Патенты с меткой «алмазоподобных»

Номер патента: 498889

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Маликова, Семерчан

МПК: G01N 23/20

Метки: алмаза, алмазоподобных, качества

...выделением кристаллитов алмаза или алмазоподобных материалов из изделий, например, с помощью химического удаления связующего вещества.Используют дополнительный эталон, полученный путем обработки исходного порошка алмаза или алмазоподобного материала при тех же температурах и давлениях, которые применяют при изготовлении изделиИ, но без связующего вещества.Способ осуществляют следующим об 10 н 2 25 разом,Одно из которое выб механически рушают и пр образцы алм а Изобретение относится к способам контроля качества инструментов и аппаратов высокого давления, изготовленных из синтетических алмазов и алмазоподобных материалов типа карбонада, балласа, кубического нитрида бора, алмазных композиций и др,Известен способ нераэрушающего контроля...

Номер патента: 1011515

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Назарчук, Печентковская

МПК: C01B 35/00

Метки: алмазоподобных, бора, графитоподобного, модификациях, нитрида, содержания

...плотных (алмазоподобных) модификаций.Известен рентгенографический метод,определения различных модификаций нитрида бора 1,Недостатками этого метода являютсянеобходимость иметь эталонные рентгенограммы или дифрактограммы образцовс известным содержанием графитоподобного нитридв бора (ВМг), и малая еготочность вследствие погрешностей визуального сравнения исследуемых рентгенограмм с эталонами.На результаты определения эначительное влияние оказывает также дисперсность исследуемых образцов. Это обстоятельство приводит к необходимости иметьэталонные образцы одинаковой дисперсности с исследуемыми, что практическиневозможно. Нв точность определениясказываются такие факторы, как гранулометрический состав образцов, их структура, дефекты структуры,...

Номер патента: 1070949

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Бенуа, Гончаренко, Дмитриев, Колпаков, Маслов

МПК: C23C 14/40

Метки: алмазоподобных, покрытий

...потОка плазмы в импульсе, приходящего на подложку (10 -16 щ см ,ч ), позволяет существенно снизить про- . центное содержание примесей в покрытии и таким образом снизить требования к рабочему вакууму (процесс осу" ществляется при давлении аргона 1 х510Па) без заметного снижения микротвердости и увеличения примесей впокрытии, что подтверждается исследованиями на электронном спектрометредля химического анализа (ЭСХА). Подложка изолируется от корпуса вакуумной камеры и электродов генератораплазмы, т.е. находится под потенциалом "плавания". При этом отпадает не,обходимость в применении ВЧ-генерато" 15 ра или иного устройства электроста-,тического ускорения ионов, Ускорениеионов плазмы осуществляется в межэлектродном пространстве...

Номер патента: 2003200

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Джон, Зорина, Иванов, Кулик

МПК: H01L 21/203

Метки: алмазных, алмазоподобных, газовой, пленок, фазы

...поскольку длина пробега для неупругих 20 взаимодействий много больше толщины пограничного слоя, Однако, в результате упругих столкновений в пограничном слое активные частицы теряют кинетическую энергию, Таким образом, при очень высокой 25 плотности потока активных частиц и, следовательно, большой скорости Физико-химических процессов на поверхности радиационные нарушения практически исключены, чем и достигается высокое качество ЗО обработки. В силу того, что тепловой потокк поверхности велик (температура плазмы достигает (10-15) 10 К), обработку такой, плазмой можно проводить только в режименестационарнойтеплопроводности,т,е. при З 5 кратковременном воздействии плазмы наповерхность, Толщина осаждаемого на поверхность слоя определяется...

Номер патента: 1610949

Опубликовано: 15.10.1994

Автор: Тарасенко

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04

Метки: алмазоподобных, пленок

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПЛЕНОК путем распыления мишени из графита импульсным лазером и осаждения паров на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения однофазных и бездефектных пленок, стойких к лазерному излучению, распыление ведут с помощью ТЕА СО2-лазера с плотностью мощности излучения 1 107 - 5 108 Вт/см2 при расстоянии от мишени до подложки не менее 7 см и вакууме в камере не менее 10-5 торр.

Номер патента: 631017

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: алмазоподобных, инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах путем воздействия на них импульсами лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления концентрацией носителей заряда, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 400 МВт/см2 при длительности импульса от 10-1 до 10-9 с.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 1015 до 1018 см-3, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 56 кВт/см2 при длительности...