Патенты с меткой «р-п-перехода»

Номер патента: 1283874

Опубликовано: 15.01.1987

Авторы: Пригожин, Скуратов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: встроенного, глубины, залегания, канала, концентрации, мдп-транзисторов, примеси, р-п-перехода

...потенциалов между встроеннымканалом и подложкой;Е- концентрация примеси вподложке.Начальное значение р быпо выбрано равным 900 см /В с.Значение констант в формупах (1)и (2) таковы:- 1 610 Кл= 12 о8 85 10 Ф/см, Ц = 0 7 В.Расчет привел к значениям К6 -Эс2,45 10 см, Х = 0,43 мкм.По графику эавнсймости(И,)для кремния находят значение шсоответствующее полученному значению И, : р = 1140 см /В с,Подставляют это число в формулы(1) и (2), проводят расчет вновь иполучают М = 1,710 см , Х0,45 мкм.Дальнейшие итерации не проводятк. заметному изменению результатов.При этом измерения по способу-прототипу заняло около трех часов, тогда как измерения предлагаемым способом были выполнены в течение10 мин,Формула изобретения Способ определения...

Номер патента: 1774397

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Лебедев

МПК: H01L 21/66

Метки: базовой, заряда, концентрации, носителей, области, р-п-перехода

...захваченных носителей с постоянной времени О, где 0 определяется параметрами ГЦ, Тогда разность между двумя значениями емкости в моменты времени т 1 и 1 г после окончания импульса инжекциие 11/О М е 1 г/О М (е ц/О- е сг/О): ЬСм, (3)где М - полная емкость р-п-перехода, обусловленная ГЦ.Если между окончанием импульса прямого напряжения и началом импульса обратного прошло время таад, при котором напряжение на структуре равно нулю, перезарядка ГЦ будет определяться двумя процессами;во-первых, термической ионизацией,во-вторых, во время Гзад, когда напряжение и, следовательно, электрическое поле вбазе р-и-структурыы равно нулю, захватомносителей из зоны с погтоянной времени г.После окончания тэад и начала импульса обратного напряжения...