Патенты с меткой «встроенном»
Патрон для крепления коленчатого вала и т. п. изделий при обработке его шатунных шеек на станке, встроенном в автоматическую линию
Номер патента: 126706
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: B23B 5/18
Метки: автоматическую, вала, встроенном, коленчатого, крепления, линию, обработке, патрон, станке, шатунных, шеек
...(по чертежу) и поворачивает шестерню 4, сидящую на приводном валу б эксцентрикового прихвата.На валу б жестко установлены кулак б и рычаг 7. На эксцентриковой шейке вала б свободно расположен толкатель 8 (подвижный упор). При движении поршня-рейки 3 кулак б через ролик 9 поворачивает вал 10, на котором укреплен рычаг 11, снабженный жестким упором 12 происходит подвод жесткого упора 12 в рабочее положение (отвод жесткого упора требуется при установке обрабатываемого изделия на призмы 1).12 б 06 При последующем повороте вала 5 рычаг 11 остается неподвижным, так как ролик 9 контактирует в это время с поверхчостью кулака 6, имеющей постоянн 1 ый радиус. Укрепленный на рычаге 7 палец 13, контакт которого с толкателем 8 осуществляется...
Способ контроля профиля примеси во встроенном канале мдп транзистора
Номер патента: 1777189
Опубликовано: 23.11.1992
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: встроенном, канале, мдп, примеси, профиля, транзистора
..."рез" кой границы области обеднения", по" ложенного в основу вольт-емкостного метода), что позволяет измерять профиль примеси вплоть до границы раз" дела полупроводник - диэлектрик.Исходным пунктом при выводе предлагаемых формул является решение уравнений Лапласа и Пуассона с соответствующими граничными условиями для состояния полного обеднения канала транзистора. Тогда, если Х " текущая координата, изменяющаяся от О на границе раздела диэлектрик " полупроводник до своего значения вглубь структуры, а Ч) - текущее зна" чение потенциала, можно записать:а Б Ев ЙЫвв 9 (Х + Ц)гсе " ЕОугде Х, - расстояние от границы разде"лаокисел - кремний в глубину канала,(" в -) " производная от потенциа"ЪвИфм )м" Ола подложки по канальномупотенциалу в...