Полупроводниковый прибор

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 11/ 17 09) 99 А 1 1 23/ ГОСУДАРСТВЕННЫЙПО ИЗОБРЕТЕНИЯМПРИ ГКНТ СССР МИТЕТОТКРЫТИЯМ5 а":ЗИАДп 1 ,",цИ ныи инсти ство СССР/18, 1989.10, 1969.ВЫЙ ПРИБОРия: корпус приборарнутого стакана и ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(57) Сущность изобретенвыполнен в виде переве Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструкциям полупроводниковых приборов, например, интегральных схем, транзисторов в корпусах.Известна конструкция полупроводникового прибора, содержащая корпус из теплопроводного материала с выводами, внутри которого на его основании закреплены полупроводниковый кристалл, электрически соединенный с выводами корпуса, и крышку из теплопроводного материала, установленную на боковых стенках корпуса и герметично соединенную с ними с образованием плоскости между ними,. которая заполнена диэлектрической жидкостью с порошком теплопроводного материала, при этом корпус снабжен вкладышем со скосами, размещенными на основании корпуса между полупроводниковым кристаллом и боковыми стенками корпуса с обеспечением контакта с их внутренними поверхностяГзакрыт крышкой, На основании корпуса расположен полупроводниковый кристалл. Корпус заполнен охлаждающей жидкостью. В корпус встроены два параллельных жестких электроввода, концы которых через упругие стержни подключены к соответствующим электродам пьезоэлемента, Другие концы электровводов подключены к выходам управляемого генератора. Вход амплитудного детектора подкл ючен к выходу уп ра ел яемого генератора, а выход - к управляющему входу генератора, 2 ил,ми, ориентированным своими скосами в сторону полупроводникового кристалла с обеспечением контакта поверхностей скосов с диэлектрической жидкостью, на внешнюю поверхность полупроводникового кристалла последовательно нанесены слой клея с алмазным порошком, процентное содержание которого составляет не менее 60, и монослой частиц алмазного порошка соответственно, а на внутреннюю поверхность крышки - слой теплопроводного материала, причем в качестве теплопроводного материала использован алмазный порошок, а вкладыш корпуса выполнен из материала, угол смачиваемости диэлектрической жидкостью которого больше угла смачиваемости диэлектрической жидкостью слоя теплопроводного материала внутренней поверхности крышки и внешней поверхности монослоя алмазноГо порошка с шерохова" тостью поверхности его скосов меньшей, чем шероховатость внутренней поверхно.50 сти крышки и внешней поверхности моно- слоя алмазного порошка полупроводникового кристалла 1.Наиболее близким к заявляемому прибору является прибор, содержащий кристалл полупроводникового элемента, заключенный в герметичный корпус, который заполнен кремнийорганической жидкостью с добавлением от 40 до 80;4 крошки А 120 з или ЕпО 2.Устройство имеет два недостатка, Вопервых, из-за низкой теплопроводности заполняющего порошка и жидкости низка эффективность охлаждения, Во-вторых, при высоких концентрациях порошка прямо пропорционально концентрации возрастает вязкость смеси и жидкости, что приводит к уменьшению конвекции, а следовательно, уменьшению эффективности охлаждению кристалла.Целью изобретения является повышение эффективности охлаждения полупроводникового прибора.Цель достигается введением пьезоэлемента, размещенного в центре окружности сечения стакана, двух параллельно жестких электровводов, размещенных в основании зеркально симметрично относительно оси корпуса стакана, двух упругих стержней, первые концы которых соединены с электровводами, а вторые - с саответствующими электродами пьезоэлемента, собственная .резонансная частота которого выбрана кратной резонансной частоте стержней, управляемого генератора колебаний, подключенного к электровводам амплитудного детектора, вход которого соединен с выходом генератора, а выход - с управляющим входом генератора, Управляемый генератор вырабатывает импульсы с частотой, равной резонансной частоте пьезоэлемента и 5 10 15 20 25 30 35 40 стержней. Частота подстраивается детектором. Возникающие механические колебания пьезоэлемента приводят к перемешиванию жидкости, которая охлаждает кристалл и увеличивает эффективность охлаждения полупроводникового прибора.На фиг.1 представлена конструкция полупроводникового прибора; на фиг.2 -функциональная схема управления пьезоэлементом,Полупроводниковый прибор содержит герметичный корпус 1, выполненный в виде перевернутого стакана, закрытый крышкой 2, На дне корпуса 1 расположен кристалл 3 полупроводника, Корпус заполнен охлаждающей жидкостью 4. В корпус 1 вмонтированы два жестких злектроввода 5 симметрично относительно оси корпуса- стакана 1, К концам электровводов 5 подсоединены соответственно два упругих стержня 6, к которым подсоединен пьезоэлемент 7, К электровводам 5 подключены выходы управляемого генератора 8, Один из выходов соединен с входом 9 детектора 10, выход которого подключен к управляющему входу 11 генератора 8.Полупроводниковый прибор работает следующим образом.После включения схемы управления на выходе управляемого генератора 8 устанавливается переменное напряжение в виде импульсов. Импульсы поступают на пьезоэлемент 7 через электровводы 5 и упругие стержни 6. Одновременно импульсы поступают на вход 9 детектора 10 и выпрямляются им. Напряжение с выхода детектора подстраивает частоту управляемого генератора 8 так, что она становится равной резонансной частоте пьезоэлемента 7 и упругих стержней 6, После установления схемы управления в пьезоэлементе 7 возникают механические колебания, которые приводят в движение жидкость 4. В корпусе 1 возникает эффект внутреннего перемешивания, причем поскольку источник движения - пьезоэлемент 7 находится непосредственно около кристалла 3, эффект охлаждения кристалла будет максимальным,Заявляемое устройство позволяет увеличить эффективность охлаждения, что приводит к увеличению его надежности,Формула изобретения Полупроводниковый прибор, содержащий корпус, выполненный в виде перевернутого стакана, основание для размещения полупроводникового кристалла, закрепленное на срезе стакана, заполненного жидкостью, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения эффективности охлаждения, введены пьезоэлемент, размещенный в центре окружности сечения стакана, два параллельных жестких электроввода, размещенные в основании зеркально-симметрично относительно оси стакана, два упругих стержня, первые концы которых соединены с электровводами, а вторые - с соответствующими злектровводами пьезоэлемента, собственная резонансная частота которого выбрана кратной резонансной частоте стержней, управляемый генератор колебаний, подключенный к электровводам, а амплитудный детектор, вход которого соединен с выходом генератора, а выход - с управляющим входом генератора,1774399 8 оЗА -Я 2 Корректор А, Воров Редактор Т, Орл каэ 3931 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 зводственно.издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 1 оставитель А. Мальцевехред М.Моргентал