 35 мкм, в то время как для 90 В-ного устройства она имеет глубину порядка 8 мкм. Другие глубины выбирают в зависимости от требуемого обратного напряжения устрой" ства для обеспечения получения необходимой более толстой области истощения, требуемой для предотвращения пробоя во время состояния подачи об-, ратного напряжения. Более верхнюю...

Номер патента: 1099791

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 29/78

Метки: n-канальный, интегральный, моп-транзистор

...эффекты, если и- канальный транзистор используется в КМОП структуре, а также более эффективно, т,е. с уменьшением потерь, передавать потенциал подложки между транзисторами в интегральных схемах.При этом, поскольку зона с повышенной концентрацией акцепторной примеси удалена от областей стоков, повышение концентрации в ней не приводит к ухудшению таких параметров, как токи утечки и пробивные напряжения, а также емкостей стоковых переходов, а это ведет к снижению потребляемой мощности, повышению надежности и быстродействия интегральных схем, использующих и-канальные транзисторы с заявляемой конструкцией.В соответствии с изобретением была изготовлена К-МОП ИС, включающая выполненные в кремниевой подложке КЭЭ 4,5 с ориентацией поверхности...

Номер патента: 1828723

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Логинов, Лопатина, Фролов

МПК: H01L 29/78

Метки: высоковольтный, мдп-транзистор

1. ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МДП-ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, сильнолегированные области истока и стока второго типа проводимости, диэлектрик затвора, затвор, электроды истока и стока, первую слаболегированную область второго типа проводимости, сформированную в подложке под краем затвора с стороны стока, вторую дрейфовую область второго типа проводимости с промежуточной концентрацией примеси по отношению к первой дрейфовой области и к стоку и расположенную между первой дрейфовой областью и стоком, и полевую плату, расположенную над дрейфовыми областями, покрытыми толстым диэлектриком и соединенную с истоком и затвором, отличающийся тем, что, с целью повышения пробивного напряжения стока и стабильности...

Номер патента: 1840165

Опубликовано: 10.07.2006

Авторы: Крымко, Манагаров, Марков

МПК: H01L 29/78

Метки: виртуальной, заряда, переносом, прибор, фазой

Прибор с переносом заряда с виртуальной фазой по авт. св. СССР № 1840250, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности путем обеспечения реверсивного режима работы и одновременного смещения центра накопления в каждой ячейке, одна из областей тактового электрода разделена пополам и ее части размещены по разные стороны от другой области, а область виртуальной фазы имеет выступы, причем профиль ее легирования соответствует профилю легирования примыкающей части тактового электрода, все части которого имеют соответствующие проводящие шины.

Номер патента: 1840250

Опубликовано: 10.07.2006

Авторы: Крымко, Кузнецов, Манагаров, Марков

МПК: H01L 29/78

Метки: виртуальной, заряда, переносом, прибор, фазой

Прибор с переносом заряда с виртуальной фазой, включающий тактовый электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения отношения сигнал/шум и улучшения передаточной характеристики за счет повышения устойчивости к перекрестным оптическим помехам, тактовый электрод выполнен из двух материалов - нелегированного полупроводника и непрозрачного проводника, причем материалы тактового электрода имеют электрический контакт по всей его ширине, а величина их перекрытия меньше длины нелегированного полупроводника.

Номер патента: 1840194

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Крымко, Манагаров, Марков

МПК: H01L 29/78

Метки: виртуальной, зарядовой, приборов, связью, фазой

Способ изготовления приборов с зарядовой связью с виртуальной фазой, включающий операции окисления, фотолитрографии, ионного легирования и термического отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности производства при одновременном упрощении процесса изготовления, увеличения степени интеграции и процента выхода годных, после окисления наносят высокоомный поликремний, в котором последовательно вскрываются окна над легируемыми областями, начиная с области с максимальным уровнем легирования, после каждого вскрытия окон проводят ионное легирование, затем проводят одновременный термический отжиг легированных областей, после чего формируют проводящий слой, вскрывают окна над областью виртуальной фазы и легируют примесью...

Номер патента: 1840558

Опубликовано: 10.09.2007

Авторы: Дорофеев, Каменецкий, Леуский, Чернявский

МПК: H01L 29/78, H03F 3/60

Метки: кристаллодержатель, транзистора, широкополосный

Широкополосный кристаллодержатель транзистора, содержащий удлиненную диэлектрическую подложку с односторонней металлизацией в виде расположенных вдоль продольной оси полосковых зондов связи с прямоугольными волноводами, соединенных с входной либо выходной полосковыми линиями, подключенными соответственно к затвору и стоку полевого транзистора, и полосковых короткозамыкателей, подключенных к истокам транзистора, отличающийся тем, что транзистор выполнен в виде кристалла, полосковые короткозамыкатели - в виде реактивных шлейфов, а соединение затвора, стока и истоков с соответствующими полосками обеспечивают через введенные металлические столбики, которые соединены с контактными площадками кристалла введенными проволочными перемычками и...