Патенты с меткой «ионно-имплантированных»

Номер патента: 1436767

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Прохоров, Сазонов, Соловьев, Старикова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, пластин, полупроводниковых, слоев

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO2 в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 Tпл до...

Номер патента: 1170926

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Соловьев, Тихонова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, полупроводниковых

1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 1,5 10-6 - 1 10-4 с и количеством импульсов 5 - 900 при температуре облучаемой поверхности не меньше 0,55 т.пл., но меньше...