Патенты с меткой «примесных»

Номер патента: 432374

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Быковский, Зуев, Кирюхин, Московский, Чуфаров

МПК: G01N 25/20

Метки: коэффициента, полупроводников, примесных, теплопроводности

...измерения коэффициента теплопроводности примесных полупроводников в соответствую щем интервале температур и повышения точности измерения прямоугольную полупроводниковую пластину помещают на хладопровод, температура которого поддерживается постоянной. Прикладывают электрическое поле, па раллельное той плоскости пластины, которая находится на хладопроводе. Снимают вольтамперную характеристику образца с участком насыщения по току. Из начального участка вольт-амперной характеристики с учетом 30 электрического тока происый нагрев полупроводнико/ а,Составитель В. Гусева Заказ 2918,9 Изд.1733 Тира;к 551 Подписное ЦНИИПИ Государствеииого комитета Совета Министров СССР ио делам изоб 1 эстеиин и открь;ти 1 Москва, Ж, Раугиская паб., д...

Номер патента: 524083

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Антонов, Белогорцева, Матюнин

МПК: G01F 3/40

Метки: повышенной, примесных, смесь, спектрального, тантале, частоты, элементов

...хлористого нат; венно 6-10 1 вес.%.Смесь проверена на оповышенной чистоты. антала;тем спектрального анализа.Известны смеси для спектрального анализа тантала и его кислородных соединеительностхлористого Результаты анализа и чувсдостигнутая эа счет введениянатрия,представлены в таблиц Наиболее распространенной являетсясмесь из.пробы, окисленной до,пятиокиси 1тантала, и угольного порошка, взятых, например, в соотношении Ме 0;С=5;1.Недостатком использования такой смеси является низкая чувствительность анализа (И 10 тт10 ) у что не позволяетнадежно контролировать содержание примесей в танталовой продукции повышеннойчистоты,Цель изобретения - повышетельности опредепения цримес;введения в смесь окпспоцц й до пятиокиситантала пробы и уголь...

Номер патента: 945723

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Егоров, Новикова

МПК: G01N 1/38, G01N 31/00

Метки: многокомпонентных, подготовки, примесных, пробы, сплавах, урановых, элементов

...спос Таким образом, пре оляет определять остью и точность римесных элементо нных многокомпонСодержаниелось меньшения, мас.%: Ас110-4; Сс 3Ьа,бб и ЭЬ остальных примесей окаэанижнего предела определе-позв10 ; Ис, Яп, 9 по тельн0 ; Йг и Сопо 310 ф; . вон о по 110 Э ров высокой чувствибольшое количестег в выс 5 9457Из табл. 1 видно, чтодобавки только отдельных компонентов буферной смеси (строки 1-3), как и добавки смесей (строки 4 и 8), еостав которых существенно отличается от предлагаемого (стро- з ки 5-7), не позволяют получить максимально возможные чувствительности опрваеления примесей. С предложенным составом буфернойсмеси удается снизить нижний предел одновременного определе- О ния примесей АО, 8, Сд, СО, М(, 8 бп, Со, С, ГЕ,...

Номер патента: 1059475

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Егоров, Новикова

МПК: G01N 1/28, G01N 31/00

Метки: методом, подготовки, примесных, пробы, спектральным, цирконии, элементов

...смешивание окисленной. пробы сгалогенсодержащей добавкой, в качестве галогенсодержащей добавкииспользуют смесь фторвда висмута ихлорида натрия при следукщем соотношении компонентов мас.:Фторид висмута 7-9Хлорид натрия 7-9Окисленная проба ОстальноеСущнОсть способа заключается втом, что при введении добавки фто 1 рида висмута и хлорида натрия к пробе повышается стабильность условийфракционного испарения примесей ивозбуждения спектров атомов опреде-,ляемых примесных элементов, снижает 5 ся спектральный Фон и увеличиваетсяинтенсивность спектральных линийпримесных элементов.Использование одного фторида висмута или хлорида натрия, а также их10 смеси при соотношениях компонентовниже и выше указанных практически в3-10 раз снижается...

Номер патента: 1330676

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Горбань, Одулов, Олейник, Соскин

МПК: G01N 21/00, H01L 21/66

Метки: дефектных, диэлектрических, материалах, положения, полупроводниковых, примесных, уровней, центров, энергетического

...угол из этого диапазона. В данном случае =2.Экспонирование светом производят до тех пор, пока дифракционная эффективность 1 решетки, записываемой в кристалле, измеряемая при помощи дополнител.ного тестирующего лазера с неактивным излучением, не достигнет заметной величины, не превышающей 0,01-0,02. В этом случае дифракционная эффективностьоказывается прямо пропорциональной квадрату изменения показателя преломления п, что облегчает пересчет полученных температурных зависимостей.После экспонирования, как и во всех способах определения энергетической структуры по термостимулированным процессам, образец подвергают нагреву; наиболее удобным с точки зрения последующей расшифровкй температурных зависимостей является линейный по времени...

Номер патента: 1604434

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Богер, Малышев

МПК: B01D 53/14

Метки: газов, ловушка, примесных

...9 для очищенного и охлыденного газа, Расположениевитков спирали и теплообменника делает проходное сечение кольцевой камеры оптически непрозрачным. При этомплощадь суммарного межвпткового про-.ходного сечения спиралп и теплообменника превышает площадь поперечного се-,чения соответственно входного и выходного патрубков. Спираль 3 закреплена в крышке 7 при помощи держателя10 и изолятора 11 через промежуточную прокладку 12. ушка для примесных газов рабоследующим образом.Откачиваемый газ с агрессивными примесями попадает через входной патрубок 8 в реакционную. камеру 2, Хлор и его соединения вступают в реакцию с нагреваемой от источника электропитания железной спиралью 3, а соединения фтора адсорбируются поверхнбстью кольцевой...

Номер патента: 1613495

Опубликовано: 15.12.1990

Автор: Егоров

МПК: G21B 1/00

Метки: диагностический, инжектор, макрочастиц, примесных

...выдувание атмосферного воздуха из зарядного узла 3 и, следовательно, предохраняет от попадания воздуха в ствол . На ускорительцом канале создается перепад давления ускоряющего газа (обычно гелия), благодаря которому происходит ускорение макрочастицы.Макрочастица, ускоренная потоком газа, протекающего по каналу 1, пролетает через первую вакуумируемую емкость 5, открытьп первый быстродействующий затвор 7, вторую вакуумируемуи емкость 6, второй быстродействующий затвор 8 и через направляющий канал 10 попадает в объем установки с исследуемой плазмой, Давление в емкости 5 поддерживается на уровне 2 10Торр, а в емкости 6 - ца уровне 10 - 10 Торр. Система дифференциальной откачки в совокупности с наличием затворов 7 и 8 обеспечивает снижение...

Номер патента: 1636766

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Абрамов, Грешищев, Динерштейн, Козлов, Молчанов, Смульский

МПК: G01N 33/20

Метки: газов, легирующих, примесных, сплавах, элементов

...чертеже представлены кривые температура-время,На чертеже использованы обозначения: 1 - кривая и изменения температуры Т; = та(-М;), где Т; - температура в 1-й момент времени (с,);коэФФициент угла наклона кривой, 2экспериментальная кривая изменениятемпературы (Т) во времени (с):Т =Е(Ф), 3 - экспериментальная криваяпервой производной температуры по вре 510 использования предлагаемого способана примере сплава АК 9 М 2. ТарировочныеграФики в этом случае описываются с95%-ной достоверностью регрессионными уравнениями, приведенными в табл,1,где г - вычисленное значение коэФФициента корреляции; г - его минимально допустимое значение для95/-ной достоверности. Сравнительныеданные предлагаемого и известного способов приведены в...

Номер патента: 1677532

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Кушнарева, Печерский, Снежко, Ярош

МПК: G01H 9/00

Метки: анализа, внутреннего, металлов, примесных, сложных, спектров, сплавов, трения

...составе твердого раствора, о распределении атомов внедрения в позициях разного типа (по значениям соответствувмцих 15 Рмциа ), о взаимодействиях атомов внедрения и замещения в пределах твердого раствора (сопоставлением полученного распределения с рассчиты - ваемым на основе статически равномер ного) и численных значений энергии активации диффузии атомов внедрения с различным локальным окружением (по ТИт индивидуальных пиков).Способ опробован на ряде сплавов 25 на основе ниобия с различным типом упрочнения (г 1 Ь - 7 г - С, НЬ - Ио-И, БЪ-Мои другие). Формула изобретения Способ анализа сложных примесныхспектров внутреннего трения металлови сплавов, заключающийся в ом, чтопримесный сложный спектр Я внутреннето трения разделяют в...

Номер патента: 1679320

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Алиев, Ахраров

МПК: G01N 23/227

Метки: атомов, кристалла, локализации, примесных

...эффективно какалируются в симметричных направлениях, что приводит к наиболее эффективному возбуждению примесных атомов, находящихся в этих направлениях. При этом эмиссия Оже-электронов примескых атомов резко возрастает, так как вторичные упруго и неупруго отраженные (рассеянкые) электроны способны в 3-4 раза больШе воз 167932010 15 20 25 30 35 40 45 50 55 буждать Оже-электроны, чем первичные заряженные частицы,Локализация внедренных (или примесных) атомов в элементарной ячейке (решетке) кристалла и их химическое состояние играет важную роль в изменении тех или иных свойств материалов, В зависимости от локализации примесных атомов в решетке они могут находиться в нейтральном или заряженном состояниях, создавать дефекты различных...

Номер патента: 1778819

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Карпов, Карпова

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неравновесных, носителей, объемного, полупроводниках, примесных

...подключения испытуемого об разца (фиг. 2) показаны: диафрагма 1, игольчатые электроды 2, испытуемый образец 3,область рекомбинации 4, инжектирующее излучение 5,.линии электрического тока 6;Реализуется способ следующим образом. В зависимости от требуемого уровня инжекции задаются количеством свободных носителей заряда примеси в зоне проводимости полупроводника и пользуются вь 1 раже нием где и - количество свободных зарядов примеси в зоне проводимости полупроводника, А - константа, численно равная количеству связанных носителей заряда с энергией активизации Еи, К - постоянная Больцмана, Т - абсолютная температура, определяют требуемую температуру образца,Присоединяют испытуемый образец 3 к источнику тока при помощи игольчатых электродов...

Номер патента: 1545866

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Петров, Соколов, Степанов, Трофимов

МПК: H01L 21/66

Метки: некомпенсированных, параметров, полупроводников, примесных, фотоэлектрических

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПРИМЕСНЫХ НЕКОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, заключающийся в освещении образца опорным и сигнальным модулированным по фазе пучками света, формирующими интерференционную картину на образце, регистрации зависимости амплитуды тока I g на частоте модуляции от пространственной частоты К, отличающийся тем, что, с целью одновременного определения средних диффузионных длин фотоиндуцированных электронов и дырок L1D, L2D и отношения

Номер патента: 1662294

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Алейникова, Белых, Малахов, Сутырин

МПК: H01L 21/308

Метки: пассивации, полупроводниковых, примесных, структурах, центров

...5 10 15 20 25 30 35 Использование алюминиевого слоя способствует устранению распыления и образования нарушен ного слоя полупроводниковой структуры, а также приводит к повышению плазмостойкости резистов, что очень важно при формировании субмикронной топологии в процессе пассивации примесных центров в субмикронных областях.П р и м е р. При изготовлении структур полевых транзисторов на арсениде галлия, согласно изобретению, необходимо было пассивировать электрически активные центры в эпитаксиальном слое на глубине 0,1 мкм, На пластине арсенида галлия с зпитаксиальным слоем 0,15 мкм с концентрацией и 1,2 10 см создали рисунок методом + . 1 В 1электронолитографии на установке ЕВА. Размер подзатворной области 0,8 мкм. В качестве маски...

Номер патента: 1194138

Опубликовано: 10.09.1999

Авторы: Гражулене, Карандашев, Попандопуло

МПК: G01N 1/28, G01N 30/48

Метки: cdxhg1-xte, анализе, многоэлементном, отделения, примесных, элементов

Способ отделения примесных элементов при многоэлементном анализе CdTe и CdxHg1-xTe, включающий сорбцию матричных элементов в экстракционно-хроматрографической колонке, заполненной сорбентом с неподвижной фазой, и элюирование примесных элементов соляной кислотой, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности и числа отделяемых примесных элементов, в качестве неподвижной фазы используют смесь три-н-октиламина и три-н-бутилфосфата в соотношении (1 - 2) : 1, а элюирование проводят 2 - 6 М : соляной кислотой.