Грибенюков

Номер патента: 1050473

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Арбузова, Воеводин, Грибенюков, Максимова, Якубеня

МПК: H01L 21/66

Метки: однородности, полупроводникового

...образуются йа кристаллографическйх15 гранях, например (110), .ориентированныхперпендикулярно оси роста кристалла. Наобразцах, вырезанйых параллельно оси роста, наблюдаются протяженные ограненные области.: вытянутые вдоль оси роста20 кристаллов. Рентгенотопографическим методом показано; что указанные ямки появляются в местах выхода на поверхностьвключений посторонних фаэ.Исследуют зависимость скорости трав 25 ления и состоянйеповерхности от концентрации кислоты в растворе травителя.Результаты экспериментов приведены. втабл. 1,На основании проведенных исследоваф30 ний сделан вывод об оптимальном соотношении компонентов тра вителя:НЙОз:Н 2 О 3 2Исследуют: влияние температуры обра-,ботки на результаты травления в интервале35 30-110 С....

Номер патента: 1282765

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Андреев, Березная, Воеводин, Грибенюков

МПК: H01L 21/306

Метки: диарсенида, кадмия-германия

...раствор винной кислоты Применание НОО Н О Поверхность сероГо цвета; слаборастворяются вторые фазы и окислы,материал не растворяется Поверхность серого цвета; слаборастворяются вторые фазы и окислы;материал очень слабо растворяется 2Появляется блеск на поверхности,растворяются вторые фазы и окислы;очень слабое растворение материала Поверхность блестящая; быстрое растворение вторых фаэ и окислов, слабое растворение материала Травление вторых фаэ, окислов и материала; слиток разваливается наблоки 1Увеличение содержания азотнойкислоты приводит к пассивации поверхности и реакция не идет, Изменениесодержания винной кислоты в сторонуувеличения приводит к увеличению скорости реакции;,при введении в раствортрех частей кислоты реакция становится...

Номер патента: 1484132

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Андреев, Батурина, Воеводин, Грибенюков, Калеева

МПК: G02F 1/35

Метки: излучения, монокристалла, оптического, параметрического, преобразователя, частоты

...1486132цаллГ.ь цл лцо фторопиястоВОГР стока ца 6 с внутреццчм Зиаметром РВ стакан заливали свежеприготовлецный раствор гцлохлорита натрия ИаОС 1, После отклонения оси стакана0 1 ц пт вертикали ца угол 40-50 стакан 1 приводился во вращение со скоростьюУ, (об/мин). Вращение стакана вокруг своей осн вызывает вра шецце шайбы со скоростью ОШУ 1), /Пы, об/мин. Химико-динамическая полировка рабочих поверхностей ППЧОИ из монокристалла ЕпСеР в водном растворе гипохлорита натрий 15 проводилась при различных значенияхО, и Пщ, при этом характеристика ППЧОИ зависит от обобщенного параметра ЧмаОсб - скорости потока водного раствора гипохлорита натрия 20 относительно ППЧОИ (см/с), которая равна скорости линейного перемещений НПЧОИ относительно...

Номер патента: 1452223

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Андреев, Воеводин, Грибенюков, Зуев

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00, G02F 1/35 ...

Метки: излучения, монокристалла, оптического, параметрического, преобразователя, частоты

...сечений моно- кристалла ЕпСеР 1, имеет азимутальный Угол Ч " 0 ипи90 , что экви- валентно у, Оф из-за физической неразличимости направлний х и у в кристалле 2 аСеР (это также следует иэ выражений для эффективной нелинейной восйриимчивости для трехчас"тотного параметрического взаимодействия).Пересечение плоскостей ( ОО) и(010) - на чертеже эти плоскостинредставленм сечениями кристаллаЕпСеР с контурами, обозначенными соответственно точками АВГМ ЕМ,Р и ГМ,СИ 3 - аредставляеФ собой отрезокоптической осн кристалла с, обозначенный отрезком РР, относительно которого проводился отсчет углов синхрониэма О . Разметка эквивалентных направлений синхронизма АА, А, и А и измерение угловых отклонений этих направлений относительно оси роста...