Способ изготовления интегральных схем

ЗЦ-. (111 фб 7 Щ 1 юз совктсаихцидлистичкских експувлидествщнок плтщтнок ЮТОРСКО СВЙДЕТЕЛЬСТВУ 1-"2667011 3., 4Изобретейие относится к производству того, что сошлифованные области материаполупроводниковых приборов, в частностила подложки Занимают полезную часть плок производству йнтегральных схем.:.щади пластины.Известен способ йзготовленйя интег-., Целью. изобретения является повыше-ральных Схем (ИС); В известном: способе: 5 ние процента выхода годных интегральныхизолированные области получаются путем:,.схем и улучшение качества поверхноститравления через "окмсйуюмаску раздели- : изолированных областей.тельных каналов, окисления реяьефной по- : Указанная цель достигается тем, что верхности, наращивания на окисйую: " удаление монокрифалла производят путем поверхность:поликристаллического слоя и 10 послойного анодирования мойокристалла с сошлифовки монокристалла для вскрытия: последующим; растворениемобразовавше-разделительйых каналов. и получения необ-, гося окисла; ", .ходимойтлубинызалегания областей моно-. :, .: Айодированиепроисходит только при кристаллического кремйия, Этог спосбб не . -".,наличии положительного потенциала намопозволяет. получить: качественййе изолиро-: 16 нокристалле;: следовательно, процесс ,удаванные области ИС:; что сйижает процент- ,:,."-."лейия; монокристалла будет продолжаться выхода годных ИС;:.:;,"., .".;, -додостижения дна разделительных канаИзвестен способ изготовления и 1 тег- ","ловт.е. до появлеййя окисной пленки ,ральных схем, включающий нанесение мас 4" изолированных областей,:так как на изолики напластину монокристалла,травление М рованныеобласти потенциалане попадает через маску разделительныхкайалов,окис-":; " и,: следовательно, процесс. анодированияление рельефной поверхности,.нанесейие ",;:,этих областейпроисходитьне может. Вна окисную поверхйость поликристалличе-" предлагаемом. способе процесс удаленияскогоили диэлектрического слоя и удаленИе . монокристалла автоматически прекращает-монокристалла до выявления изолирован-,25ся при достижении.окисной пленки. разде-.., ных областей.:.:.:. ;-, . лительных канавок, прй:этом проиеходитДля точного определения момента.", йолная электрическая изоляция -Структур.окончания сошлифовки монокристалла на .,;Таким образом, глубина изолированных об: . фоторезисторной маске располагают окна .:;: ластей монокристалла определяется глуби- "под контрольные углублениятакой формы и З 0ной вытравлейного рельефа и не зависит отразмеров,:чтобы йри .травлении раздели- ": прогиба подложки.На:поверхности.вскры-тельныхканалов на заданную глубйну конт- :, :. той пластины: находятся изолированнйе об-.рольные углубления изготавливалйсь на , ласти, разделенвые промежутками окйсла,.номинальнуа глубину зз 4 егания.монокри : который образовался:при:окислении кайасталла, й сошлифовку: ведут:до появлвния ЗБ лов, вцтрзвлеййьх в. исходном монокри-.окисйойпленки контрольнйх углублений,. сталле;этот окйсел является защитой от:,: ,:, что позволяег увеличить процент. выхода.- : проникновения: нежелательных примесей, годных областей.монокристалла на"подлож-. :из несущей подложки, что ослабляет требо-, Л ке.,: .:.- .,":;,: .",-;: .:,.:,:-",::. вания к материалу несущей подложки; ШиОднакотакойспособконтролядостиже.40,рина,"каналов,- вытравленных:. вния заданнойглубины залегаййя йонокри- -., .: монокристалМической пластийе, как прави-,, сталле .обеспечивает одинаковув глубину".;:, ло,макСимальна у поверхности. пластйны и" вскрытия не по: всей плаотине, .э. только " ".;.помереуглублейия.сужается и минимальналишь в определенной части ее:из-занеиз-:.":; на дне канала. Б связи с тем что процесс бежного изгиба подложки в процессе ее на удаления монокристалла при вскрытии ращивания на монокристаллическую ., йредлзгаемымспособом пройсходиттолько пластину. Кроме; этогоизвестный: способ: :.до дна каналов, расстояние между изолирооснован на сошлифовке монокристалла.до, :ванными областями монокристалла на, появления меток (контрольных углублений),:. вскрытой подложке будет определяться ши, а.так как метки расположены на глубине 80 риной днаканала и в любом случае будетменьшей, .чем глубинапротравленйого.: -, .меньше, чем в известном способе вскрытия рельефа, то одновременно с монокристал-. "сошлифовкой до появления окисной пленки. лическимиизолировамнымй областями со- .. контрольных углублений. Кроме этого, вшлифовывается и материал подложки; что . предлагаемом способе удаление монокри приводит, во-первых, к повышенным треба. сталла не сопровождается механическимваниям к материалу подложкй,чтобы исклю- нарушением поверхностного слоя монокричить проникновение нежелательныхсталла, что всегда имеет место прй сошли.- примесей в изолированные области моно- .фовке. Процессыанодирования кристалла и, во-вторых, куменьшению плот- . Монокоисталла и чпллйнио пйлчцондлй пи