H01L 21/425 — с внедрением ионов

Номер патента: 2003202

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Болтарь, Корольков

МПК: H01L 21/425

Метки: имплантированных, кадмия, ртути, слоев, теллурида, формирования

...через нее ускоренных ионов легирующего элемента бора и светового отжига, в качестве капсулирующейпленки используют систему, состоящую изо5 слоев АЬО з толщиной порядка 2000 А и 3102отолщиной порядка 1000 А, имплантированный слой КРТ получают внедрением ионовбора с энергией 120-150 кэВ и дозой в диа 10 вазоне 5 х 10 -1 х 10 ион/см, а отжиг про 12 34 2водят ступенчато (1 - 5 ступеней) с режимомкаждой ступени 100 С 15 - ЗО мин,Сопоставительный анализ предлагаемого решения с прототипом показываетчто15 предлагаемый способ отличается от известноготем, что, во-первых, используютдругуюкапсулирующую пленку (систему, состоящую из слоев АЬОз толщиной порядкао о2000 А и ВОр толщиной порядка 1000 А,во-вторых, имплантированный слой КРТ,получают...

Номер патента: 915684

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Вихрев, Герасименко, Лебедев, Ободников

МПК: H01L 21/425, H01L 31/18

Метки: антимониде, индия, создания, фоточувствительных, элементов

Способ создания фоточувствительных элементов, на антимониде индия p-типа проводимости, включающий операции фотолитографии, нанесения диэлектрических покрытий, облучения протонами для создания p-n-переходов, нанесения контактов к элементам на кристалле, присоединения кристаллов к основанию корпуса, отличающийся тем, что, с целью избежания деградации параметров p-n-переходов во время технологических нагревов, облучение проводят после всех технологических операций.

Номер патента: 1094523

Опубликовано: 20.11.2002

Автор: Король

МПК: H01L 21/425

Метки: полупроводниковой, структуры, четырехслойной

Способ изготовления четырехслойной полупроводниковой структуры, включающий введение легирующей примеси в кристалл кремния и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры и длительности процесса формирования структуры при сохранении времени жизни неосновных носителей заряда, в качестве легирующей примеси используют натрий, который вводят в кристалл ионной имплантации при дозе 200-2000 мкКл/см2, а последующий отжиг проводят при температуре 675-725oС в течение 23-35 мин.