Патенты с меткой «п-слоев»
Способ получения п-слоев в антимониде индия
Номер патента: 1149822
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Орликовский, Соловьев
МПК: H01L 21/268
Метки: антимониде, индия, п-слоев
Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси используют германий, а облучение ведут на длине волны 10,6 мкм в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 3 (10-6 - 10-4) с, количеством импульсов 10 - 50, длительностью пакета импульсов не более 0,5 с,...
Способ получения п-слоев в антимониде индия
Номер патента: 1017122
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Дубровская, Коршунов, Старикова
МПК: H01L 21/268
Метки: антимониде, индия, п-слоев
Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий ориентированную резку слитка, шлифовку и полировку подложек и облучение подложки импульсным лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя, облучению подвергают поверхность (100), (100), (111) или (211).