Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 631017
Автор: Коршунов
Описание
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 1015 до 1018 см-3, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 56 кВт/см2 при длительности импульса от 6


3. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 5



Заявка
2395159/25, 06.07.1976
Научно-исследовательский институт механики МГУ им. М. В. Ломоносова
Коршунов А. Б
МПК / Метки
МПК: H01L 21/268
Метки: алмазоподобных, инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев
Опубликовано: 20.09.2001
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-631017-sposob-polucheniya-inversnykh-sloev-v-almazopodobnykh-poluprovodnikovykh-materialakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах</a>