Патенты с меткой «переходом»

Номер патента: 129477

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Володин

МПК: G10H 1/02

Метки: высоте, звука, педалей, переходом, плавного, помощью

...затягивающего контура заменяется здесь плавным и непрерывным изменением его постоянной времени. Хотя внешние признаки данного отличия незначительны, по исполнительскому содержанию онп в корне меняют свойства системы, появляется возможность не только с необходимой оперативностью (в зависимости от степени нажима на педаль) предопределять скорость для каждого перехода от звука к звуку, но и менять скорость в процессе уже начатого (сравнительно долгого) перехода, придавая ему то или иное выразительное содержание.Устройство обеспечивает симметричный характер переходной функции, Помимо педального регулятора здесь введены контакты, управляе129477мые клавишей или рейкой, работающие на замыкание и использующиеся только в случае необходимости...

Номер патента: 405637

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: B21H 7/00, B21H 9/00, B23Q 41/02 ...

Метки: автоматическая, диаметру, линия, переходом, поперечном, производства, резким

...линии,Она состоит из механизма 1 правки подаваемой из бунта 2 заготовки, индукционного15 нагревателя 3, трехвалкового прокатного стана 4 периодической прокатки заготовок с вращающейся клетью и приводными валками,вращение которых противоположно направлению вращения клети, что обеспечивает осевоеперемещение прутковой заготовки без ее вращения, тянущего механизма 5, индукционногоподогревателя 6, проводки 7, устройства 8 дляштампсвки, выполненного, например, в видегоризонтального бесшаботного молота и синхронизирующего устройства 9.Автоматическая линия работает следующимобразом.Пруток из бунта 2, проходя через правильные ролики, поступает в индукционный нагреватель 3, где его нагревают до405637 Предмет изобретения Составитель М....

Номер патента: 480041

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Бочкарева, Парицкий

МПК: G03C 5/16

Метки: кондуктографической, переходом, полупроводниковой, р-п, системе, съемки, фотографической

...электрический ток при величине внешнего напряжения, соответствующем рабочему участку вольтамперной характеристики электрохимической ячейки, Время пропускания тока (1) выбирается таким, чтобы плотность вуали на регистрирующей пленке была достаточно малойУ (10 мин о( где ( - величина тока; 0, - порог почернения регистрирующей пленки; Оо - плотность вуали; у - коэффициент контраста регистрирующей планки.Затем регулировкой внешнего напряжения устанавливается нулевой ток и открывается световой затвор, световое изображение при этом проектируется в плоскость р - и перехода. Далее следует одновременно и световая, и электрическая экспозиция. При таком способе съемки в регистрирующей электрохимической ячейке происходят процессы, приводящие...

Номер патента: 519262

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Базунов, Езжев, Зимин

МПК: B21I 7/14

Метки: автоматическая, диаметру, линия, переходом, поперечном, резким, сечении

...на станине ковочной машины и состоит из траверсы 27, жестко связанной с корпусом подвижного гидроцилиндра 28 штамповочной машины. На траверсе закреплен двусторонний пож 29, Два неподвижных ножа 30 закреплены на станине машины,Механизм 9 подачи отштампованных заготовок в обрезной пресс 8 после отделения в штампОВОчной машине 5 выполнен в виде мехдническои руки 31, сВЯзаннои шестереннореечной пеоедачей 32 с ползуном обрезного пресса, направляющих 33 и 34 и подпружиненного захвата 35, шарнирно-закрепленного в корпусе механической руки. Обрезной 5 10 15 0 25 30 зд 40 45 50 60 55 штамп 36 установленпресса.Автоматическая линия работает следующим образом.Полоса или пруток исходного металла направляются в правильно-подающий механизм 1,...

Номер патента: 741473

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Кильметов, Краснопольский, Механцев, Переверзев, Сухоруков

МПК: H03K 19/40

Метки: инвертор, переходом, полевых, транзисторах, управляющим

...принципиальная схема инвертора, в котором четыре полевых транзистора 1 - 4 с управляющим переходом и с чередующимися типами проводимости каналов попарно образуютпервый А-транзистор 5, включенныймежду выходной шиной 6 и общей шиной 7 и второй Х -транзистор 8 дополняющего типа, включенный между шинойпитания 9 и выходной шиной. Затворы транзисторов 1 и 4 подключены,квыходной шине, затвор транзистора 2 щчерез А-диод 10 в обратном включении и затвор транзистора 3 через)-диод 11 в прямом включении подключены к входной шине 12.На Фиг. 2 представлены вольтамперные характеристики А -транзисторов 5 (сплошными линиями) и 8(пунктирными линиями),Инвертор работает следующим образом.ЗОВ исходном состоянии сигнал нашину 12 не поступает, ее...

Номер патента: 806210

Опубликовано: 23.02.1981

Автор: Павлов

МПК: B21D 51/00

Метки: переходом, труб, эксцентрич-ным

...диаметром относительно конического участка. Этот изгиб протекает при одновременном догибании образующих конического участка относительно цилиндрического .Участка с меньшим диаметром. Образующие прямолинейного участка изгибаются при этом под действием момента от пары сил Р и Р ,где Р - ре806210 Формула изобретения ЗО оставитель Е. Хохринаехред Н. Граб Корректор В. Синицка Редактор Н в Подписнвенного комитета СССРетений и открытий35, Раушская наб., д. Тираж 899 ВНИИПИ ГосУдаРс по делам иэоб 13035, Москва, Жаказ 117/14 Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,ал активн,ая сила от давления заготовки на полуматрицу.Изгиб образующих участков между собой заканчивается спрямлением в общую прямую одной из образующих детали фиг. 3). Для повышения...

Номер патента: 953732

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Кильметов, Краснопольский, Механцев, Переверзев, Сухоруков

МПК: H03K 19/094

Метки: инвертор, переходом, полевых, транзисторах, управляющим

...Переверзев н А., И. СухоруксЬ3 98 твор 1 гранзистора 1 через 3 -диод 7 в обратном включении подключены к входной шине 8. У дополнительног введеннсго бипспярного транзистора 9 км- . лектор подключен к выходной шине 3, эмиттер - к общей шине 4, а база- к управляющему затвору 3 -гранзистора 1.Устройство работает следуккцим образом.В исходном состоянии сигнал на входно шине 8 отсутствует, ее потенциал равен потенциалу общей щнны 4,-диод 7 оькрыт, затвор 3 -транзистора 1 подвпочен к входу, имеющему нулевой потенциал, поэтому Я -гранзистор 1 закрыт. В то ж время 3 -транзистор 2 открыт, а 3- диод 6 закрыт, и поэтому ток через прямосмещенный переход полевого транзистора-транзистора 2 не протекает. При этом на выходной шине 3 формируеъ ся...

Номер патента: 1109797

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Артеменков, Братов, Старосельский, Суэтинов

МПК: G11C 7/06

Метки: барьерным, запоминающего, переходом, полевых, полупроводникового, считывания, транзисторах, усилитель, устройства

...скорость считывания.Цель изобретения - повышение быст родействия усилителя,Поставленная цель достигается тем,что в усилитель считывания для полупроводникового запоминающего устройства на полевых транзисторах с барьерным переходом, содержащий линейныйусилитель, один вход которого подключен к первой разрядной шине, другой вход - к второй разрядной шине,нагрузочный элемент, первый вход но"торого подключен к шине питания, апервый и второй выходы - соответственно к первой и второй раэряцйым шинам, введен инвертор, причем выход ли".неййого усилителя подключен к второму входу нагрузочного элемента и 35входу инвертора,. выход которого соединен с третьим входом нагрузочногоэлемента.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема...

Номер патента: 1133586

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Зюзев, Трощенко

МПК: G05D 19/02

Метки: колебаниями, механическими, переходом, пуске, резонанс, торможении

...частоты от значения частоты и скорости ее изменения. Причем с увеличением скорости снижается максимум амплитуды колебаний и увеличи.вается смещение соответствующей ему частоты относительно собственной частоты колебаний. Это смещение происходит при пуске в сторону больших, а при торможении - в сторону меньших частот. Указанные свойства рассматриваемьм звеньев обеспечивают такое сочетание вынужденных и свободньк составляющих амплитуды колебаний, благодаря которому и достигается эффект снижения максимума амплитуды колебаний. При определении значения углов, при которых изменение зна" ка ускорения обеспечивает эффективное подавление амплитуды колебаний, необходимо учитывать,что для рассмат риваемьк звеньев максимуму амплитуды колебаний...

Номер патента: 1201874

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Артеменков, Братов, Старосельский, Суэтинов

МПК: G11C 7/06

Метки: барьерным, переходом, полевых, считывания, транзисторах, усилитель

...схемах запоминающих устройств.Цель изобретения - повышение быстродействия усилителя,На чертеже изображена структурная схема усилителя,Усилитель содержит триггер 1, первый 2 и второй 3 выводы питания которого подключены к шине 4 питания и общей шине 5 соответственно, входы установки нуля 6 и единицы 7 вк первой 8 и.второй 9 разрядным шинам (РШ) соответственно, а прямой 10 и инверсный 1 выходы - к входам 12 первого 13 и второго 14 инверторов, у которых первый 15 и второй 16 выводы питания подключены к шинам 4 и 5 соответственно, а входы 17 - к входам 18 соответственно первого 19 и второго 20 нагрузочных эле-. ментов, выводы 21 питания которых подключены к шине 4 питания, а выходы 22 - к 20 шинам 8 и 9 соответственно. Усилитель...

Номер патента: 928942

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Есина, Зотова, Матвеев, Рогачев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 21/208

Метки: основе, переходом, полупроводников, структур, типа

...кон 6 - 3 центрации дырок не менее 5 10 см / /мкм).В соединениях А В подвижностьш чэлектронов значительно больше подвижности дырок, например для 1 пАз их отношение составляет 50 при 300 К. Это обуславливает преимущественную инжекцию электронов в р-область.Поскольку вероятность излучательной рекомбинации можно считать пропорциональной концентрации дырок на диффузионной длине от р-п в перехо, то эффективность излучения р-п-перехода с резким профилем распределения дырок вблизи р-п-перехода значительно (по крайней мере, на порядок) выше, чем в р-п-переходах, полученных известным способом, а наиболее оптимальный интервал легирования, как показывает опыт, находится в пределах 510 - 110 смй . в -3 Указанный состав жидкой фазы определяют на...

Номер патента: 1636913

Опубликовано: 23.03.1991

Автор: Меньшиков

МПК: H02G 7/00

Метки: высокого, линия, переходом, препятствие, электропередачи

...опор, Провода переходногопролета имеют большее сечение переходного пролета, чем. провода ВЛ, Величины переходного и смежного с нимпролетов ВЛ выбираются с таким расчетом, чтобы обеспечить равенство весомых нагрузок от гололеда, воздействующих с обеих сторон на каждую изпереходных опор от проводов с гололедом переходного и смежного с нимпролетов,ВЛ. 2 ил,16369 пролету примыкают смежные пролеты ВЛ, содержащие промежуточные опоры 4, на которых посредством подвесных гирлянд изоляторов 5 крепятся провода ВЛ 6, а также промежуточные опоры 1 с полу- анкерной подвеской 2, причем провода 3 имеют большее сечение,чем провода 6, а соединение указанных проводов осуществляется в шлейфе 7 между двумя 10 подвесными гирляндами изоляторов полу- анкерной...

Номер патента: 1543597

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Бирюков, Выжигина, Отс, Титов

МПК: A61B 17/00, A61B 17/11, A61B 17/24 ...

Метки: бифуркацию, бронхолегочного, левостороннего, лечения, переходом, рака, трахеи

...левостороннего бронхолегочного рака с переходом на бифуркацию трахеи, включаюший оперативный доступ, последовательность резекции, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что с целью уменьшения травма" тичности и сокращения времени операции, осуществляют полную продольную ,стернотомию, иэ которой сначала производят циркулярную резекцию бифуркации трахеи, смещают левый главный бронх на левую сторону от аорты, интуоируют его вне зоны операционного поля, а затем накладывают анастомоз между трахеей и правым главным бронхом, после чего удаляют левое легкое. Составитель А.Самохин Редактор С.Рекова Техред А,Кравчук. " Корректор Н.Ревскаял Заказ 3723 Тираж Подписное В 1 ПЯПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035 р...

Номер патента: 1755218

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Воинов, Гущик, Кураченко, Чернуха

МПК: G01R 31/26

Метки: диэлектрик, зарядовой, переходом, приповерхностным, стабильности, структур, —полупроводник

...достаточно длительном процессе эксплуапробоя, воздействие коронными разрядом, тации, Потенциал электрода выбирается таполярность которого соответствует инвер- кой полярности, чтобы в приповерхностной сии приповерхностной области р-и-перехо- области р-п-перехода возникал инверсный да, изменяют величину потенциала слой. Величина потенциала, необходимая коронногоразрядаиодновременноизмеря для возникновения инверсионного слоя, ют электрический ток, протекающий через тем больше, чем меньше величина заряда .р-п-переход, причем потенциал коронирую- структуры диэлектрик-полупроводник, что щего разряда увеличивают до тех пор, пока иллюстрирует фиг.1. О появлении инверсноток начинает немонотонно увеличиваться, а го слоя судят по возрастаию...

Номер патента: 1598780

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Булдовский, Дубоносов, Клембек, Пузиков, Семенов, Черепков

МПК: H01L 29/88

Метки: переходом, туннельным

...мощности на переходе,Устройство изготавливается с использованием известного способа получения ал1598780 30 повышения стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок, слой диэлектрика и защитный слой выполнены из поликристаллическай алмазной пленки,Формула изабретени: Устройство с туннельным переходам, содержащее два металлических электрода, слой диэлектрика между ними и защитный слой, а т л и ч а ю щ е е с я тем, :,та, с целгло Составитель Н.ГусельникавРедактор Т,Куркова Техред М,Маргентал Корректор О.Густи Заказ 559 Тираж Псдписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5...

Номер патента: 1785053

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Головизнин, Кузнецов, Радзиевский, Стриха

МПК: H01L 21/66

Метки: импульсным, перегрузкам, переходом, разбраковки, структур, чувствительности, электрическим

...1 х структур по калибровочной зависимости. Техническая сущйость предложенного способа поясняется чертежом, на котором на фиг, 1 показана схема для измерения величин изменений термочувствительных параметров на однократных импульсах, где 1 - исследуемый переход, 2 - ограниченное сопротивление, 3 - токосъемное сопротив ление, 4 - измеритель напряжения на исследуемом переходе, 5 - измеритель напряжения пропорционального току черезпереход 5, 6 - генератор импульсов,на фиг. 2 приведена калибровочная зависимость,где ЬЧ-изменение напряжения лавинного пробоя под действием эталонного импульса.Чр - амплитуда разрушающего импульса, измеренная с помощью известного способа пошагового увеличения амплитуды импульса до разрушения...

Номер патента: 689467

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/20

Метки: варизонных, переходом, структур

Способ получения варизонных структур с p-n переходом, основанный на изотермическом смешивании растворов-расплавов при диффузии высокоактивного компонента через узкую щель в слой бинарного расплава, легированного амфотерной примесью, покрывающего перемещающуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью получения высокоэффективных излучательных p-n переходов с контролируемой глубиной залегания и получения на их основе приборов с различными характеристиками, изменяют температуру наращивания до достижения состава варизонной структуры, соответствующего точке инверсии амфотерной примеси, на различной толщине структуры, причем температуру наращивания выбирают на 50 - 150 градусов ниже точки...