Способ изготовления интегральных схем

1340477 5 10 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении цифровых интегральных схем (ИС) с высоким быстродействием,Цель изобретения - повышение воспроизводимости параметров при увеличении быстродействия интегральной схемы,На чертеже приведена экспериментальная зависимость времени рассасывания избыточного заряда выходного транзистора интегральной схемы го от флюэнса а-частиц после отжига кремниевых пластин при 320, 350 и 400 С - кривые 1,2 и 3 соответственно.П р и м е р реализации способа, В качестве исходных пластин используют пластины кремния с диэлектрической изоляцией12 КЭЭ 0,35маРки КСДИ 60. 380 Я ВО 1 8, Монокристаллические карманы из кремния Я и-типа ориентации 100, с удельным сопротивлением р=0,35 Ом см имеют сильнолегированные скрытые слои.На первой операции Я пластины окисляют в печи СДО - 125/3-15 при 1150 С по режиму сухой-влажный-сухой кислород до получения на поверхности кремния слоя окисла 8102 толщиной 0,7 мкм.. Стандартньми операциями фотолитографии и травления вскрывают окна в слое 3102, в которые последовательно проводят диффузию примеси бора и фосфора, формирующие резисторы, базовую, коллекторнуо и сильнолегированную контактную область к коллектору вертикального и-р-г-транзистора, Глубина залегания эмиттерного и-рФормула из о б рете ни ч 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий операции формирования в кремниевых пластинах активных и пассивных элементов транзисторов, диодов, резисторов), соединение элементов проводящими дорожками в необходимой последовательности, технологическую доводку быстродействия активных элементов путем облучения а -частицами с энергиями, обеспечивающими введение в области базы и коллектора транзисторов радиационных дефектов, концентрацией которых управля;от выбором флюэнса облучения, отличаощийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров при увеличении быстродействия, после операции соединения элементов проводящими дорожками по всей поверхности схемы наносят защити-перехода составляет 1,80,2 мкм, толщина активной базы - "О,9-1 мкм,С помощью фотолитографии вскрьвают контактные окна над коллекторной, базовой и эмиттерной областями транзисторов и контактными площадками резисторов, напыляют металлизацию, по которой создают электропроводящие дорожки, обеспечиваощие в нужной последовательности соединенля между элементами интегральной схемы ИС. Далее наносят по асей поверхности схемы слой из фоторезиста толщиной 10 мкм, и методом фотолитографии вскрывают в нем окна над областями, в которых15 сформированы выходные транзисторы схемы, Затем пластины помещают в облучательную установку типа ЛОИ) с.источниками а.частиц на основе изотока239 Р. При этом, регулируя расстояниемежду планарной поверхностью 31 пластины и источником, устанавливают длину пробега а-частиц в кремнии больше суммарнойтолщины слоя окисла на поверхности, эмиттерной и базовой областей (т,е, - 5 - 6 мкм),Облучение проводят флоэнсом - 1 10" ачастиц на 1 см,После удаления фоторезиста пластиныпомещают в диффузионную печь и проводятотжиг в инертной атмосфере Аг) или в ваку 30 уме прл 360 С в течение 60 млн,56) Патент США М 3933527, кл, Н 01 1.21/265, 1976, Патент США М 4056408, кл, Н 01 1.21(25, 1977. ный слой, методом фотолитографии вскрывают окна в защитном слое над областямив которых сформированы выходные трамзисторы схемы, при технологической доводке быстродействия транзисторов путемоблучения флюзнс облучения устанавлива- ют. (1 - 5 10 гча тиц/см,гвгде г - время рассасывания избыточного50 заряда в транзисторах, с,а после удалени 5 защитного слоя Отжигают кремниевые пластины при 320- 400 С втечение 10- 60 мин.2, Способ по п,1. Отличающийся тем,что максимальный флюэнс облучения выбирают из условия непревышения концентрацией радиационных дефектов в областиколлектора транзистора 20). от концентрации легируощей примеси коллектора.1340477 ф 18 ЯЦЬ, аб ЧастСи Составитель В.Устинов ехред М,Моргенталтор Л.Пилипенко едактор Н.Тимонина аказ 3333 Тираж Подписно НПО "Поиск" Роспатента3035, Москва. Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101