Способ изготовления полупроводниковых структур

(51)5 Н 01 1 21/76 О ЗОБ ТЕНИ АВТОРСКОМУ С ЕЛЬС ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР(57) Использование: технология изготовления полупроводниковых структур. Сущ Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых интегральных микросхем и полупроводниковых структур типа полупроводник - диэлектрик - поли- кремний - диэлектрик - поликремний и может быть использовано для изготовления матричных накопителей электрически программируемых постоянных запоминающих устройств на запоминающих транзисторах с плавающим и управляющим затворами, стираемь 1 х облучением ультрафиолетовым излучением (СППЗУ) или импульсным напряжением (Э СППЗУ).Известен способ изготовления полупроводниковь 1 х структур, например ячеек памяти СППЗУ, ЭСППЗУ, обеспечивающий понижение токов утечек между электродами запоминающих транзисторов.Способ состоит в том, что кремниевую подложку окисляют для формирования первого диэлектрического слоя, осаждают слой поликристаллического кремния, наносят щ 5 Ы д 1) 1 774398 А 1 ность изобретения: на поверхности кремниевой подложки формируют первый диэлектрический слой из двуокиси кремния, первый слой поликристаллического кремния, формируют электроды, второй диэлектрический слой на поверхности электродов их термическим окислением. Затем осаждают второй слой поликристаллического кремния. легируют его азотом на всю толщину и проводят его термообработку. Способ позволяет повысить качество полупроводниковых структур за счет уменьшения токов проводимости во втором диэлектрическом слое. 4 ил,маску из слоя фоторезиста. травлением формируют электроды плавающих затворов, снимают маску и проводят их термическое окисление при Т = 900 С, трехстадийное - в сухом, влажном, сухом кислороде, осаждают второй слой поликристаллического кремния,Использование термического окисления (Т = 900 С) устраняет возможные закоротки между электродами плавающих Ф затворов за счет прокисления остатков по- Ы ликристаллического кремния и снижают то- Я ки проводимости второго диэлектрического (ф слоя по сравнению с применяемым на этом этапе изготовления пиролитическим окис-лом, Однако, различные скорости термического окисления (Т1000 С) между и на поверхности зерен поликристаллического кремния приводят к увеличению размеров и количества выступов на поверхности поликристаллического кремния, что усиливает локальные неоднородные возрастания электрического поля вблизи них и увепичи 1774398вает токи проводимости диэлектрика в этих областях, создавая в нем локальные утечки,Более совершенным является способ изготовления полупроводниковых структур элемента памяти (для РПЗУ-СППЗУ), включающий операцию окисления плавающих затворов при Т = 1100 С, что сохраняет, однако, значительную часто токов утечки, в том числе по периметру плавающего затвора из-за неоднородностей его боковой поверхности, полученных в результате травления (через фоторезистивную маску), и последующего окисления, в сравнении с планарной (горизонтальной) его поверхностью,Наиболее близким техническим решением, принятым за прототип, является способ изготовления полупроводниковых структур, который включает последовательное формирование на поверхности кремниевой подложки первой диэлектрической пленки, первого слоя поликристаллического кремния, легирование азотом до концентрации не менее 1 10 смна глубину не менее половины толщины второй диэлектрической пленки, формирование из этого слоя электродов требуемой конфигурации, термическую обработку и формирование второй диэлектрической пленки путем термического окисления электродов, осаждение второго слоя поликристаллического кремния, Указанный способ - прототип позволяет получить второй диэлектрический слой с улучшенными параметрами (уменьшенными токами проводимости фронтальной (планарной) части электродов из первого слоя поликристаллического кремния и увеличенной толщиной на их торцах). Основным недостатком способа прототипа является низкое качество полупроводниковых структур из-за недостаточно высокого качества второго диэлектрического слоя, имеющего участки на торцах электродов из первого слоя поликристаллического кремния, не подвергнутых легированию азотом и имеющих повышенные токи проводимости, как и в ранее описанных аналогах (уменьшаемые частично только увеличенной толщиной при формировании второго диэлектрического слоя), Дополнительным недостатком является ограничение по дозе легирования (4 10 см 2) азо,том, поскольку выполнение легирования с увеличенной дозой после формирования электродов из первого слоя поликристаллического кремния приводило к появлению трещин в первом диэлектрическом слое и отслаиванию укаэанных электродов. 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Целью изобретения является улучшение качества полупроводниковых структур за счет уменьшения токов проводимости во втором диэлектрическом слое,Сущность способа изготовления полупроводниковых структур заключается в следующем. После нанесения на поверхность полупроводниковой подложки 1 последовательно слоев - первого диэлектрического из двуокйси кремния. первого слоя из поликристаллического кремния. в том числе малой толщины, формирование из него электродов требуемой конфигурации с утоньшением их краев с помощью фотолитографии и травления, например, плазмохимического. При этом происходит сглаживание их краев и получается трапецеидальный профиль, Затем проводят термическое окисление для нанесения второго диэлектрического слоя, на который осаждают второй слой из поликристаллического кремния и проводят легирование на всю глубину его азотом, в том числе под разными углами - сначала перпендикулярно, а затем под углом к поверхности полупроводниковой подложки и с повышенной энергией известным способом. После этого проводят термическую обработку (отжиг) для перераспределения введенной примеси азота в слое и создания нитрированной области, расположенной во втором диэлектрическом слое 4. Предлагаемый способ устраняет приведенные недостатки прототипа,Необходимо отметить, что на степень легирования азотом слоя 5 и содержание азота в нитрированной области 6 оказывает .,влияние рельеф полупроводниковой структуры, профиль второго слоя поликристаллического кремния, который .определяется сглаженностью (утоньшением) краев электродов и/или толщиной первого слоя поликристаллического кремния.Зто влияние значительно при прямоугольном профиле электродов 3 и создает теневые участки вблизи их торцов при легировании азотом.При трапецеидальном профиле электродов с углом в основании - 45, увеличение .эффективной толщины второго поликремниевого слоя составити менее в областях перекрытия указанных электродов 3 при нормальном (перпендикулярно поверхности подложки) падении ионного пучка азота. То есть, в этом случае влияние незначительно.Более эффективным средством ослабления влияния рельефа является легирование азотом под разными углами и с повышенной энергией - как указано выше.5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Еще одним средством ослабления влияния рельефа и "планаризации" структуры является пониженная толщина ( 0,1 мкм) электрода из первого слоя поликристаллического кремния, применяемого в элементах памяти зарубежных изготовителей.Указанные известные технические решения, уменьшающие влияние рельефа, могут применяться как по отдельности, так и в совокупности в предлагаемом способе.На фиг,1,2 показаны сечения полупроводниковой структуры на различных этапах ее формирования, на фиг.3,4 - аналогичные сечения другой полупроводниковой структуры с частичным размещением второго диэлектрического слоя на поверхности полупроводниковой подложки,На фиг,1(3) изображена структура после осаждения второго слоя поликристаллического кремния и легирования его азотом на всю толщину этого слоя,На фиг,2(4) показана полупроводниковая структура после термической обработки (отжига),На фиг,1 - 4 используются следующие обозначения;- полупроводниковая подложка, 2 - первый слой диэлектрической пленки, 3 - электрод, сформированный из первого слоя поликристаллического кремния, 4 - второй слой диэлектрической пленки, 5 - второй слой поликристаллического кремния (электрод, затвор, сформированный из него), 6 - область в диэлектрическом слое, насыщенная азотом вблизи границы раздела с вышележащим слоем поликристаллического кремния.Пример конкретного выполнения, Полупроводниковая структура может быть изготовлена из кремниевой полупроводниковой подложке типа КДБ 12-20 ориентации (100),После перекисно-аммиачной химической обработки полупроводниковой подложки 1 на ней формируют фигуры совмещения для установки проекционной фотолитографии, создают каналоограничительные области, используя процесс локального окисления с толщиной полевого окисла 0,5 - 1,5 мкм (на фиг,1 - 4 в сечение этот слой не попадает), После удаления вспомогательной маски для локального окисления проводят перекисно-аммиачную обработку и выращивают в области каналов запоминающих транзисторов первый диэлектрический слой 2 из двуокиси кремния толщиной 0,02 - 0,10 мкм окислением при температуре Т = 1000-1100 С в атмосфере сухого кислорода с добавкой трихлорэтилена. Затем в реакторе пониженного давления размножением моносилана при температуре Т =- 600-700 С наносят первый слой поликристаллического кремния 5 толщиной 0,1 - 0,4 мкм, легируют его фосфором в диффузионной печи с использованием РОСз при температуре Т = 950 С, получая поверхностное сопротивление его20 Омlц. Формируют в этом слое края поли- кремниевых электродов 5 травлением в атмосфере ЯГб с регулируемой анизотропией (при повышенном давлении). После перекисно-аммиачной обработки(и жидкостного травления первого диэлектрического слоя - для фиг,3) наносят второй диэлектрический слой 7 толщиной 0,03-0,10 мкм при температуре Т = 1000-1100 С в атмосфере сухого кислорода, Наносят второй слой поликристаллического кремния 6 толщиной 0,2 - 0,3 мкм аналогично первому легируют его фосфором также как и первый для получения поверхностного сопротивления 20-40 Ом/П,Затем легируют этот слой 6 примесью азота с энеогией Е = 60 - 100 кЭв и дозой 0= 1 - 4 10 см, Для уменьшения влияния рельефа второго слоя поликремния 6 допустимо и желательно легирование под разными углами и с повышенной энергией Е = =100 - 150 кЭв, Формируют из второго слоя поликристаллического кремния шины управляющих затворов 6 с помощью фотолитографии и травления аналогично электродом 5.После химической перекисно-аммиачной обработки проводят термическую обработку при температуре Т - 1100 С в атмосфере сухого кислорода в течение 15 мин для перераспределения примеси азота, внедренного во второй слой поликристаллического кремния, в объем второго диэлектрического слоя (фиг.2, 4) и создания нитрированной области на его границе раздела (со вторым слоем поликристаллического кремния).На фиг,3 и 4 показан пример варианта изготовления заявляемого способа для полупроводниковой структуры, используемой в запоминающем транзисторе, включенном последовательно с адресным УДП-транзистором,Отличие от предыдущей структуры заключается в нанесении части второго диэлектрического слоя на поверхность полупроводниковой подложки после формирования электродов из первого слоя поликристаллического кремния и снятия первого диэлектрического слоя с областей, свободных от электродов. При этом создается нитрированная область в диэлектрике (слой 6) после термообработки (фиг.6) не только между первым и вторым слоем поликристаллического кремния; но также в под 1774398затворном диэлектрике адресного МДП- транзистора. При формировании проводящей поликремниевой разводки затвором МДП транзисторов схем обрамления в СПЗУ из второго слоя поликристаллического кремния в подзатворном диэлектрике их будет также образована указанная нитрированная область. Наличие ее в обоих случаях улучшает качество структуры за счет снижения токов утечки диэлектрика и повышает выход годных структур.Преимуществом предложенного способа изготовления по отношению к прототипу является повышение качества полупроводниковой структурыреализуемого за счет следующих особенностей предложенного способа.1, Позволяет вводить большую кончентрацию азота во второй диэлектрический слой и сильнее снижать его ток проводимости, поскольку имеет большуо максимальную дозу легирования (4 10 см 2 во второй слой поликристаллического кремния(в прототипе максимальная доза легирования 4 10 см - ограничена появлением трещин в первом диэлектрическом слое и(или отслаиванием электродов, сформированных из первого слоя поликристаллического кремния).2. Снижает дефектность изоляции второго диэлектрического слоя, поскольку легирование азотом проводится во второй слой поликристаллического кремния как в буферный, играющий роль диффузионного источника азота в последующей термической обработке (разгонке). Дефекты, связанные с процессом ионного легирования, остаются только в слое поликристаллического кремния. Слой изоляции этих дефектов не содержит совсем, что отсутствует у прототипа.3. Изолирующий второй диэлектрический слой возможно сформировать с меньшей толщиной и за более короткое время, чем в прототипе, поскольку формирование второго диэлектрического слоя окислением и последующее ионное легирование азотом независимы друг от друга, чего нет в прототипе.5 4. В полупроводниковых структурах, использующих два уровня поликристаллического кремния, в частности в элементах памяти, включающих адресный транзистор, включенный последовательно с запоминаю щим транзистором "упрочняется" изоляцияне только межслойная, но и подзатворная под электродами адресного затвора, сформированными из второго слоя поликристаллического кремния. Кроме того, 15 "упрочнение" подзатворного диэлектрикаячеек памяти возможно и для транзисторов схем обрамления при изготовлении их затворов и разводки из второго слоя поликристаллического кремния, что также имеет 20 важное значение для технологии ЗСППЗУ И, СППЗУ с повышенной степенью интеграции и легко встраивается в маршрут изготовления большинства ПЗУ различной информационной емкости.25 Формула изобретенияСпособ изготовления полупроводниковых структур включающий последовательное,формирование на поверхности кремниевой подложки первого диэлектри ческого слоя из двуокиси кремния, первогослоя поликристаллического кремния, легирование азотом, формирование электродов требуемой конфигурации, термическую обработку, формирование второго диэлектри ческого слоя на поверхности электродов ихтермическим окислением, осаждение второго слоя поликристаллического кремния, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения качества полупроводниковой структуры 40 за счет уменьшения токов проводимости вовтором диэлектрическом слое, легирование азотом проводят после осаждения второго слоя поликристаллического кремния на всю его толщину, после чего проводят термиче скую обработку.17 14398 г,Ф Составитель 8,КалининРедактор Т.Иванова Техред М,Моргентал Коррек Долинич Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10 аказ 3930 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С 113035, Москва, Ж, Раущская наб., 4/5