Шеревеня

Номер патента: 1781733

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Жора, Тучинский, Шеревеня

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральных, сборки, схем

...няют свои геометрические размеры, т.е. титана и никеля с.толщинамйсоответственимеетместоусад полимера. Этоприводит . но 100 - 300 А и 0,3 - 0,6 мкм с последующим к появлению внутренних напряжений в пол горячим облуживанйем, Это обеспечиваетимериыхэлементах, кихдеформациии, как ся тем, что, как показывают эксперименследствие, к смещению выводов гибких но- тальные данные, прочность паяных сителей. Смещение вызывает изменение га- микросоединений (30 - 65 г) оказывается баритно-присоединительных размеров изначительно большей прочности соединеухудшаетсовмещаемость выводов носителя 30 ний этих же выводов, полученных методом с контактными площадками при сборке и ультразвуковойсварки(5 - 25 г), Важнаотме. монтаже. В результате существенно...

Номер патента: 1719417

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Жора, Осипова, Тучинский, Шеревеня

МПК: C09D 9/00

Метки: защитных, покрытий, полимерных, удаления

...составляла от нескольких десятков (для АД 9103 ИС) до нескольких сотен (для 159 - 191, 159 - 167,КЭН 1, КЭН 2, КЭНЗ) микрон. Лаки 159 - 191 и 159 - 167 представляют собой смесь коемнийорганического винилсодержащего каучука олигометилгидридметилсилоксана с катализатором-(П - 1 или АП - 1) и с различными наполнителями, например двуокисью титана, Лак АД - 9103 ИС является раствором полиамидокислоты в диметилформамиде, Компаунды серии КЭН представляютсобой кремний - органический эластичный низкомолекулярный материал с наполнителем.Микросхемы в соответствии с данным способом помещают в раствор и обрабатывают в соответствии с технологическими режимами, указанными в таблице, После обработки изделия промывают в проточной деионизированной воде...

Номер патента: 1700639

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Бобровников, Рябиков, Тучинский, Шеревеня

МПК: H01L 21/52

Метки: герметичном, интегральная, корпусе, схема

...расширения (КТР). Это происходит благодаря тому, что толщина выводов не поевышает 35 мкм, в этом случае предел текучести алюминия меньше напряжений, созн)икающих в контактных слоях при перепадах температур, т,е. меньше величин напряжений, вызванных разностью КТР материалов стеклоприпоя и выводов.(роме этоо, такая толщина выводов позволяет присоединять их к кристаллу ультразвуковой сваркой беэ модификации контактных площадок, Экспериментально Тстан влено. что.при толщине выводов свы ше 35 мкм невозможно получить ненапряженные герметичные спаи с легкоплавким 1",.,Теклом. Толщину меньше 15 мкм получить сложноувеличивается трудоемкость иэготовл 8 ния.1(роме того, с целью повышения надежности интегральной схемы под выводы...

Номер патента: 1191492

Опубликовано: 15.11.1985

Авторы: Жора, Орехова, Паливода, Трубникова, Тучинский, Шеревеня

МПК: C25D 3/60

Метки: блестящих, висмут, нанесения, олово, покрытий, сплавом, электролит

...растворенного в подщелоченной воде, и столярного клея, предварительно гидролизованного путемкипячения раствора с добавлениемсоляной кислоты, Объем электролитадоводят до метки.Процесс осаждения ведут прикомнатной температуре, р 1 5,5-6,5и катодной плотности тока 3-15 А/дм.Аноды оловянные, соотношение площади поверхности анода и катода 2:1.Совместное присутствие в предлагаемом электролите ксиленоловогооранжевого и АСП исключает внедрение серы в покрытие.Ионы кобальта адсорбиругатся наотрицательно заряженной поверхностикатода. Они способствуют уплотнениюддсорбционной пленки, создаваемойксиленоловым оранжевым и АСП, затрудняют доставку к катоду ионов водорода и препятствуют разряду этихионов.В результате этого происходитснижение...

Номер патента: 1053336

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Березин, Тучинский, Шеревеня

МПК: H05K 1/00

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки, соединительная, структура

...компенсирующих элементов, расположенных врабочей зоне, может быть В виде любой 55геометрической фигуры,. например колец, полых тонкостенных ромбов,прямоугольников,На чертеже представлена конструкция соединительной структуры,Соединительная структура состоитиз двух зон; рабочей и технологи. ческой, Соединительная структурасодержит диэлектрическую подложку 1,с токопроводящими выводами 2 (Выводы,65 находящиеся в технологической зоне,в работе готового прибора не участвуют и после монтажа кристалла ккорпусу технологическая зона удаляется),Выводы, находящиеся в рабочейзоне, состоят из внутренних концов 3,которые присоединяются к контактнымплощадкам 4 полупроводникового прибора 5, и внешних концов б, которыеприсоединяются к...

Номер патента: 949552

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Позний, Тучинский, Шеревеня

МПК: G01R 31/04

Метки: контактов, кристаллом, проводника, процессе, сварки, электрических

...в блок 3 сравнения,При изменении величины этого сигнала (из-эа возникновения дополнительного электрического контакта про-водника с кристаллом) блок 3 срав949552 Формула изобретения Составитель В.Бочаровр Г.Кацалап Техред Е. Харитончик Корректор О.Билак Подписноеомитета СССРоткрытийская наб д, 4/5 Зака пиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 нения выдает в,блок 4 сигнализации и анализатор 5 брака сигнал о наличии брака, величина которого зависит от результата сравнения, Кроме того, с выхода сварочного узла 2 на вход анализатора 5 брака поступают сигналы, 5 соответствующие фазам рабочего цикла сварочного узла 2 (опускание инструмента, создание заявления на присое-диняемый к кристаллу проводник и успокоение инструмента - 1...

Номер патента: 930772

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Березин, Жора, Тучинский, Шеревеня

МПК: H05K 3/00

Метки: выводов, интегральных, монтажа, носитель, системой, схем

...сил; препятствующих усадке, остается неизменной, так как площадь металлических проводников т.е. элементов, препятствующих усадке) не изменяется. В результате изменяетсясоотношение между факторами, от которых зависит усадка носителя с систеу 45мой выводов в целом и снижается влия-фние усадочных явлений в процессе егоизготовления, что в конечном итогеприводит к уменьшению ухода габаритноприсоединительных размеров. Очевидно,что указанный эффект зависит от соот заношения между размерами окон и расстояний между ними (т.е. перемычек),вытравливаемых в полиимидном диэлектрике. Оптимальные размеры перемычек иокон,в диэлектрике установлены эскпе-риментальным путем,Носитель с системой выводов, у которого диэлектрическое основание вы 2 4полнено...

Номер патента: 862271

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Березин, Стиканов, Тучинский, Шеревеня

МПК: H01L 21/77

Метки: тара-спутник

...каждого отверс тия выполнены разновысокие фиксирую- щие выстуПы. При этом каждая группа одновысоких выступов образует фиксирующий контур одного размера,На фнг. 1 изображена тара-спутник 30,с системой выводов в виде ленты изполиимидной пленки 1 с группами металлических выводов, ограниченных на рисунке пунктирным контуром 2, и с расположенными по периметру отверстиями 3,4. Отверстия могут быть любой формы, нанример, прямоугольными и круглыми, Каждое отверстие имеет внутренние выступы дифференцированной длины, группы которых образуют посадочные контуры различных диаметров, соответствующие диаметру штырей.Фиксирующий контур диаметром Й 4 ограничен фиксирующими выступами 5, контур диаметром й - Фиксирующими выступами 6, контур диаметром 6...