Способ получения рисунка фотошаблона

ОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР)ПИСАНИЕ ИЗОБРЕ ла с 0303 сОВетскихСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИКГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕД ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(72) Берлин ЕВКрасножон АИЧернышов АИ. (4) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РИСУНКА ФОТО- ШАБЛОНА(57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении фотошаблоноа Цепь изобретения - увеличение тиражестойкости фото- шаблона На стеклянную подложку наносят слой органического материала - полигпицидилметакрита с этипакрилатом толщиной от 1 до 4 мкм и облучают его ультрафиолетовым облучением в вакууме не ниже 1,3 Па Затем обрабатывают подложку в ацетоне в течение 3 мин сушат при температуре 60 оС в течение 30 мин и напыпеот пленку А толщиной 80 - 120 мкм Далее наносят пленку фоторезиста толщиной 0,5 - 1 мкм. проводят сушку(19) ЯХ (11) 1314881 А 1 (51) 5 Н /оо последнего при температуре 1300 С в течение 30 мин и экспонируют рисунок топологии. После проявления рисунка в 0,5%-ном растворе КОН и эадубливании его при температуре 140 С в течение 10 мин проводят травление пленки А и Н РО:НИО:СН СООНН О:1406:30:5. Затем проз а з,з2водят реактивно-ионное травление слоя органического соединения в кислороде лри давлении 2,6 Па и напыляют отой кермета на основе двуокиси кремния с содержанием никеля от 1 до 10 ат.%. Полученную структуру обрабатывают в 10%-ном растворе КОН до удаления слоев и фоторезиста, промывают в воде и сушат. Полимериэация органического материала ультразвуковым излучением с двиной волны 115 - 430 нм в вакууме не ниже 1.3 Па с последующей стабилизацией в ацетоне в течение 2 - 10 мин обеспечивает достижение поставленной цели. 1 элф-лы, 2 ил.10 55 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении фотошаблонов для полупроводниковых приборов и интегральных схем,Целью изобретения является увеличение тиражестойкости фотошаблона,На фиг. 1 и 2 показаны основные этапы получения рисунка фотошаблона,На прозрачную подложку 1 наносят слой 2 органического материала, представляющий собой полностью сшитый полимер с сетчатой структурой, поверх слоя 2 последовательно наносят пленку 3 алюминия и пленку 4 фотореэиста, в которой формируют маску Рисунок маски путем последовательного травления оленки 3 и слоя 2 органического материала переногят в слой 2. После нанесения маскирующего покрытия 5 пленку 3 алюминия удаляют,П р и м е р 1, На стеклянную плоскопараллельную подложку 1 размером 102 х 102 мм (127 х,27 мм или другого стандартного размера) после отжига ее ори 100 С в течение 40 мин наносят на центрифуге слой 2 органического материала - полиглицидилметэкрилата с этилакрилатом толщиной от 1 до 4 мкм, проводят его облучение ультрафиолетовым излучением с длинами волн 115А360 нм в вакууме не ниже 1,3 Па, обрабатывают подложку в ацетоне в течение 3 мин, проводят сушку при температуре 80"С е течение 30 мин и напыляют пленку 3 алюминия толщиной 80-120 нм. Далее наносят пленку 4 фоторезиста ФП-РНтолщиной 0,5-1 мкм, проводят его сушку при температуре 130 С в течение 30 мин и экспонирование рисунка топологии на установке ЭМ, После проявления рисунка в 0,5(-ном растворе КОН и эадубливании его при температуре 140 С в течение 1 О мин проводят травление пленки 3 алюминия в травителе состава НЗРОп; НМОэ: СНэСООН : Н 20 = 140:6:30:5. Затем осуществляют реактивно-ионное травление слоя 2 сополимера поли глицидил мета крилата с этилэкрилатом в кислороде на установке УВПпри давлении 2,6 Па на установке вакуумного напыления УРМЗ,279,040 электронно-лучевым и термическим испарением, одновременно напыляют покрытие 5 (слой кермета на основе двуокиси кремния с содержанием никеля от 1 до 10 ат.1 ь). Затем полученную структуру обрабатывают в 10-ном растворе КОН до удаления слоев алюминия и фотореэиста промывают в воде 15 20 25 30 35 40 45 50 и суша г ори температуре 150 С в течение 30 мин.П р и м е р 2. На стеклянную плоскопараллельную подложку 1 размером 127 х 127 мм после отжига ев при Т - 100 С в течение 40 мин наносят на центрифуге слой 2 бутадиенстирольного каучука(-СН 2 СН СНСН 2 - гп - (-СНгСН - ) и1СбН 5 в растворе толуола толщиной от 1 до 4 мкм и проводят его облучение ультрафиолетовым излучением в диапазоне длин волн 115-360 нм в вакууме не ниже 1,3 Па со скважностью импульс/пауза 1:10 в течение 15-30 мин с дозой облучения 2-5 Дж/см .Затем обрабатывают подложку 1 в ацетоне в течение 2-10 мин при 20-22"С.Уменьшение дозы облучения для каучука 2 Дж/см приводит к получению остаточ 2ной толщины органического слоя 1 мкм, что не удовлетворяет требованиям тиражестойкости из-за увеличения вероятности повреждения фотошаблона частицами с размерами порядка 0,5-1 мкм.Увеличение дозы облучения более 5 Дж/см для каучука, 10 Дж/см для полистирола приводит к увеличению жесткости амортизирующего слоя и появлению двструктурированных участков органического слоя вплоть до полного его разложения с образованием графитизированного слоя, то есть к разрушению амортизирующей толстой прослойки между фотошаблоном и экспонируемой подложкой со слоем фоторезиста, Обработка в ацетоне в течение 2-10 мин удовлетворяет требованиям технологичности процесса, Уменьшение времени 2 мин приводит к неполному растворению и удалению неполимериэированных частей органического слоя. Увеличенив времени обработки не улучшает амортизирующих свойств слоя и нв приводит к изменению толщины слоя, полученной послв 10-минутной обработки.Далее рисунок формируется аналогично примеру 1.(56) Маэель Е,З., Пресс Ф,П. Планарная технология кремниевых приборов. М.: Энергия, 1974, с. 218 - 244, 258 - 264.5,Час, Яс. апЬ Тесйпо(оду, т, 1, М 4, октябрь-декабрь, 1983, с, 1225-1234.1314881 Формула изобретения Составитель О,ПавловаТехред М.Моргентал Корректор А, Козориз Редактор Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Заказ 3243 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РИСУНКА ФОТОШАБЛОНА, включающий нанесение на прозрачную подложку слоя органического материала, его полимеризацию, последовательное нанесение на него пленок алюминия и фоторезиста, литографическое формирование фоторезистивной маски, перенос рисунка в слой органического материала путем последовательного травления пленки алюминия и слоя органического материала. нанесение маскирующего покрытия и удаление пленки алюминия. отличающийся тем, что, с целью увеличения тиражестойкости фотошаблона, пол. имериэацию слоя органического материала осуществляют путем облучения ультрафиолетовым излучением с длиной волны 115 - 430 нм в вакууме не ниже 1,3 Па с последующей стабилизацией слоя в ацетоне в течение 2 - 10 мин.2. Способ по п,1, отличающийся тем. что в качестве материала органического слоя используют полиглицидилметакрилэт с зтилакрилатом или бутадиенстирольный каучук.