H01L 23/26 — содержащие материалы для абсорбирования или химического связывания влаги или других нежелательных веществ

Номер патента: 391653

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 23/26

Метки: влагопоглотитель

...состоянии);80 вес. ч. 6 Э 18 Н - 60 - 0,5 и 103 вес. ч. спирто-ацетоновой смеси, Процесс приготовления и нанесения состава на внутреннюю поверх ность баллонов можег быть следующим:391653 Предмет изобретения Составитель М. Сорокина Техред 3. ТараненкоРедактор А. Морозова Корректор Е. Сапунова Заказ 3114/11 Изд, Мц 854 Тираж 780 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 виброизмельченные кристаллы цеолита ХаА в гидратированном состоянии перемешиваются до однородной суспензии с раствором блоксополимера. Подготовленная суспензия наносится каплями из шприца, кистью или из 5 пульверизатора на внутреннюю поверхность баллона...

Номер патента: 365756

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Анстранга, Витол, Матвеева, Мисуркин, Стручаева

МПК: H01L 23/26

Метки: влагопоглотитель, полупроводниковых

...цель достигается тем, чтоиспользуют смесь борцого дцгидрцда и молекулярцого сита, взятых в соотцошеццп соот 2 о ветствсццо 9 - -1:1- - 9, Иногда в указаццуюсмесь вводят геттероцосптель, например КВ-З.Борцьтй ацтццрпд прц определенных псходшях обработках и соотцошсциях с молскуляр;-, цым ситом в случае избытка влаги в корпусе прибора прц тсрмообработке поглощает влагу. В случае создания более осушающей среды цо сравцсцшо с цсобходимоц -- отдает впутрешцою влагу в атмосферу прибора. Вези совос количество борного дцгттдрида, молеку.Ц 1 ИИПИ Комитета по делам изоорстений и огкоытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д. 45 с)бп, тпп Костромского управлсппп пз атслпств, полш рафаи и кпп;кпо. горгопсп. лярного сита и...

Номер патента: 1292072

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Москвин, Прохорчева, Свирский

МПК: H01L 23/26

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов, силовых

...счастичным вырезом; на фиг.2 - то же,вид сверху.Охладитель включает в себя верхнюю часть 1 основания, которая имеет внутреннюю полость с радиальнымивыступами 2 и штырями 3, нижнюючасть 4 основания с радиальными выступами 5 и штырями 6, В сочленениипо радиальным выступам 2 и 5 обоих.резьбовым хвостовиком 10 и фланцем11. Сборка охладителя осуществляется путем стягивания верхней части 1и нижней части 4 основания с помощьюштуцера 8, причем так, что штыри 3верхней части находятся по впадинахнижней и образовывают шахматный,трехрядный участок штырей с требуемым зазором, а радиальные каналыштуцера находятся соосно с радиальными выступами 2 и 5.5 При присоединении охладителя ксистеме принудительного охлажденияхладагент через штуцер 8 и...

Номер патента: 1781734

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Волков, Коледов, Марков, Мельников, Симонов

МПК: H01L 23/26

Метки: микроэлектронное

...или ситалловую под-д ложку наносится слой клея (не имеющий в своем составе органических растворителей), а сверху на него высыпается отожженый влагопоглотитель. Затем подложка с 4 приклеенным влагопоглотителем помещается в вакуумную печь; где клей окончатель. но отверждается. Поглощение влаги а влагопоглотителем в процессе отверждения клея учитывается коэффициентом запаса, равным 2 - 3,П р им е р. Герметичный блок с внутренним объемом его корпуса, равным 1500 смз содержал полимерсодержащие конструктивы объемом равным 244 смз.1781734 2 3 0 Редактор Т.Иванова Корректор, ;С.К)ско Составитель Е.ПановТехред М.Моргентал Заказ 4277 ВНИИПИ Государс Тиражнного комитета по изобре3035, Москва, 2 К, Рауш Подписноеениям и открытиям при ГКНТ ССС ая...

Номер патента: 1263148

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Костенко, Шумильский

МПК: H01L 23/26

Метки: интегральная, микросхема

ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА в корпусе с контактными площадками, имеющими внутреннюю полость, содержащая пассивные и активные элементы, выполненные в кристалле полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и упрощения системы отключения микросхемы при перегреве, кристалл полупроводника расположен между контактными площадками корпуса и С-образной металлической лентой, жестко соединен с большей стороной этой ленты, причем криволинейные участки С-образной металлической ленты выполнены биметаллическими.