Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах

Номер патента: 631017

Автор: Коршунов

Описание

1. Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах путем воздействия на них импульсами лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления концентрацией носителей заряда, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 400 МВт/см2 при длительности импульса от 10-1 до 10-9 с.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 1015 до 1018 см-3, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 56 кВт/см2 при длительности импульса от 6 10-3 до 0,8 10-3 с.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 5 1016 до 1019 см-3, воздействие лазерным излучением осуществляют с плотностью мощности от 4 до 400 МВт/см2 при длительности импульса от 5 10-8 до 0,3 10-8 с.

Заявка

2395159/25, 06.07.1976

Научно-исследовательский институт механики МГУ им. М. В. Ломоносова

Коршунов А. Б

МПК / Метки

МПК: H01L 21/268

Метки: алмазоподобных, инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

Опубликовано: 20.09.2001

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-631017-sposob-polucheniya-inversnykh-sloev-v-almazopodobnykh-poluprovodnikovykh-materialakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах</a>

Похожие патенты