Способ получения п-слоев в антимониде индия

Номер патента: 1005602

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Дубровская, Коршунов, Тихонов, Тихонова

МПК: H01L 21/324

Метки: антимониде, инверсного, индия, слоя

Способ получения инверсного слоя в антимониде индия, включающий облучение подложки ионами, нанесение защитной пленки и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, отжиг проводят одновременно с нанесением защитной пленки при температуре подложки от 100 до 300oC в течение времени от 10 до 30 мин.

Номер патента: 1149822

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Орликовский, Соловьев

МПК: H01L 21/268

Метки: антимониде, индия, п-слоев

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси используют германий, а облучение ведут на длине волны 10,6 мкм в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 3 (10-6 - 10-4) с, количеством импульсов 10 - 50, длительностью пакета импульсов не более 0,5 с,...

Номер патента: 708792

Опубликовано: 10.11.2001

Авторы: Коршунов, Морозов, Тихонов

МПК: G01N 21/21

Метки: антимонида, вырожденного, индия, концентрации, п-типа, приповерхностном, слое, электронов

Способ определения концентрации электронов в приповерхностном слое вырожденного антимонида индия, n-типа, включающий освещение монохроматическим поляризованным светом образцов исследуемого и взятого в качестве эталона невырожденного полупроводника, многократное измерение эллипсометрического параметра и соответствующих ему длин волн, определение энергетического сдвига края полосы собственного поглощения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа перенесением измерений в видимую область спектра, перед освещением поверхности исследуемого образца и эталона аморфизируют с сохранением исходной концентрации электронов, при...

Номер патента: 521620

Опубликовано: 15.07.1976

Авторы: Козлова, Ольховикова, Приходько, Хашимов

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, полирующий, раствор

...обра521620Ф 4 Формула изобретения Составитель В, МальцевТехред Е. Подурушина Редактор И. Шубина Корректор А. Дзесова Заказ 1793/1 О Изд.1551 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, 5 К, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 зом, пригодны для исследования методом трансмиссионной электронной микроскопии.Предлагаемым методом возможно исследование микроструктуры материала, в частности дефектов кристаллического строения. Особое значение метод трансмиссионной электронной микроскопии преобретает при исследовании структурного совершенства тонких эпитаксильных слоев.П р и м е р 1. Подготовку образцов к утоньшпию производят следующим...

Номер патента: 1669337

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Мироненко, Налькина, Нестеров, Хрящев

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, полирования, приготовления, раствора

...супермедленным трввителем состава МВТВК1:50 по приведеннойвыше методике в течение 30, 60, 90 с.Часть образцов, облученных той аедозой, обработана при соОтношенииМВТ ; ВК " 1:100 в течение 2 н 3 мин.Результаты определения средней скорости травления сведены в таблицу,-раздел 111.Пример 4, В раздел 1 Ч таблицы сведены результаты по определению средней скорости травления присоотношении МВТ : ВК = 1:100 образцов внтимонида индия, нмплантированных большей дозой ионов магния,Из сравнения результатов разделов111 и 1 Ч таблицы видно, что даае приодинаковых степени разбавления и времени травления на скорости травлениясказывается степеньарушения струк-туры материала при р.зпичных дозахоблучения. Из результатов т;блицы следует, что...