Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин

Номер патента: 1747877

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Торчинский, Федорцов, Чуркин

МПК: G01B 11/06

Метки: интерференционный, полупроводниковых, слоев, толщины

...всему спектру составляет от единиц до десятков минут. Это приводит к большой длительности процесса измерений и делает способ неприменимым при массовом контроле полупроводниковых слоев впроизводственных условиях.Цель изобретения - повышение производительности измерения.Поставленнаяцель достигается тем, чтона измеряемый слой направляют монохроматическое излучение, а затем регистрируют отраженное от слоя (или прошедшее через него) излучение и путем измерения угла падения излучения на измеряемый слой получают угловую зависимость интен. сивности отраженного слоем (или проведшего через него) излучения, а по угловому расстоянию между экстремумами полученной зависимости определяют толщину слоя,Согласно общей теории интерференциикоэффициент...

Номер патента: 697801

Опубликовано: 15.11.1979

Автор: Кустов

МПК: G01B 7/06

Метки: полупроводниковых, слоев, толщины

...измерения, обусловленная наличием операции определения спектрального состава испаряющегося вещества и затруднениями при измерении глубины697801 Формула изобретения Составитель А. Куликов Редактор Л. Ьатанова Техред О. Луговая Корректор Н. Горват Заказ 5913/2 В Тираж 344 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4микроскола, так как он.имеет параболическую форму.Целью изобретения является упрощение процесса измерения.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу электрод устанавливают на поверхности материала, а ток пропускают импульсами.Кроме того, в качестве электрода используют жидкостный...

Номер патента: 901704

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Гиманов, Гоганов, Захарченко, Сиухин

МПК: F17C 3/00

Метки: детектора, излучения, криостат, полупроводникового

...в спектральных пиках к счету в Фоне Со Звременем это приводит к заметному снижению чувствительности анализа,в особенности для легких элементов.Цель изобретения - увеличение срока службы при стабильной работе охлаждаемого детектора излучения засчет предотвращения загрязнения детектора,Поставленная цель достигается тем,что в криостате для полупроводникового детектора излучения конец хладопровода, соединенныи с детектором, выполнен с винтовой канавкой, в которой размещен слой сорбента,На фиг. 1 изображен криостат, общий вид; на фиг. 2 " узел 1 на фиг. 1Криостат содержит наружный вакуум"ный кожух 1 с рабочей камерой 2, ва"куумный объем 3, сообщающийся с объемом рабочей камеры 2, радиационный рзэкран 4, криоадсорбционный насос 5,служащий...

Номер патента: 1001232

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Афанасьев, Крысов, Трусова

МПК: H01L 21/00

Метки: импульсного, отжига, полупроводниковых, структур

...содержит замкнутую камеру 1, в которой выполнены щели 2 и 3 соответственно для загрузки и выгрузки полупроводниковой структуры 4, расположенной наопоре сетке ) 5, Внутри замкнутой камеры по обе стороны от опоры расположены линейные галогенные лампы б накаливания так, что их продольная ось перпендикулярна направлению движения спотк, перемещаемой с помощью привода 7. Замкнутая камера имеет изогнутую форчу и служит одновременно для фокусировки . излучения на поверхность полупроводниковой структуры.Линейные галогенные лампы накаливания расположены от опоры на расстоянии 10-100 д, где о - толщина подложки полупроводниковой структу ры. Указанное соотношение определяется как размерами используемых подложек (в производстве...

Номер патента: 1403919

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Ваксер, Герасименко, Погребняк, Раренко, Тальянский, Халамейда

МПК: H01L 31/02

Метки: детектор, диапазонов, излучения, миллиметрового, полупроводниковый, субмиллиметрового

...магнитного поля,рическое индикаторное устройстчувствительный элемент, обладаэлектронным фототермомагнитнымтом 3, слои 4 и 5 чувствительнэлемента с различными значенияфективной массы электронов в.,Электронный фототермомагнит(ЭФТИ) эффект заключается в поэлектроцвищущей силы (ЭДС) в иводнике при наличии в нем градэлектронной температуры 0 и педикулярного к огай О магнитного(см.фиг.1). ЭДС ЭФТМ эффекта иется в направлении, ортогональмагнитному полю и градиенту элной температуры. Величина ЭДСте с ней и чувствительность рариваемого детектора, определяютпараметрами полупроводниковогориала (величинами импульсной игетической частот столкновенийречной дифференциальной термоЭэффективной массой электронов. т.д.), из которого изготовленвительный...