Патенты с меткой «инверсных»

Номер патента: 711589

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Лушпенко, Мацевитый

МПК: G06G 7/48

Метки: задач, инверсных, решения, теплопроводности

...величине %, а следовательно прямо прбпорционаЛьную отношению тока, идущего черезов к приложенному к нему напряжению, При этом потенциал, соответствующий температуре внутри тела, подается с делителя напряжения на вход блока сравнения, а 15 временное сопротивление, состоящее иэ управляемого сопротивления и эталонного резистора, подключено между узлом сетки и делителем напряжения, с которого подается сиг нал, пропорциональный известному решению на предыдущем шаге.Устройство работает следующим образом.Сигнал из узловой точки пассивной модели 1 поступает на вход блока сравнения 3, на второй вход которого с делителя 2 подается напряжение, пропорциональное температуре в соответствующей точке моделируемого те- ЗО ла в данный момент времени, С...

Номер патента: 1179388

Опубликовано: 15.09.1985

Авторы: Бенбузид, Прокофьев

МПК: G06G 7/48

Метки: задач, инверсных, нестационарной, решения, теплопроводности

...по принципу цифро ступенчатого аппроксиматора. Наклон развертывающей функции регулируется цифровым делителем (напряжением) 11, сигнал управления на который в виде кодов чисел поступает с ОЗУ 25.Работа устройства сводится к определению на модели инерационным путем Формы развертывающего напряжения Н,р, воспроизводимого блоком 8, которое.моделирует искомую зависимость коэффициента теплопроводности от температуры.Устройство работает следующим образом.Время решения задачи разделяется на ш периодов длительности Т. Из указанных а периодов нечетные соответствуют непосредственному решению задачи, а четные - останову решения для корректировки параметров модели и измерения результатов решения. На 1179388 45 10 5 20 чалу решения задачи...

Номер патента: 1265812

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Коновец, Прокофьев

МПК: G06G 7/46

Метки: задач, инверсных, нестационарной, решения, теплопроводности

...т.е., 1,) ) такт решения.Это повышает трудоемкость процесса решения инверсных задач с помощью К-сетки и не позволяет полностью автоматизировать процесс решения.Недостаток известного способа автоматизации решения инверсных задач нестационарной теплопроводности на К-сетках обусловлен тем, что не учитывается неоднозначность влияния приращения величины проводимости узловых резисторов на приращение ве.личины узлового потенциала.Предлагаемое устройство работает следующим образом.Запишем уравнение баланса для узла К-сетки предлагаемого устройст- ва 1. При отыскании удельной объемной теплоемкости С(Т) на К-сеточноймодели подстраивают узловой резистор(на схеме фиг. 2 обозначенный проводимостью К,), моделирующий временнойслой, Изменение...

Номер патента: 1268554

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Коновец, Прокофьев

МПК: G06G 7/46

Метки: задач, инверсных, решения, теплопроводности

...масштаба, совпадаютс известными, экспериментально снятыми (эталонными) значениями температуры в соответствующих точках,При решении данной задачи используется подстановка Гудменат20 Н =а(Т) с 1 Т, (5)оПрименение подстановки формулы3 1268554Известные устройства представ- к ляют собой связную, многоканальную т систему автоматического управления к распределением узловых потенциалов Л КС-сетки, При управлении инерцион. 5 н ным объектом, к каким относится и в КС-сетка, может наблюдаться перере- о гулирование и колебание регулируе- с мой величины, Это значит, что в процессе решения может происходить сме на направления протекания тока через конденсаторы, обусловленная не только характером изменения Б,но из-эа особенностей протекания шине...

Номер патента: 1273956

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Павлов, Прокофьев, Стариков, Юдин

МПК: G06G 7/46

Метки: задач, инверсных, краевых, решения

...на выходе втр 9рого операционного усилителя 4;К - значение первого масштабФного резистора 9.Значение П (С) определяется изусловия273956 411, (с), которое пропорционально величине реальной емкости на выходеустройства, при известных значенияхК 1 , К , К и С, определять1 1 бвеличйну емкости узловой точки аов реальной среде С, соответствуюцую условиям поставленной задачи(и,(Е)У, (с), П, (т), К К ),тельно сокращать время решения инверсных краевых задач (более чем в100 раз), при этом существенно повы 5 шается и точность решения. С учетом,улучшения технических характеристика также незначительных затрат йаего реализацию, предлагаемое устройство позволяет достигать существен 20 ный экономический эФфект при решении инверсных задач за счет...

Номер патента: 676109

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Короткова, Коршунов, Миркин, Тихонов

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах путем их плавления воздействием импульсного лазерного излучения с последующей рекристаллизацией оплавленного слоя, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективной подвижности и концентрации носителей заряда в слое и использования его для упрощенного изготовления многоэлементных структур, лазерное воздействие осуществляют в режиме образования выпуклой зеркальной поверхности рекристаллизованного слоя.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения в антимониде индия эффективной подвижности электронов до (4 - 6) 104...

Номер патента: 631017

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: алмазоподобных, инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах путем воздействия на них импульсами лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления концентрацией носителей заряда, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 400 МВт/см2 при длительности импульса от 10-1 до 10-9 с.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 1015 до 1018 см-3, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 56 кВт/см2 при длительности...

Номер патента: 1523001

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, полупроводниковых, слоев

Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры плавления кремния.