H01L 21/603 — с использованием давления, например соединение тепловым сжатием

Номер патента: 107170

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Калашников, Пенин

МПК: H01L 21/603, H01L 29/02

Метки: выпрямитель, твердый

...создания искусственной однородной прослойки, М 107170толщина. которой должна бьггь порядка 10 - 4 10 -см,Однако такие прослойки можно получить весьма просто, если воспользоваться существованием, так называемых, интерметаллических соединений. Известно, что многие металлы, взятые в определенном стехиометрическом соотношении, способны давать химические соединения - интерметаллические соединения. При этом электрическое сопротивление соединения может возрастать в громадное число раз,Так, например, сплав сурьмы и цинка, отвечающий формуле Хп Ь, имеет удельное сопротивление порядка 10+Бом/см, т. е. в 10" раз превышающее сопротивление исходных металлов. Аналогичными свойствами обладает сплав сурьмы и магния в составе Мд Я 2 и многие...

Номер патента: 1089675

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Белокур, Кириловский

МПК: H01L 21/603

Метки: выводов, присоединения, проволочных

...и держатели проволочных выводов размещены на рабочих позициях транспортирующего ротора. На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг. 2-5 - последовательность операций по изго 55 товлению проволочного вывода (держатели изображены только на позициях удержания вывода); на фиг,б - устройство в рабочем положении,Устройство содержит рабочий столик 1, механизм 2 подачи проволоки 3,механизм 4 изготовления проволочныхвыводов 5 с шариками б и инструменты 7 и 8 для присоединения проволочных выводов 5. Механизм 4 изготовления проволочных выводов 5 выполненв виде транспортирующего ротора 9 сщелевыми захватами 10, на каждой израбочих позиций которого установлендержатель 11 проволочных выводов 5.Устройство снабжено также...

Номер патента: 1749952

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Политыко, Федяев

МПК: H01L 21/603

Метки: мощный, полупроводниковый, прибор

...резко снижают паразитное тепловыделение в области металлической гильзы 6, представляющей собой короткоэамкнутый виток катушки,Кроме того, стакан 8 из меди в силу большой пластичности меди требует мень.ших усилий при его сплющивании (обжиме), Длина сплющенной части стержня 7 электроввода, колеблющаяся в пределах 1,5-2 5 диаметров стержня 7, выбрана из соображений обеспечения необходимой электро- и теплопроводности с одной стороны и сохранейия прочности металлостеклянного спая с другой; 10Стальной держатель 1 непосредственно сварен с корпусом 4 за счет специальйо созданного из металла корпуса или держателя сварочного буртика.Испбльэование в качестве материала 15 держателя широко распространенных марок стали например, Ст.10)...

Номер патента: 1545864

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Дорогутин, Ильинский, Славинский, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: интегральных, микросхем, многокристальных, сборки, свч-транзисторов

...ПТШ и СВЧмощных кремниевых транзисторов в плоские металлокерамические корпусы на модернизированном полуавтомате УВП. П,-ЗОО. Отличительная особенность сборки - распределение кристаллов и плат в соответствии со схемой, совмещение схемы с инструментом (вакуумной матрицей) и последующее перенесение схемы к подложке,Сборку СВЧ многокристальных транзисторов производят по схемам прямого и обратного монтажа. В первом случае производят сборку кремниевого транзистора, имеющего 24 кристалла толщиной 30 мкм. Перед разделением пластины на кристаллы на ее контактной поверхности создают гетерокомпозицию из слоев золота и германия, Затем пластину режут алмазной пилой и кассетируют отбракованные кристаллы. Кассету с кристаллами устанавливают в сборочный...

Номер патента: 1480679

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Аросев, Дорогутин, Кравчук, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: гибридных, интегральных, полупроводниковых, приборов, сборки, схем, элементов

...аргон под давлением 2,5 кгс мм (фиг. 3). Проходя канал 4 инст 2румента, обогреваемого кольцевым нагре вателем 5, гаэ нагревается до 250 С и оказывает давление на всю поверхность крисалла. Температура подложки 1 при подаче нагретого газа поднимается до 390 С и на границе контактных поверхностей обра эуется жидкий слой 6 электрического состава, В момент образования этого слоя кольцевой нагреватель инструмента отключается и жидкий слой затвердевает под давлением холодного газа (фиг. 4). Затем газ 45 отключается и инструмент возвращается на исходную позицию для захвата очередного кристалла (фиг. 5). Для получения сравнительных данных, характеризующих различные варианты изобретения, параллельно 50проводилась сборка однотипных структур при...