Способ изготовления имплазионного полупроводникового прибора

",г 1 ", :ф". еЯ ЗОБР ЕЛЬСТВУ, (53)5 Н 01ЕТЕНИ 1 21/50 1Ч ро при Таштехники им, ибор КД 220 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССРГОСПАТЕНТ СССР) ОПЙСАНИЕ И К АВТО Р СК 09 У С В ИДЕТ.(7,1) Особое конструкторское бюкентском заводе электроннойВ.И.Ленина(56) Технйческие условия на праАО.339,076.ТУ Изобретейие относится к полупроводнйковому приборостроению, а именно ктех-нологии изготовления полупроводниковыхимплазионных диодов и столбов, и может. быть использовано в электронной промыш- .ленности;Известен .способ изготовления полу-проводниковых имплазионных диодов типаОБВ 5500, изготовленных фирмой ТВЮ,, США.Прототипом является отечественныйимплазионный диод типа КД 220.В качестве корпуса в этих диодах ис пользуется прозрачная стеклянная трубка,сплавленная с элементами конструкции,Корпуса таких диодов для защиты вы. прямительного элемента от проникающегосвета, окрашиваются светонепроницаемымилакокрасочными покрытиями.Недостатками такого способа изготов. лена приборов являются повышенная трудоемкость, материалоемкость, а такжеэкологическая опасность,Целью изобретения является снижение(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИМПЛАЗИ ОННОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИ- БОРА(57) Назначение: технология полупроводни- . ковых приборов, Сущность изобретения: стеклянный корпус прйбора отжигают в атмосфере водорода при температуре 520 С в течение 10-15 мин. 2 ил,Поставленная цель достигается тем, чтов известном способе изготовления имплазионного прибора, включающем в себя имплазионную сборку приборов в-стеклокапиллярном корпусе, корпус прибо. ра после сборки подвергается отжигу в во".дороде при температуре 520 С споследующим охлаждением со скоростью5 С/мин.Впроцессе отжига поверхностная частьстеклянного корпуса теряет прозрачность и,тем самым; полностью защищает светочувствительный полупроводниковый кристаллот воздействия окружающего освещения.без этого защитного слоя прибор эксплуатироваться не может.Выбор температуры отжига обосновь 1- вается снизу - реактивностью пары водород-стекло и сверху - необходимостьюсохранения стекла в твердом состоянии, исвойств элементов конструкции и полупроводникового кристалла,Время отжига и скорость охлажденияприборов определяются необходимостьюсохранения аморфных свойств стекла. Приих увеличении в стекле наблюдаются кри 1781731сталлизационные процессы и возникают .механические напряжения на границе стекло-кристалл. Уменьшение скорости охлаждения нецелесообразно по экономическимсоображениям, так как это приведет к снижению производительности оборудования,Процесс изготовления диода по предлагаемому способу включает в себя следующие этапы.Известными способами изготавливаютимплазионные диоды в стеклокапиллярномпрозрачном корпусе. Затем диоды помещают на кварцевые или графитовые подставки,Загружают в водородную печь и отжигают впотоке водорода с расходом (90 10) л/часпри температуре (530+10) С в течение(1015) мин с последующим охлаждением соскоростью не более 5 С/мин, После отжигаповерхность стеклянного корпуса приобретает черный цвет и полностью теряет прозрачность. В "результате. отпадаетнеобходимость в окрашивании диодов лакокрасочными материалами,На фиг.1 показан общий вид диода, изготовленного по предлагаемому способу,Прибор содержит арматуру 1 с выпрямительным элементом 2 и стеклянный корпус 3 с непрозрачным слоем 4.Предлагаемый способ может быть использован также при изготовлении высоковольтных имплазионных выпрямительныхстолбов, если вместо одного применитьмножество, предварительно соединенныхвы прямительных элементов (фиг.2).Высоковольтный столб, содержащийаналогично диоду арматуру 1 с выпрямительными элементами 2. соединенными спомощью прокладок 3, также имеет стеклянный корпус 4 с непрозрачным слоем 5,Изобретение может быть использованопри изготовлении полупроводниковых приборов в корпусе из оплавленного стеклопорошка.30 Формула изобретения Способ изготовления имплазионногополупроводникового прибора, включающий сборку прибора в стеклокапиллярном корпусе и придание корпусу светонепроницае мости, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюснижения материалоемкости и повышения экологической безопасности, придание корпусу светонепроницаемости осуществляют отжигом корпуса в водороде при температу ре, превышающей 520 С, в течение 10-15мин и охлаждением корпуса со скоростью 5 град/мин. Из описания процесса изготовлениясветонепроницаемых имплаэиснных при-боров по предлагаемому способу видно, чтоон в сравнении с прототипом менее трудо 5 емок за счет отсутствия операции окрашивания. Кроме этого, в связи с тем, что нетнеобходимости в использовании окрашивающих эмалей, снижается материалоемкостьизготовления приборов.10 Третьим преимуществом предлагаемого способа изготовления приборов являетсяего экологическая безопасность эа счет того, что отпадает необходимость в применении лакокрасочных материалов,15 разбавителей и растворителей красок, парыкоторых представляют опасность для окружающей среды.Реализация предлагаемого изобретения позволит сократить трудоемкость, сни 20 зить материалоемкость при изготовленииимплазионных диодов и столбов различныхтипов и классов.Изобретение обеспечивает изготовление приборов по экологически чистой техно 25 логии,Ожидаемая экономическая эффективность от внедрения изобретения - не менее100 тыс. руб. в год,1781731 оставитель Г.Полковхред М.Моргентал рректор М,Дем тор Т,Иванова роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарин;з, 10 Заказ 4277 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5