H01L 23/427 — охлаждение путем изменения состояния, например с использованием нагревательных трубок
Силовой полупроводниковый блок
Номер патента: 1677749
Опубликовано: 15.09.1991
МПК: H01L 23/427, H01L 25/00
Метки: блок, полупроводниковый, силовой
...2, наступает пузырьковый режим ки 1677749пения. Пары жидкости из герметичной емкости 4 поступают в конденсатор 6, конденсируются, конденсат стекает обратно в герметичную емкость,При дальнейшем увеличении тока через полупроводниковые приборы увеличиваются тепловые потери, пузырьковый режим кипения переходит в пленочный, теплоотдача (охлаждение полупроводниковых приборов) ухудшается. Для исключения этого используются плавающие шарообразные элементы 10, находящиеся внутри боковых полостей 7, Под воздействием кипящей жидкости и паровых пузырей, которые совершают пульсирующие движения около боковых поверхностей теплоотводящих элементов, шарообразные элементы приходят в движение, периодически соприкаса ются этими боковыми поверхностями и...
Устройство для испарительного охлаждения полупроводниковых приборов
Номер патента: 1781735
Опубликовано: 15.12.1992
Авторы: Буянов, Жуков, Киселев, Митрофанова, Суслова
МПК: H01L 23/427, H01L 25/00
Метки: испарительного, охлаждения, полупроводниковых, приборов
....связанная с тем, что трубки с промежуточ- тора 4 изогнуты в виде рамок и образуют внымтеплоносителемудаленыотконтактной области испарителя 1 каналы 3 для жидкопоеерхности полупроводникового прибора сти, причем каждая трубка установлена в: - расположены внутри тела испарителя, а области испарителя 1 не менее чем двумятакже недостаточная надежность работы, 35 своими частямии имеет в этих местах плосвязанная с большим числом мест гермети- скую поверхйость 5, сопрйкасающуюся незации трубок в области испарителя и кон- посредственно сохлаждаемым прибором 2,денсатора. . Рамки конденсатора 4 выполнены или в одЦелью изобретения является повыше- ной плоскости, или в йескольких параллельниеэффективностиохлаждения и надежно ных плоскостях, или же...