Агрич

Номер патента: 2003206

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Лифшиц

МПК: H01L 27/00

Метки: затворами, кмоп-интегральная, поликремниевыми, схема

...области подложки и кармана иметаллические шины истоков, параллельные шинам питания,На фиг.1 приведена электрическая схема О-триггера, на примере которой рассматриваются различные конструкции ИС; на фиг.2 - конструкция ИС О-триггера по прототипу, в которой металлические шины питания и межсоединений элементов размещены непосредственно над МОП транзисторами, на фиг.З - та же, в которой ширина МОП транзисторов сделана минимально возможной с целью минимизации тока потребления, шины питания размещены по обе стороны параллельно рядам транзисторов, а межсоединения вдоль рядов транзисторов выполнены с использованием поликремниевых "подныров" под шинами питания; на фиг.4 - та же, в которой ширина транзисторов сделана минимальной. э питание к...

Номер патента: 1635830

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/336

Метки: моп, поликремниевыми, резисторами

...ТРЯНЗИСЧ ОРД ПРИ 1111111 К 1 аЛа (юацРИЦа затвора) пг) топологии 2 ики рдгцг) 7 ВУ а при Ркислеиии в режиме 860 С, 150 миц вла)аый кислород 2 В.Таким образом, сильное окисление 1 О Необходимо для улучпеция параметров поликремииевых резисторов, однако оцо ухудюает 1 ардистры И 011-транзисторов,Изобретецюе рдзреюГает данное противорепе езозгОжносгью получеюил сильноокислеццых резисторов и сгабокюслеццых илц цсокислецюпгх затворов 11011- транзисторов. Это позопяет гримецять трдцзисторы с дгццоц пиала 3 мки без ухудгпецця падежости схемы и резисто рд с улучеицыгщ зцдгеГилл ТКС, ТКО с термРвреиециой стдбеьцостью и точностью соглдсовдцил соиротивлеций . в делителях.П р ц 1 е р 1. 11 зготовление ште ГРДЭЦЦХ СХЕИ, СОММЕР)гаИХ ПОЛЮКРЕМНИЕ-...

Номер патента: 1804664

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 21/82

Метки: конденсаторами, моп

...области р кармана, области ка налоограничения, локальные участки изолирующей (полевой) двуокйси кремния толщиной 1 мкм и затворной двуокиси кремния толщиной 450 А. На изолирующую и затворную двуокись кремния в реакторе низкого давления осаждают первый слой нелегированного поликристаллического кремния.Легируют первый слой поликристаллического кремния диффузией из РОСз до поверхностного сопротивления 20-25 Ом/П . Осаждают первый слой Юзй 4. Осаждают второй слой нелегированного поликристаллического кремния.Далее осаждеют второй слой нитрида кремния, Используя процесс фотолитографии, формируют на поверхности второго слоя нитрида маску и проводят плазмохимическое травление второго слоя нитрида кремния и второго слоя поликремния,...

Номер патента: 1075852

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Куценко, Мухин, Таланцев

МПК: H01C 17/26

Метки: делитель, интегральных, резистивный, схем

...резистивных элементов. ние относится к электроннойет быть использовано в техн ления прецизионных поли- резисторов, в частности, делителей для интегральных кристаллического кремний с я тем, что, с цельювоспроизведения отнолений резисторов .в делития диапазонаивления в низкоомной он расположенными на изке под резистивными элех боковых сторон дополнми поликристаллическоге сопротивление которыпорядок, больше удельния резистивных элементо На чертеже схематично показан резистивный делитель для интегральных схем,вид сверху.Резистивный делитель содержит изолирующую подложку 1, покрытую слоем двуокиси кремния (не показана), на которойрасположен слой 2 поликристаллическогокремния толщиной 0,5 мкм, резистивныеэлементы 3, контактные элементы 4,...

Номер патента: 1595277

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Ивановский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, создания, схем

...напыления 250 С.Проводят гравировку и травлениеслоев аморфного кремния методом ПХТи титана жидкостным травлением дляформирования рисунка межсоединений, 25При этом аморфный кремний и титанудаляют с областей тонкого диэлектрика т.е. затворы остаются поликремниевые, и при термообработке на нихсилицид не образуется, Кроме того,кремний и металл Удаляют с областейформирования омических контактов кполикристаллическому кремнию. Проводят термообработку при 850 С.в течение 10 мин в реакторе пониженногодавления в среде азота. При этомпроисходит уменьшение сопротивленияшин межсоединений за счет диффузииаморфного кремния и поликристалличес"кого кремния в слой титана и образования фазы дисилицида титана сте"хиометрического состава....

Номер патента: 1353142

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Семенова, Сульжиц

МПК: G03F 1/00, G03F 7/26

Метки: рисунка, шаблона

...получен в соот ветствии с изобретением был изготовлен резистивный делитель большой ин" тегральной схемы (БИС) аналого-цифрового преобразователя (АПП) . Идентичные прямоугольные элементы 12 резисторов делителя длиной 300 мкм (между контактными областями алюминия) и шириной 45 мкм формировались на фотооригинале экспонированием одного н того же прямоугольного фрагмента 3 длиной 32 мкм и шириной 45 мкм, образованного диафрагмой фотонаборной установки ЭИ 559 Б, .О раз со смещением на длину прямоугольного фрагмента 3 после каждой экспозиции, Кратность экспозиции М определялась, искодя из требования к допустимому . стандартному отклонению ширин идентичных элементов (/), из выраженияВ ьИ ъ( в в ) . С изготовленного фотоИ Уоригинала на...

Номер патента: 1412533

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/82

Метки: делителей, интегральных, резистивных, резисторов

...в реакторе пониженного давления при 620 С осаждался слой поликремния толщинами 0,18 мкм; 0,23 мкм 0,3 мкм (три варианта), Поверх поли- кремния осаждался слой нитрида кремния толщиной 0,1 мкм. Методом фотогравировки и плазмохимического травления нитрид кремния удалялся с резистивных участков поликремния, причем нитрид оставался на будущих контактных участках. Методом фотогравировки, плазмохимического травления нитрида кремния и поликремния формировались резисторы делителя; формировалась фоторезистивная маска, защищающая краевые области резистивных участков поликремния и проводилось ионное легирование центральной незащищенной части резистивных участков фосфором энергией 100 кэВ и дозами 250 - 4 400 кмКл/см . После удаления...

Номер патента: 1575850

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Сульжиц

МПК: H01L 27/04

Метки: дифференциальный, интегральный, к-моп, усилитель

...входных синфазных сигналов, зисторов и режима работы ДУ, при этом использование изобретения позволяет 0 и 0 д - напряжения положительного повысить коэффициент усиления ДУ за сси отрицательного питания; С- ем счет повьппенной концентрации примеси кость затворного диэлектрика МОП- , в подложке входных транзисторов, и транзисторов, Б- пороговое напря- следовательно, повышение дифферен" жение нагрузочных МОП-транзисторов; циального сопротивления сток-исток 1 - постоянный ток генератора тока входных транзисторов, особенно еслио 23дифференциального усилителя; К , Кп, они имеют короткие каналы. В отличие К - удельная крутизна МОП-транзисто- от известных ДУ при таком повьппенниЙров генератора тока, входных и нагру- концентрации примеси в...

Номер патента: 1575849

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/8232

Метки: моп-интегральных, поликремниевыми, резисторами, схем

...маски из нитрида кремния с окнами на резистивных участках резисторов, Удаляют маску иэ фотореэиста в смеси Каро (смесь серной кислоты и перекиси водорода, Вновь формируют маску из фоторезиста ФПТ.Для экспонирования используют темнопольный шаблон со светлым окном, содержащим темные фигуры поликремниевых резисторов, торцы которых выходят за пределы окон в нитриде кремния, вскрытых на предыдущей операции фотолитографии, Проводят плазмохимическое травление нитрида кремния и поликремния в плазме СГ 4, формируя области резисторов, оставляя нитрид кремния на контактных участках резисторов (фиг,2), Удаляют маску из фоторезиста и формируют фоторезистивную маску для проведения имплантации ионов фосфора в резистивные области...

Номер патента: 1106350

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01L 21/265

Метки: затвором, интегральных, к-моп, поликремниевым, самосовмещенным, создания, схем

...исГла; с,ИЕЙ,)В: )сНОЙ ГХГМПЛЭТЭЦ(1 Еи ЕО(.-ссЕЪ)я сГ)БЬ(1)Е 1 ИР ВО ПрС .СЗВОГИГИГ)СТ;: Г,ЛИНЫ КЗНЗГЗ П-типа ИЛ, П ):,с , -г(ОЛ,ЗОВЗ 1,;1, ;,;1 Е.ВЕ МсХ(У 1)0;Н:;ВОГ,)" Г.-ан с,.г н Г саЧОМ ГггС( ба; ПОСКО" С"окав- И ;Г с ):.;, , с" :. ОЛО;ИНЗ ДИЗЛЕктриков НЭД Э(ИМИ,)ГласЯ 1 И В ОтлИчИЕ От протОтИПа ОЭЗГ)0 С". -,(- сн ЭЧИтЕЛЬНО (На тОЛГЦИНУ За ВОГ 1 ЧОГ.,;ИЗЛ К: ОИКЭ, ЧТО СОСТЭВЛЯЕТ "Ос 1" ОЗВОЛЯЕ. гОВ:.- СИТЬ бЫСТродЕЙГТВИЕ Ис) ЕГОЭЛЬНЫХ С;(ЕГИ ЗЭ Савт СНИЖЕНИЯ СОПРО- твл,аНИЯ ППЛИКРЕМНИЕВЫХ ЗатВОРОВ, ЛЕГИОУЕМ-,Х Дйфф Зйай фОСфОРсаа ДО УРОВНЯ ЯЗ ; П-)С ОГИ/Г, 1.-; ИЗВЕСТНОМ СПОСОбЕ ПРОИС- ходит к;пенсэция фосфора в Голикремниевых .".Этвооах р-канальных тра нзис"Оров+ООРОМ ВРИЕ:ИРОВ" н И Р-ИСТОКОВ, СОКОВ ИОЧ ЧО ИМГГГЭ-ТЗ.1 Г 011 РЗ...

Номер патента: 1099791

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 29/78

Метки: n-канальный, интегральный, моп-транзистор

...эффекты, если и- канальный транзистор используется в КМОП структуре, а также более эффективно, т,е. с уменьшением потерь, передавать потенциал подложки между транзисторами в интегральных схемах.При этом, поскольку зона с повышенной концентрацией акцепторной примеси удалена от областей стоков, повышение концентрации в ней не приводит к ухудшению таких параметров, как токи утечки и пробивные напряжения, а также емкостей стоковых переходов, а это ведет к снижению потребляемой мощности, повышению надежности и быстродействия интегральных схем, использующих и-канальные транзисторы с заявляемой конструкцией.В соответствии с изобретением была изготовлена К-МОП ИС, включающая выполненные в кремниевой подложке КЭЭ 4,5 с ориентацией поверхности...

Номер патента: 1098456

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, схем

...областях, легированных имплантацией сквозь нитридную маску за счет того, что бор с энергией 30-40 кэВ практически не проходит через маску 0,23-0,35 мкм (средний про 40 45 5 О 55 бег 0,1 - 0,14 мкм), а бор с энергией 100 - 150 кэ В (средний пробег 0,32 - 0,45 мкм) почти не задерживается этим маскирующим слоем.Имплантация через сквозные окна в первой и вто 2 оой масках бором с дозой 300- 600 мкКл/см позволяет полУчить области с уровнем легирования более 5.10 1/см, причем повышение дозы более 600 мкКл/см нерационально в связи с резким повышением времени легирования и повышением дефектности имплантированных слоев, Имплантация бора через окна второй маски сквозь первую маску с дозой 100 - 200 мкКл/см позволяет получить оптимальные для...

Номер патента: 1003695

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Мухин

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, резисторов, схем

...резистивные элементы шириной 32 мкм и длиной 180 мкм, Далее формируют фоторезистивную маску с использованием фоторезиста Ф П(с шириной окна 12 мкм, длиной 120 мкм), защищающую участки слоя поликристаллического кремния, прилегающие к боковым границам прямоугольных резистивных.элементов, и через фоторезистивную маску проводят ионную имплантацию богоа с энергией 40 кэВ и дозой 200 мкКул/см,Термообработку проводят при 1000 С в среде сухого кислорода в течение 30 мин и при 950 С в среде сухого и влажного кислорода в течение ЗО мин для отжига слоя поликристаллического кремния, активации примеси и формирования на поликремниевых элементах слоя защитной термической 30 г,В слое 50 г путем фотолитографии и травления вскрывают контактные...

Номер патента: 1389603

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, создания, схем

...вторую термообработку. После чего удаляют второй слой кремния,ного давления при давлении 66 Па в среде азота, При этом на участках монокремния и поликристаллического кремния образуется смесь моносилицида титана и дисилицида титана, а на областях двуокиси кремния образования силицидов не происходит.Травление слоев кремния и молибдена проводят в плазме фторосодержащих соединений СР 4 в течение 4 мин, при этом слой непрореагировавшего титана не травится,Далее травят непрореагировавший в процессе термообработки слой титана. Травление проводят в смеси "Каро" (горячая серная кислота с перекисью водорода, соотношение Н 2504: Н 202 = 7:3, температура 433 К) в течение 1 мин, Слой силицида при этом не травится. Сопротивление его составляет 6...

Номер патента: 1144570

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01C 17/26, H01L 21/82, H01L 27/01 ...

Метки: поликремниевый, резистор

...в соответствии с законом Ома ведет к уменьшению величины подстроечного напряжения, что существенно упрощает реализацию источника подстроечного тока, упрощает процесс подстройки и ускоряет ега за счет снижения рассеиваемой на резисторе в процессе подстройки мощности,Горизонтальный градиент распределения примеси, направленный от нелегированного (внутреннего) участка поликремния к торцевым поверхностям резистора, через которые проводилась диффузия примеси, ведет к некоторому снижению температурного коэфФициента сопротивления такого резистора по сравнению с однороднолегированным. Кроме того, возможно ввести дополнительную термообработку (разгонку примеси) при температуре 900 - 1100 С после легиравания резистора, что приведет к...

Номер патента: 1316509

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Гусаров, Сульжиц

МПК: H01L 27/092

Метки: интегральная, схема

...дрейфабсолютной погрешности преобразования н конечной точке шкалы/типовой Минимальное время преобразования с гарантией точности преобразования Относительная устойчивость к ВВФ мкВ/С 15 150 600 мкВ/ С 15 мкс относительные единицы. толщина затворного диэлектрика45 нм, эффективная длина канала 9 24,0 мкм для р-канальных транзисторов 1 и 2,1,8 мкм для и-канальных транзисторов,эффективная ширина канала600 мкм дпя р-канальиых транзисторови 2,320 мкм для и-канальных транзисторов 3 и "4пороговые напряжения транзисторови-канальных нагрузочных 0,7,В,и-канальных ключевых 1,0 В,р-канальных активных 1,0 В.Описанная интегральная схема была использована в изготовленной БИС8-разрядного АЦП последовательногоприближения, Имеющаяся...

Номер патента: 1609399

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 21/8232

Метки: моп-интегральных, поликремниевыми, резисторами, схем

...и разводку. Область поликремниевых резисторов при этом закрытаслоем фоторезиста,Далее известными методами формируют области истоков, стоков и- и р-канальных40 .транзисторов, межслойную изоляци о, омические контакть и алюминиевую разводку,П р и м е р 2. Процесс проводят попримеру 1 до операции вскрытия резистивных участков поликремния резисторов45 включительно.Далее удаляют фотомаску в смеси Ка-ро и формируют фоторезистивную маску.для . формирования электродов затворов имежсоединений. Проводят плазмохимиче 50 ское травление слоев нитрида кремния ипервого слоя поликристаллического кремния, Область поликремниевых резисторовпри этом закрыта слоем фоторезиста. Послеудаления фотомаски создают новую для55 проведения ионной имплантации...

Номер патента: 1656683

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Агрич, Арсеньев

МПК: H03M 1/66

Метки: интегральный, цифроаналоговый

...в первом (старшем) разряде определяет запас на возможное уменьшение порогового напряжения при изменении условий окружающей среды в процессе эксплуатации цифроаналогового преобразователя. При этом в случае коммутации напряжений, близких к нулю, переключающие свойства МОП-транзисторов ограничиваются токами утечки иззэ низкого эффективного порогового напряжения и малого обратного напряжения смещения истока МОП -транзистора относительно подложки. Это приводит к ухудшению достоверности результатов преобразования (понижению надежности). Введение дополнительного МОП-транзистора 4 с каналом Р-типа проводимости включ первого разряда снимает необходимость иметь низкое значение пороговогонапряжения для коммутации напряжений,приближающихся к...

Номер патента: 1195156

Опубликовано: 30.11.1985

Авторы: Агрич, Зексер, Майсоценко, Цимерман

МПК: F25C 1/00

Метки: льда, раствора

...сухим и влажным каналами 7 и 8 соответственно. Кроме того, установка содержит поверхностный теплообменник 9 с полостями 10 и 11 и растворопровод, который посредством трубопровода 12 связан с конденсатором 2, а посредством трубопровода 13 - с влажным каналом 8. Сухой канал 7 аппарата 6 косвенно-испарительного охлаждения воздуха связан воздухо водом 14 с полостью 10 поверхностного теплообменника 9, а влажный канал 8 воздуховодом 15 через конденсатор 2 - с горячей полостью 11, которая в свою очередь связана со сборником 16 воды, а последнии - с льдогенератором 5.25 Установка для получения льда работает следующим образом,При включении холодильной машины компрессор 1 нагнетает пары холодильного агента в конденсатор 2, откуда жидкость, пройдя...

Номер патента: 1054633

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Агрич, Зексер, Майсоценко, Цимерман

МПК: F25B 1/00

Метки: холодильная

...машины.Машина содержит компрессор 1, воздушный охладитель 2, воздушный конденсатор 3, регулирующий вентиль 4,испаритель 5 теплообменник 6, бак 7,заполненный водой, трубопровод 8, гидравлический клапан 9, установку 10 длякосвенно-испарительцого охлаждения воздуха, вентилятор 11 и выходные патрубки 12 и 13.Холодильная машина работает следующим образом.Компрессор 1 отсасывает пары хлад- агента из теплообменника 6 и нагнетает их через воздушный охладитель 2 в конденсатор 3. Затем жидкий хладагент дросселируется в регулирующем вентиле 4 и поступает в испаритель 5, где кипит, производя холодильное действие. Образующиеся при этом пары направляюч ся в теплообменник 6 и далее - во всасывающую магистраль компрессора 1. Бикл...

Номер патента: 741020

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Агрич, Зексер, Майсоценко, Павлова, Фролов, Цимерман

МПК: F24F 3/14

Метки: воздуха, косвенно-испарительного, охлаждения

...на входе и выходе потоков, причем в каждом канале 8 общего потока установлены продольные перегородки 10 из влагонепроницаемого материала, образующие отсек 11 с горизонтальными капиллярно-пористыми стенками 12, имеющими отверстия 13, и над верхним отсеком 14 установлен водораспределитель 15.Кроме того, установка имеет устройство для перемещения воздуха, например центробежный вентилятор 16, а также может оборудоваться фильтром 17 и клапаном 18.Установка работает следующим образом.Забираемый вентилятором 16 общий поток воздуха очищается в, фильтре 17 и через патрубок 3 общего потока поступает в каналы 8, где охлаждается при постоянном влагосодержании. На выходе из каналов 8 общий поток делится на основной поток, который, пройдя...