Способ получения рисунка фотошаблона

(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РИСУНКА ФОТО- ШАБЛОНАб (57) Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при литографических операциях Цепь изобретения - повышение тиражеатойкости фотошабпона. На стекпянную подложку наносят спой полиимида, а затем слой Ав Яе толщиной 100 - 300 нм состава1-х0.3 х - 0.5 и слой Ад толщиной 15 - 20 нм, Полученные структуры локально экспонируют, например, электронным лучом с энергией, достаточной дпя отохимической диффузии Ая в слои2/см, С неэкспонированных учаФ Джслои Ая и проявпяютполного удаления слтравлением. Нанесенобеспечивающей непдпин волн 115 - 4сшивания слоя полирентгеновским излучепее 110 С и использтериала системы Амаскирующего слоя.вании и снижает деф стковэкспонированныеоя Ав Зе реактивнх 1-хие слоя попиимида трозрачность слоя в ц70 мм, проведениеимида путем обпучнием при температурование в качестве резв Зе уменьшаетх 1-хк фоторезисту при эормацию маскирующ нспонироего слоя. сотОз советскихсОцттАлистических РеспуБликГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕПТ СССР) удаляют участки до о в ионн опщиной, иапазоне операции ения его е не боиста ма- адгезию1308111 Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано на литографических Операциях при изготовлении фотошаблонов длл полупроводниковых приборов и интегральных схем,Целью изобретения лвллетсл повышение тира)кестойкости фотошаблона эа счет уменьшения адгезии маскирую.цего слоя к фоторазисту при эксг)онировании и снижении деформации маскиру:.о)щего слоя,Сущность способа заключается в следующем,На стеклянную фотошаблонную подложку размером 102 х 102 мм наносят на центрифуГе слой полиимида толщинОЙ 1 - 4 мкм, После сушки пви 10010"С в течение 30- 60 мин пповодят радиационное сшивание полиь 10)а, нап 1)имер, рентГеновским излу" чанием с ДлиноЙ волны 0,54 нм (Мо ЛГ) и псглощаамой дозой порядка 1 дж/см .2Затем вакуумным теГ)мическим напылением из кварцевой лодочки последователь- НО НЗНОСЯТ СЛОЙ АЭХЯа)-х ТОЛЩИНОЙ 100-300 нм сОстава 0,3х == 0,5 и слой серебра толщиной 15-.20 нм.Полученные структуры локально экспонируют или электронным лучом по заданной програ:ма топологии с энергией 5-30 кэВ, или рентгеновским излучением через рентгеношаблон и диапазоне 0,41-0,54 нм (Ац .дМО л Г),),или ультрафиолетом сдлиной волны 180-470 нм через фотошаблон, или. на Оптикомеханическом генераторе иэображений с поглощаемой дозой; достаточной для фотохимической диффузии сеРабРз в слой АвхЯе -х Обычно ДО 1 Дж/см,После этого удаляют слой серебра с неэкспонировзнных участков путем Обработки структуры в растворителе сере)ра, удобнее всего в 20-3)%-ном растворе НКО; Проявление экспонированных участков до полного удапения неэкспонированных участков слоя АэхЯеьх проводят путем Формула иэобоетенил СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РИСУНКА ЭОТОШАБЛОНА, вкпочающий последовательное нзнесанис на проэрзчнио подлож ку слоя полиимидз неорГаничаскОГО резиста на Основе халькОГениднОГО стаклоОб)ззного полупроводника,и слОЯ легирующаго материала, литографическое формирование маски в неорганическом резисте и перенос иэОбражания в слой полии мида путем травления его в кислородсодержащей плазме, Отличак)- щийся тем, что, с целью увеличанил тирареактивно-ионного травления на становкеУВПв СГ 4 придавлении(3-5) 10 ммрт ст.и удельной мощности не более 0,3 мВт/смна обрабатываемой поверхности, Затем втой же усановке меняют газ СГ 4 на кислород и при давлении (2 - 3) 102 мм рт.ст.удаляют участки слал полиимида, немаскированные слоем АзхЯе 1-х+Ау.Темные участки фотошаблона представ 10 лвот собой "сендвич", нижний слой (амортизирующий) которого обеспечиваетсохранение беэдефектности топологии, аверхний - основной маскирующий слой скоэффициентом поглощения до 10 см 1 при15,Л 470 нм и коэффициентом пропускания30-504 в диапазоне 550-.б 50 нм и низкойадгезией к слоям фоторезиста обеспечиваетпроведение безрефлексного (вследствиемногократных отражений от маскирующего20 и маскируемого слоев) экспонирования фоторезистивных слоев без нарушения ихсплошности при разъединении с фотошаблоном,Диапазон длин волн ограничен снизу25 (115 нм) границей пропускания прозрачнойподложки на основе кварца, а сверху(470 нм) - максимальный чувствительностью экспонируемь 1 х через фотошаблон фо"торезистов,Соединение селенида с мышьякомАэхЯа 1-х фактически представляет собойтвердый раствор мышьяка в селене, приэтом маскирующие свойства и чувствительность к фотохимической диффузии метал 35 пов, преимущественно серебра или меди,сохраняетсл в. диапазоне изменения состава 0,3 х 0,5 на приемлемом уровне.(56) Джеймс Т,Х. Теорил фотографического процесса, Пер. с англ Л.: Химия, 1980,558 в 5 105-108 581 в 5У. Час. Яс, апб ТесЬЛО 1, 1983, В,1, М 4, р, 1174-1177. жестой кости фото шаблона за счет уменьшения адгезии маскирующего покрытия к фоторезисту при экспонировании: 50 и снижении деформации маскирующегопокрытия, слрй полиимида наносят толщи- НОЙ, обеспечивающей непрозрачность слоя в диапазоне длин волн 115 - 470 нм, а перед нанесением резиста проводят сши вание слоя полиимида путем облучениярентгеновским излучением при температура не более 110 С, причем в качестве резиста используют. материал системы Аэх Яе , где 0,3 - х0,5, толщиной 100